SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Transactions on Electrical and Electronic Materials

Volumn 13, Issue 3, 2012, Pages 144-148

Dry etching properties of TiO 2 thin film using inductively coupled plasma for resistive random access memory application

(3) Joo, Young Hee a Woo, Jong Chang a Kim, Chang Il a

a Chung Ang University (South Korea)

Author keywords

AES; BCl 3; ICP; TiO 2; XPS

Indexed keywords

AES; BCL 3; CHEMICAL PATHWAYS; CHEMICAL STATE; DC BIAS VOLTAGE; ETCH RATES; ETCHED SURFACE; ETCHING CHARACTERISTICS; ETCHING MECHANISM; ETCHING PROCESS; ETCHING PROPERTIES; GAS MIXING RATIO; ICP; INDUCTIVELY-COUPLED; PROCESS PRESSURE; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RF-POWER; SUBSTRATE TEMPERATURE; TIO;

DC POWER TRANSMISSION; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; PHOTOELECTRONS; THIN FILMS; TITANIUM NITRIDE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

TITANIUM DIOXIDE;

EID: 84862689420 PISSN: 12297607 EISSN: 20927592 Source Type: Journal
DOI: 10.4313/TEEM.2012.13.3.144 Document Type: Article

Times cited : (11)

References (15)

1
- 36148956743
- [DOI:10.1016/ j.mee.2007.009]
- D. S. Golubović, A. H. Miranda, N. Akil, R. T. F. van Schaijk, M. J. van Duuren, Microelectron. Eng. 84 2921 (2007) [DOI:10.1016/ j.mee.2007.009].
- (2007) Microelectron. Eng , vol.84 , pp. 2921
- Golubović, D.S.¹ Miranda, A.H.² Akil, N.³ van Schaijk, R.T.F.⁴ van Duuren, M.J.⁵

2
- 51649091348
- [DOI:10.1007/s00339-008-4782-x]
- R. Dong, D. S. Lee, M. B. Pyun, M. Hasan, H. J. Choi, M. S. Jo, D. J. Seong, M. Chang, S. H. Heo, J. M. Lee, H. K. Park, H. S. Hwang, Appl. Phys. A 93 409 (2008) [DOI:10.1007/s00339-008-4782-x].
- (2008) Appl. Phys. A , vol.93 , pp. 409
- Dong, R.¹ Lee, D.S.² Pyun, M.B.³ Hasan, M.⁴ Choi, H.J.⁵ Jo, M.S.⁶ Seong, D.J.⁷ Chang, M.⁸ Heo, S.H.⁹ Lee, J.M.¹⁰ Park, H.K.¹¹ Hwang, H.S.¹²

3
- 33747862197
- [DOI:10.1063/1.2336621]
- D. S. Jeong, H. Schroeder, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 89 082909 (2006) [DOI:10.1063/1.2336621].
- (2006) Appl. Phys. Lett , vol.89 , pp. 082909
- Jeong, D.S.¹ Schroeder, H.² Waser, R.³

4
- 23944447615
- [DOI:10.1063/1.2001146]
- B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98 033715 (2005) [DOI:10.1063/1.2001146].
- (2005) J. Appl. Phys , vol.98 , pp. 033715
- Choi, B.J.¹ Jeong, D.S.² Kim, S.K.³ Rohde, C.⁴ Choi, S.⁵ Oh, J.H.⁶ Kim, H.J.⁷ Hwang, C.S.⁸ Szot, K.⁹ Waser, R.¹⁰ Reichenberg, B.¹¹ Tiedke, S.¹²

5
- 33645889383
- [DOI:10.1016/0038-1101(64)90131-5]
- J. F. Gibbons, W. E. Beadle, Solid State Electron. 7 785 (1964) [DOI:10.1016/0038-1101(64)90131-5].
- (1964) Solid State Electron , vol.7 , pp. 785
- Gibbons, J.F.¹ Beadle, W.E.²

6
- 19944434155
- [DOI:10.1063/1.1831560]
- S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi, B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85 5655 (2004) [DOI:10.1063/1.1831560].
- (2004) Appl. Phys. Lett , vol.85 , pp. 5655
- Seo, S.¹ Lee, M.J.² Seo, D.H.³ Jeoung, E.J.⁴ Suh, D.S.⁵ Joung, Y.S.⁶ Yoo, I.K.⁷ Hwang, I.R.⁸ Kim, S.H.⁹ Byun, I.S.¹⁰ Kim, J.S.¹¹ Choi, J.S.¹² Park, B.H.¹³

