A study of the surface chemical reactions on IGZO thin film in BCl 3Ar inductively coupled plasma

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 159, Issue 4, 2012, Pages

  Joo, Young Hee ^a   Woo, Jong Chang ^a   Kim, Chang Il ^a  

^a Chung Ang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AR PLASMAS; ETCH RATES; ETCHING MECHANISM; INDIUM GALLIUM ZINC OXIDES; NON-VOLATILE; SURFACE CHEMICAL REACTIONS; XPS ANALYSIS;

BYPRODUCTS; CHEMICAL REACTIONS; ETCHING; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; SILICON; SILICON COMPOUNDS;

THIN FILMS;

EID: 84863152998     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.034204jes     Document Type: Article

References (13)

1. S. H. K. Park, C. S. Hwang, M. K. Ryu, S. H. Yang, C. W. Byun, J. H. Shin, J. I. Lee, K. M. Lee, M. S. Oh, and S. I. Im, Adv. Mater., 21, 678 (2009). 10.1002/adma.200801470
2. K. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 89, 112123 (2006). 10.1063/1.2353811 (Pubitemid 44403788)
3. W. S. Cheong, J. M. Lee, J. H. Lee, S. H. K. Park, S. M. Yoon, C. W. Byun, H. U. Yang, S. M. Chung, K. I. Cho, and C. S. Hwang, ETRI Journal, 31, 660 (2009). 10.4218/etrij.09.1209.0049
4. C. Y. Lee, C. Chang, W. P. Shih, and C. L. Dai, Thin Solid Films, 518, 3992 (2010). 10.1016/j.tsf.2009.12.010
5. M. K. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 90, 212114 (2007). 10.1063/1.2742790 (Pubitemid 46828080)
6. A. Sato, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 94, 133502 (2009). 10.1063/1.3112566
7. J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa, Appl. Phy. Lett., 93, 133502 (2008). 10.1063/1.2985817
8. D. H. Cho, S. H. Yang, J.-H. Shin, C. W. Byun, M. K. Ryu, J. I. Lee, C. S. Hwang, and H. Y. Chu, J. Kor. Phys. Soc., 54, 531 (2009). 10.3938/jkps.54.531
9. R. J. Shul, G. B. McClellan, R. D. Briggs, D. J. Rieger, S. J. pearton, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine, and C. Barratt, J. Vac. Sci. Technol., A 15, 633 (1997). 10.1116/1.580696 (Pubitemid 127081979)
10. G. H. Kim, K. T. Kim, D. P. Kim, and C. I. Kim, Thin Solid Films, 475, 86 (2005). 10.1016/j.tsf.2004.08.028 (Pubitemid 40206297)
11. S. W. Na, M. H. Shin, Y. M. Chumg, J. G. Han, S. H. Jeung, J. H. Boo, and N. E. Lee, Microelectronic engineering, 83, 328 (2006). 10.1016/j.mee.2005.09. 007 (Pubitemid 43199296)
12. Y. B. Xiao, E. H. Kim, S. M. Kong, and C. W. Chung, Jpn. J. Appl. Phys., 49, 08JB01 (2010). 10.1143/JJAP.49.08JB01
13. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys., 45, 4303 (2006). 10.1143/JJAP.45.4303 (Pubitemid 43804578)