메뉴 건너뛰기




Volumn 100, Issue 25, 2012, Pages

Few-layer graphene growth on 6H-SiC(0001) surface at low temperature via Ni-silicidation reactions

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURES; CARBON ATOMS; FEW-LAYER GRAPHENE; LOW TEMPERATURES; RAPID COOLING; THERMAL-ANNEALING; TOP SURFACE; ULTRATHIN LAYERS;

EID: 84863305076     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4729876     Document Type: Article
Times cited : (16)

References (27)
  • 11
    • 77949488752 scopus 로고    scopus 로고
    • 10.1016/j.carbon.2010.02.007
    • A. A. Woodworth and C. D. Stinespring, Carbon 48, 1999 (2010). 10.1016/j.carbon.2010.02.007
    • (2010) Carbon , vol.48 , pp. 1999
    • Woodworth, A.A.1    Stinespring, C.D.2
  • 19
    • 65249118635 scopus 로고    scopus 로고
    • 10.1007/s12274-008-8036-1
    • Z. Ni, Y. Wang, T. Yu, and Z. Shen, Nano Res. 1, 273 (2008) 10.1007/s12274-008-8036-1
    • (2008) Nano Res. , vol.1 , pp. 273
    • Ni, Z.1    Wang, Y.2    Yu, T.3    Shen, Z.4
  • 24
    • 0031352390 scopus 로고    scopus 로고
    • 10.1016/S0167-5729(97)00011-3
    • J. G. Chen, Surf. Sci. Rep. 30, 1 (1997). 10.1016/S0167-5729(97)00011-3
    • (1997) Surf. Sci. Rep. , vol.30 , pp. 1
    • Chen, J.G.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.