7
- 71649092208
- [DOI:10.1016/j.sse.2009.03.034]
- C. Kugeler, M. Meier, R. Rosezin, S. Gilles, R. Waser, Solid-State Electron. 53 1287 (2009) [DOI:10.1016/j.sse.2009.03.034].
- (2009) Solid-State Electron , vol.53 , pp. 1287
- Kugeler, C.¹ Meier, M.² Rosezin, R.³ Gilles, S.⁴ Waser, R.⁵

8
- 55349143194
- [DOI:10.1109/NANO.2008.141]
- C. Nauenheim, C. Kugeler, A. Rudiger, R. Waser, A. Flocke, T.G. Noll, IEEE 464 (2008) [DOI:10.1109/NANO.2008.141].
- (2008) T.G. Noll, IEEE , pp. 464
- Nauenheim, C.¹ Kugeler, C.² Rudiger, A.³ Waser, R.⁴ Flocke, A.⁵

9
- 0035965955
- [DOI:10.1016/S0169- 4332(01)00562-1]
- S. Norasetthekul, P. Y. Park, K. H. Baik, K. P. Lee, J. H. Shin, B. S. Jeong, V. Shishodia, E. S. Lambers, D. P. Norton, S. J. Pearton, Appl. Sur. Sci. 185 27 (2001) [DOI:10.1016/S0169- 4332(01)00562-1].
- (2001) Appl. Sur. Sci , vol.185 , pp. 27
- Norasetthekul, S.¹ Park, P.Y.² Baik, K.H.³ Lee, K.P.⁴ Shin, J.H.⁵ Jeong, B.S.⁶ Shishodia, V.⁷ Lambers, E.S.⁸ Norton, D.P.⁹ Pearton, S.J.¹⁰

10
- 64549142072
- [DOI:10.3938/jkps.54.976]
- J. B Park, W. S. Lim, S. D. Park, B. J. Park, G. Y. Yeom, J. Kor. Phys. Soc. 54 976 (2009) [DOI:10.3938/jkps.54.976].
- (2009) Phys. Soc , vol.54 , pp. 976
- Park, J.B.¹ Lim, W.S.² Park, S.D.³ Park, B.J.⁴ Yeom, G.Y.⁵ Kor, J.⁶

11
- 23044453779
- [DOI:10.1002/ppap.200400035]
- S. J. Pearton, D. P. Norton, Plasma Process. Polym. 2 16 (2005) [DOI:10.1002/ppap.200400035].
- (2005) Plasma Process. Polym , vol.2 , pp. 16
- Pearton, S.J.¹ Norton, D.P.²

12
- 0031143173
- [DOI:10.1149/1.1837679]
- N. M. Muthukrishnan, K. Amberialdis, A. E. Riad, J. Electrochem. Soc. 144 1780 (1997) [DOI:10.1149/1.1837679].
- (1997) J. Electrochem. Soc , vol.144 , pp. 1780
- Muthukrishnan, N.M.¹ Amberialdis, K.² Riad, A.E.³

13
- 67349275305
- [DOI:10.1016/j.actbio.2009.01.049]
- B. S Kang, Y. T. Sul, S. J. Oh, H. J. Lee, T. Alberktsson, Acta Biomater. 5 2222 (2009) [DOI:10.1016/j.actbio.2009.01.049].
- (2009) Acta Biomater , vol.5 , pp. 2222
- Kang, B.S.¹ Sul, Y.T.² Oh, S.J.³ Lee, H.J.⁴ Alberktsson, T.⁵

14
- 28144431811
- [DOI:10.1016/j.jallcom.2004.11.129]
- A. Leon, D. Schild, M. Fichtner, J. Alloys Compd. 404-406 766 (2005) [DOI:10.1016/j.jallcom.2004.11.129].
- (2005) J. Alloys Compd , vol.766 , pp. 404-406
- Leon, A.¹ Schild, D.² Fichtner, M.³

15
- 64549100824
- [DOI:10.3938/jkps.54.1054]
- D. S. Um, D. P. Kim, G. H. Kim, J. C. Woo, C. I. Kim, J. Kor. Phys. Soc. 54 1054 (2009) [DOI:10.3938/jkps.54.1054].
- (2009) Phys. Soc , vol.54 , pp. 1054
- Um, D.S.¹ Kim, D.P.² Kim, G.H.³ Woo, J.C.⁴ Kim, C.I.⁵ Kor, J.⁶

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.