Dry etching of ITO thin films by the addition of gases in Cl 2/BCl 3 inductivity coupled plasma

Transactions on Electrical and Electronic Materials

Volumn 13, Issue 3, 2012, Pages 157-161

  Joo, Young Hee ^a   Woo, Jong Chang ^a   Choi, Kyung Rok ^a   Kim, Han Soo ^a   Wi, Jae Hyung ^a   Kim, Chang Il ^a  

^a Chung Ang University   (South Korea)

Author keywords

AFM; Cl 2 BCl 3; Inert gas; ITO; N 2; XPS

Indexed keywords

AFM; COUPLED PLASMA; ETCH RATES; ETCHING CHARACTERISTICS; ITO; ITO THIN FILMS;

ARGON; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; INERT GASES; ION BOMBARDMENT; PHOTOELECTRONS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

THIN FILMS;

EID: 84862659892     PISSN: 12297607     EISSN: 20927592     Source Type: Journal    
DOI: 10.4313/TEEM.2012.13.3.157     Document Type: Article

References (16)

1. T. H. Chou, K. Y. Cheng, T. L. Chang, C. J. Ting, H. C. Hsu, C. J. Wu, J. H. Tsai, T. Y. Huang, Microelec. Eng. 86, 628 (2009) [DOI:j. mee.2009.01.067].
2. C. S. Lee, Z. Y. Cui, H. F. Jin, S. W. Sung, H. G. Lee, N. S. Kim, Trans. Electr. Electron. Mater. 12, 35 (2011) [DOI:10.4313/ TEEM.2001.12.1.35].
3. M. Burgelman, A. Niemegeers, Solar Energy Materials & Solar Cells 51, 129 (1998) [DOI:10.1016/S0927-0248(97)00227-4].
4. J. H. Kim, J. H. Her, Y. J. Lim, P. Kumar, S. H. Lee, K. H. Park, J. H. Lee, B. K. Kim, Trans. Electr. Electron. Mater. 11, 134 (2010) [DOI:10.4313/TEEM.2010.11.3.134].
5. Y. Kuo, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L629 (1997) [DOI:10.1143/JJAP.36. L629].
6. A. Grigonis, R. Knizikevicius, Z. Rutkuniene, D. Tribandis, Vacuum 70, 319 (2003) [DOI:10.1016/S0042-207X(02)00662-0].
7. H. B. Andagana, X. A. Cao, J. Vac. Sci. Technol. A 28, 189 (2010) [DOI:10.1116/1.3280919].
8. J. C. Woo, D. S. Um, C. I. Kim, Thin Solid Films 518, 2905 (2010) [DOI:10.1016/j.tsf.2009.10.144].
9. A. M. Efremov, V. I. Svettsov, D. V. Sitanov, D. I. Balashow, Thin Solid Films 516, 3020 (2008) [DOI:10.1016/j.tsf.2007.11.046].
10. G. H. Kim, C. I. Kim, A. M. Efremov, Vacuum 79, 231 (2005) [DOI:10.1016/j.vacuum.2005.03.012].
11. Y. H. Park, J. K. Kim, J. H. Lee, Y. W. Joo, H. S. Noh, S. J. Pearton, Microelec. Eng. 87, 548 (2010) [DOI:10.1016/j.mee.2009.08.006]
12. J. S. Kim, F. Cacialli, R. Friend, Thin Solid Films 445, 358 (2003) [DOI:10.1016/S0040-6090(03)01185-4].
13. H. Y. Yu, X. D. Feng, D. Grozea, Z. H. Lu, R. N. S. Sodhi, A. M. Hor, H. Aziz, Appl. Phys. Lett. 78, 2595 (2001) [DOI:10.1063/1.1367897].
14. W. R. Salaneck, N. Johansson, K. Z. Xing, F. Cacialli, R. H. Friend, G. Beamson, D. T. Clark, Synth. Met. 92, 207 (1998) [DOI:10.1016/S0379-6779(98)80088-X].
15. W. Song, S. K. So, L. Cao, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 72, 361 (2001) [DOI:10.1007/s003390000534].
16. D. Y. Kim, J. H. Ko, M. S. Park, N. E. Lee, Thin Solid Films 516, 3512 (2008) [DOI:10.1016/j.tsf.2007.08.021].