Ultralow surface recombination velocity in InP nanowires probed by terahertz spectroscopy

Nano Letters

Volumn 12, Issue 10, 2012, Pages 5325-5330

  Joyce, Hannah J ^a   Wong Leung, Jennifer ^b   Yong, Chaw Keong ^a   Docherty, Callum J ^a   Paiman, Suriati ^b,c   Gao, Qiang ^b   Tan, H Hoe ^b   Jagadish, Chennupati ^b   Lloyd Hughes, James ^a   Herz, Laura M ^a   Johnston, Michael B ^a  

^a UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

^b AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

^c UNIVERSITY PUTRA MALAYSIA   (Malaysia)

Author keywords

InP; mobility; nanowire; photoconductivity; surface recombination velocity; terahertz

Indexed keywords

CHARGE CARRIER DYNAMICS; CRYSTALLOGRAPHIC DEFECTS; ELECTRONIC DEVICE; INP; NANOWIRE DEVICES; NANOWIRE SURFACE; NON-CONTACT; PHOTOVOLTAIC DEVICES; ROOM TEMPERATURE; SURFACE PASSIVATION; SURFACE RECOMBINATION VELOCITIES; TERA HERTZ; ULTRA-FAST; WURTZITES;

CARRIER MOBILITY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOCONDUCTIVITY; TEMPERATURE MEASUREMENT; ZINC SULFIDE;

NANOWIRES;

EID: 84867442596     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl3026828     Document Type: Article

References (42)

