On the correlation between surface morphology and electron work function of indium tin oxide

Journal of Applied Physics

Volumn 111, Issue 12, 2012, Pages

  Xue, Mingshan ^a,b   Wu, Hainan ^a   Ou, Junfei ^a   Wang, Fajun ^a   Li, Xibao ^a   Li, Wen ^a   Jiang, Zhonghao ^b  

^a NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY   (China)

^b JILIN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL CORROSION; COPPER PHTHALOCYANINE; ELECTRON WORK FUNCTIONS; INDIUM TIN OXIDE; ITO-BASED DEVICE; PHOTOELECTRIC BEHAVIOR; PHOTOELECTRIC MECHANISM; SCANNING KELVIN PROBES; SURFACE MICROSTRUCTURES;

INDIUM COMPOUNDS; PHOTOELECTRICITY; SURFACE MORPHOLOGY; SURFACE ROUGHNESS; TIN OXIDES; WORK FUNCTION;

TIN;

EID: 84863521160     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4730388     Document Type: Article

References (39)

1. J. S. Kim, J. H. Park, J. H. Lee, J. Jo, D. Y. Kim, and K. Cho, Appl. Phys. Lett. 91, 112111 (2007). 10.1063/1.2778548
2. I. M. Chan, W. C. Cheng, and F. C. Hong, Appl. Phys. Lett. 80, 13 (2002). 10.1063/1.1428624
3. T. H. Tsai, S. C. Chiou, and S. M. Chen, Int. J. Electrochem. Sci. 6, 3333 (2011).
4. E. J. Guo, H. Guo, H. Lu, K. Jin, M. He, and G. Yang, Appl. Phys. Lett. 98, 011905 (2011). 10.1063/1.3536531
5. V. Arivazhagan and S. Rajesh, Arch. Phys. Res. 2, 19 (2011).
6. S. H. Mohamed, F. M. El-Hossary, G. A. Gamal, and M. M. Kahlid, Acta Phys. Pol. A 115, 704 (2009).
7. A. Walsh, J. L. F. Da Silva, S. H. Wei, C. Korber, A. Klein, L. F. J. Piper, A. DeMasi, K. E. Smith, G. Panaccione, P. Torelli, D. J. Payne, A. Bourlange, and R. G. Egdell, Phys. Rev. Lett. 100, 167402 (2008). 10.1103/PhysRevLett.100.167402
8. A. Walsh, J. L. F. Da Silva, and S. H. Wei, Phys. Rev. B 78, 075211 (2008). 10.1103/PhysRevB.78.075211
9. S. H. Brewer and S. Franzen, Chem. Phys. 300, 285 (2004). 10.1016/j.chemphys.2003.11.039
10. G. Frank and H. Kostlin, Appl. Phys. A 27, 197 (1982). 10.1007/BF00619080
11. O. Warschkow, D. E. Ellis, G. B. Gonzalez, and T. O. Mason, J. Am. Ceram. Soc. 86, 1707 (2003). 10.1111/j.1151-2916.2003.tb03544.x
12. G. B. Gonzalez, T. O. Mason, J. P. Quintan, O. Warschkow, D. E. Ellis, J. H. Hwang, J. P. Hodges, and J. D. Jorgensen, J. Appl. Phys. 96, 3912 (2004). 10.1063/1.1783610
13. Y. Gassenbauer and A. Klein, J. Phys. Chem. B 110, 4793 (2006). 10.1021/jp056640b
14. M. G. Mason, L. S. Hung, C. W. Tang, S. T. Lee, K. W. Wong, and M. Wang, J. Appl. Phys. 86, 1688 (1999). 10.1063/1.370948
15. A. B. Djurisic, C. Y. Kwong, P. C. Chui, and W. K. Chan, J. Appl. Phys. 93, 5472 (2003). 10.1063/1.1565824
16. H. Wang, W. Ding, C. Liu, and W. Chai, Chin. Phys. Lett. 27, 127302 (2010). 10.1088/0256-307X/27/12/127302
17. V. Christou, M. Etchells, O. Renault, P. J. Dobson, O. V. Salata, G. Beamson, and R. G. Egdell, J. Appl. Phys. 88, 5180 (2000). 10.1063/1.1312847
