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Volumn 14, Issue 5, 2012, Pages 1700-1705

The paradox of an insulating contact between a chemisorbed molecule and a wide band gap semiconductor surface

(10) Yang, H a,b,c Boudrioua, O d Mayne, A J a Comtet, G a Dujardin, G a Kuk, Y c Sonnet, Ph d Stauffer, L d Nagarajan, S e Gourdon, A e

a INSTITUT DES SCIENCES MOLÉCULAIRES D ORSAY (France)

b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) (South Korea)

c Seoul National University (South Korea)

d UNIVERSITÉ DE HAUTE ALSACE (France)

e CEMES CNRS (France)

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EID: 84862908029 PISSN: 14639076 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2cp23104b Document Type: Article

Times cited : (17)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.