1. Wang, J. F.; Gudiksen, M. S.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1455-1457
2. Duan, X. F.; Huang, Y.; Cui, Y.; Wang, J. F.; Lieber, C. M. Nature 2001, 409, 66-69
3. Ding, Y.; Motohisa, J.; Hua, B.; Hara, S.; Fukui, T. Nano Lett. 2007, 7, 3598-3602
4. Goto, H.; Nosaki, K.; Tomioka, K.; Hara, S.; Hiruma, K.; Motohisa, J.; Fukui, T. Appl. Phys. Express 2009, 2, 035004
5. Novotny, C. J.; Yu, E. T.; Yu, P. K. L. Nano Lett. 2008, 8, 775-779
6. Franceschi, S. D.; van Dam, J. A.; Bakkers, E. P. A. M.; Feiner, L. F.; Gurevich, L.; Kouwenhoven, L. P. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 344-346
7. Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Zou, J.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M.; Parkinson, P.; Johnston, M. B. Prog. Quantum Electron. 2011, 35, 23-75
8. Wallentin, J.; Ek, M.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L.; Borgström, M. T. Nano Lett. 2012, 12, 151-155
9. Maharjan, A.; Pemasiri, K.; Kumar, P.; Wade, A.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M.; Kogan, A.; Paiman, S.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 193115
10. Parkinson, P.; Lloyd-Hughes, J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Johnston, M. B.; Herz, L. M. Nano Lett. 2007, 7, 2162-2165
11. Casey, H. C.; Buehler, E. Appl. Phys. Lett. 1977, 30, 247-249
12. Nolte, D. D. Solid-State Electron. 1990, 33, 295-298
13. Léonard, F.; Talin, A. A.; Swartzentruber, B. S.; Picraux, S. T. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 106805
14. Dan, Y.; Seo, K.; Takei, K.; Meza, J. H.; Javey, A.; Crozier, K. B. Nano Lett. 2011, 11, 2527-2532
15. Diadiuk, V.; Groves, S. H.; Armiento, C. A.; Hurwitz, C. E. Appl. Phys. Lett. 1983, 42, 892-894
16. Rosenwaks, Y.; Shapira, Y.; Huppert, D. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 2552-2554
17. Parkinson, P.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Zhang, X.; Zou, J.; Jagadish, C.; Herz, L. M.; Johnston, M. B. Nano Lett. 2009, 9, 3349-3353
18. Mattila, M.; Hakkarainen, T.; Lipsanen, H.; Jiang, H.; Kauppinen, E. I. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 033101
19. van Vugt; Veen, S. J.; Bakkers, E. P. A. M.; Roest, A. L.; Vanmaekelbergh, D. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 12357-12362
20. Mattila, M.; Hakkarainen, T.; Mulot, M.; Lipsanen, H. Nanotechnology 2006, 17, 1580-1583
21. Mishra, A.; Titova, L. V.; Hoang, T. B.; Jackson, H. E.; Smith, L. M.; Yarrison-Rice, J. M.; Kim, Y.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 263104
22. Bao, J.; Bell, D. C.; Capasso, F.; Wagner, J. B.; Martensson, T.; Trägardh, J.; Samuelson, L. Nano Lett. 2008, 8, 836-841
23. Murayama, M.; Nakayama, T. Phys. Rev. B 1994, 49, 4710-4724
24. De, S.; Coleman, J. N. ACS Nano 2010, 4, 2713-2720
25. Zhang, L.; Luo, J.; Zunger, A.; Akopian, N.; Zwiller, V.; Harmand, J. Nano Lett. 2010, 10, 4055-4060
26. van Weert, M. H. M.; Wunnicke, O.; Roest, A. L.; Eijkemans, T. J.; Silov, A. Y.; Haverkort, J. E. M.; t Hooft, G. W.; Bakkers, E. P. A. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043109
27. Pemasiri, K.; Montazeri, M.; Gass, R.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J.; Paiman, S.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Zhang, X.; Zou, J. Nano Lett. 2009, 9, 648-654
28. Akopian, N.; Patriarche, G.; Liu, L.; Harmand, J. C.; Zwiller, V. Nano Lett. 2010, 10, 1198-1201
29. Nienhuys, H.-K.; Sundström, V. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 012101
30. Jancu, J. M.; Gauthron, K.; Largeau, L.; Patriarche, G.; Harmand, J. C.; Voisin, P. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 041910
31. Pitarke, J. M.; Silkin, V. M.; Chulkov, E. V.; Echenique, P. M. Rep. Prog. Phys. 2007, 70, 1-87
32. Seletskiy, D. V.; Hasselbeck, M. P.; Cederberg, J. G.; Katzenmeyer, A.; Toimil-Molares, M. E.; Léonard, F.; Talin, A. A.; Sheik-Bahae, M. Phys. Rev. B 2011, 84, 115421
33. Newman, N.; Spicer, W. E.; Kendelewicz, T.; Lindau, I. J. Vac. Sci. Technol., B 1986, 4, 931-938
34. Dreszer, P.; Chen, W. M.; Seendripu, K.; Wolk, J. A.; Walukiewicz, W.; Liang, B. W.; Tu, C. W.; Weber, E. R. Phys. Rev. B 1993, 47, 4111-4114
35. Razeghi, M.; Maurel, P.; Defour, M.; Omnes, F.; Neu, G.; Kozacki, A. Appl. Phys. Lett. 1988, 52, 117-119
36. Yu, P. Y.; Cardona, M. Fundamentals of Semiconductors, 3 rd ed.; Springer: Berlin, 2005.
37. Lloyd-Hughes, J. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 122103
38. Unuma, T.; Yoshita, M.; Noda, T.; Sakaki, H.; Akiyama, H. J. Appl. Phys. 2003, 93, 1586-1597
39. Storm, K.; Nylund, G.; Borgström, M.; Wallentin, J.; Fasth, C.; Thelander, C.; Samuelson, L. Nano Lett. 2011, 11, 1127-1130
40. Borgström, M. T.; Norberg, E.; Wickert, P.; Nilsson, H. A.; Trägardh, J.; Dick, K. A.; Statkute, G.; Ramvall, P.; Deppert, K.; Samuelson, L. Nanotechnology 2008, 19, 445602
41. Paiman, S.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Pemasiri, K.; Montazeri, M.; Jackson, H. E.; Smith, L. M.; Yarrison-Rice, J. M.; Zhang, X.; Zou, J. Nanotechnology 2009, 20, 225606
42. Paiman, S.; Gao, Q.; Joyce, H. J.; Kim, Y.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Zhang, X.; Guo, Y.; Zou, J. J. Phys. D-Appl. Phys. 2010, 43, 445402