18. E. W. Forsythe, M. A. Abkowitz, and Y. Gao, J. Phys. Chem. B 104, 3948 (2000). 10.1021/jp993793o
19. J. Cui, Q. L. Huang, J. C. G. Veinot, H. Yan, Q. W. Wang, G. R. Hutchison, A. G. Richter, G. Evmenenko, P. Dutta, and T. J. Marks, Langmuir 18, 9958 (2002). 10.1021/la020481v
20. W. H. Chen, W. Y. Ko, Y. S. Chen, C. Y. Cheng, C. M. Chan, and K. J. Lin, Langmuir 26, 2191 (2010). 10.1021/la903455a
21. S. E. Saheen, C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, F. Padinger, T. Fromberz, and J. C. Hummelen, Appl. Phys. Lett. 78, 841 (2001). 10.1063/1.1345834
22. M. G. Helander, Z. B. Wang, J. Qiu, M. T. Greiner, D. P. Puzzo, Z. W. Liu, and Z. H. Lu, Science 332, 944 (2011). 10.1126/science.1202992
23. M. S. Xue, J. Xie, W. Li, C. G. Yang, Y. L. Ai, F. J. Wang, J. F. Ou, and J. P. Yao, Physica B 406, 4240 (2011). 10.1016/j.physb.2011.08.017
24. A. Klein, C. Korber, A. Wachau, F. Sauberlich, Y. Gassenbauer, S. P. Harvey, D. E. Proffit, and T. O. Mason, Materials 3, 4892 (2010). 10.3390/ma3114892
25. A. Walsh, C. Richard, and A. Catlow, J. Mater. Chem. 20, 10438 (2010). 10.1039/c0jm01816c
26. K. H. L. Zhang, A. Walsh, C. R. A. Catlow, V. K. Lazarov, and R. G. Egdell, Nano Lett. 10, 3740 (2010). 10.1021/nl102403t
27. W. Li, C. W. Wu, W. G. Qin, G. C. Wang, S. Q. Lu, X. J. Dong, H. B. Dong, and Q. L. Sun, Physica B 404, 2197 (2009). 10.1016/j.physb.2009.04.026
28. W. Li and D. Y. Li, J. Chem. Phys. 122, 064708 (2005). 10.1063/1.1849135
29. M. S. Xue, Z. H. Jiang, W. Li, G. L. Bi, J. F. Ou, F. J. Wang, and C. Q. Li, Appl. Surf. Sci. 258, 3373 (2012). 10.1016/j.apsusc.2011.10.143
30. N. K. Shrestha, H. Kohn, M. Imamura, K. Irie, H. Ogihara, and T. Saji, Langmuir 26, 17024 (2010). 10.1021/la102172t
31. V. E. Henrich and P. A. Cox, The Surface Science of Metal Oxides (Academic, Cambridge, 1994).
32. M. S. Xue and Q. Guo, J. Chem. Phys. 127, 054705 (2007). 10.1063/1.2756831
33. M. S. Xue, S. Wang, K. Wu, J. Guo, and Q. Guo, Langmuir 27, 11 (2011). 10.1021/la103732r
34. M. Doherty and J. M. Sykes, Corros. Sci. 46, 1265 (2004). 10.1016/j.corsci.2003.09.016
35. B. Polyakov, R. Krutokhvostov, A. Kuzmin, E. Tamanis, I. Muzikantel, and I. Tale, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 51, 21201 (2010). 10.1051/epjap/2010088
36. G. L. Song and D. Haddad, Mater. Chem. Phys. 125, 548 (2011). 10.1016/j.matchemphys.2010.10.018
37. M. Ouyang, R. Bai, L. Chen, L. Yang, M. Wang, and H. Chen, J. Phys. Chem. C 112, 11250 (2008). 10.1021/jp802522y
38. S. Heutz, S. M. Bayliss, R. L. Middleton, G. Rumbles, and T. S. Jones, J. Phys. Chem. B 104, 7124 (2000). 10.1021/jp0000836
39. J. Yeo, J. Yun, S. Kim, D. Kim, J. Kim, and S. Na, Semicond. Sci. Technol. 26, 034010 (2011). 10.1088/0268-1242/26/3/034010