In situ analysis of the room-temperature epitaxial growth of CeO2 ultrathin films on Si (111) by coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 13, 2001, Pages 1838-1840

  Furusawa, M ^a   Tashiro, J ^a   Sasaki, A ^a   Nakajima, K ^a   Takakura, M ^a   Chikyow, T ^b   Ahmet, P ^b   Yoshimoto, M ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035952855     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1356451     Document Type: Article

References (28)

1. Epitaxial Oxide Thin Films, edited by J. S. Speck, D. K. Fork, R. M. Wolf, and T. Shiosaki (MRS, Pittsburgh, PA, 1996), Vol. 401.
2. T. Inoue, Y. Yamamoto, S. Koyama, S. Suzuki, and Y. Ueda, Appl. Phys. Lett. 56, 1332 (1990).
3. Y. J. Tian, S. Linzen, F. Schmidt, A. Matthes, H. Schneidewind, and P. Seidel, Thin Solid Films 338, 224 (1999).
4. Y. T. Kim, D. S. Shin, Y. K. Park, and I. H. Choi, Appl. Phys. Lett. 86, 3387 (1999).
5. L. Cossarutto, N. Chaoui, E. Millon, J. F. Muller, J. Lambert, and M. Alnot, Appl. Surf. Sci. 126, 352 (1998).
6. J. T. Jones, P. M. Bridger, O. J. Marsh, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 75, 1326 (1999).
7. G. Bae, Y. Song, D. Jung, and Y. Roh, Appl. Phys. Lett. 77, 729 (2000).
8. Y. Chikyow, L. Tye, N. A. El-Marsy, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 65, 1030 (1994).
9. S. Yaegashi, T. Kurihara, H. Hoshi, and H. Segawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 270 (1990).
10. M. Yoshimoto, K. Shimozono, T. Maeda, T. Ohnishi, M. Kumagai, T. Chikyow, O. Ishiyama, M. Shinohara, and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 688 (1995).
11. M. Aono, C. Oshima, S. Zaima, S. Otani, and Y. Ishizawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 20, L829 (1981).
12. M. Yoshimoto, T. Maeda, K. Shimozono, H. Koinuma, M. Shinohara, O. Ishiyama, and F. Ohtani, Appl. Phys. Lett. 25, 3197 (1994).
13. M. Yoshimoto, T. Maeda, T. Ohnishi, H. Koinuma, O. Ishiyama, M. Shinohara, M. Kubo, R. Miura, and A. Miyamoto, Appl. Phys. Lett. 67, 2615 (1995).
14. M. Yoshimoto, H. Maruta, T. Ohnishi, K. Sasaki, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 73, 187 (1998).
15. T. Ohnishi, K. Takahashi, J. Nakayama, M. Kawasaki, M. Yoshimoto, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 74, 2531 (1999).
16. T. Ohnishi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, K. Takahashi, M. Yoshimoto, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 72, 824 (1998).
17. M. Sumiya, M. Tanaka, K. Ohtsuka, S. Fuke, T. Ohnishi, I. Ohkubo, M. Yoshimoto, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 674 (1999).
18. M. Sumiya, S. Nakamura, S. F. Chichibu, K. Mizuno, M. Furusawa, and M. Yoshimoto, Appl. Phys. Lett. 77, 2512 (2000).
19. M. Yoshimoto, T. Ohnishi, G.-H. Lee, K. Sasaki, H. Maruta, and H. Koinuma, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 502, 227 (1998).
20. G. S. Higashi, R. S. Becker, Y. J. Chabal, and A. J. Becker, Appl. Phys. Lett. 58, 1656 (1991).
21. T. P. Smith III, J. M. Philips, R. People, J. M. Gibson, L. Pfeiffer, and P. J. Stiles, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 54, 295 (1986).
22. C. C. Cho, T. S. Kim, B. E. Gnade, H. Y. Liu, and Y. Nishioka, Appl. Phys. Lett. 60, 338 (1992).
23. R. M. Tromp and M. C. Treuter, Phys. Rev. Lett. 73, 110 (1994).
24. T. Nakayama, M. Katayama, G. Selva, and M. Aono, Phys. Rev. Lett. 72, 1718 (1994).
25. D. K. Fork, D. B. Fenner, and T. H. Geballe, J. Appl. Phys. 68, 4316 (1990).
26. H. Nagata, M. Yoshimoto, H. Koinuma, E. Min, and N. Haga, J. Cryst. Growth 123, 1 (1992).
27. R. S. Williams, M. Kato, R. S. Daley, and M. Aono, Surf. Sci. 225, 355 (1990).
28. M. Shinohara, O. Ishiyama, T. Nishihara, F. Ohtani, M. Yoshimoto, T. Maeda, and H. Koinuma, in Proceedings of the 2nd NIRIM International Symposium on Advanced Materials (ISAM'95), edited by Y. Band, M. Kamo, and T. Aizawa (NIRIM, Tsukuba, 1995), p. 203.