-
1
-
-
0033051026
-
-
Hu, J. T.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435-445
-
(1999)
Acc. Chem. Res.
, vol.32
, pp. 435-445
-
-
Hu, J.T.1
Odom, T.W.2
Lieber, C.M.3
-
2
-
-
0037418379
-
-
Xia, Y. N.; Yang, P. D.; Sun, Y. G.; Wu, Y. Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y. D.; Kim, F.; Yan, H. Q. Adv. Mater. 2003, 15, 353-389
-
(2003)
Adv. Mater.
, vol.15
, pp. 353-389
-
-
Xia, Y.N.1
Yang, P.D.2
Sun, Y.G.3
Wu, Y.Y.4
Mayers, B.5
Gates, B.6
Yin, Y.D.7
Kim, F.8
Yan, H.Q.9
-
3
-
-
70349843701
-
-
Yan, R. X.; Gargas, D.; Yang, P. D. Nat. Photonics 2009, 3, 569-576
-
(2009)
Nat. Photonics
, vol.3
, pp. 569-576
-
-
Yan, R.X.1
Gargas, D.2
Yang, P.D.3
-
4
-
-
33749589734
-
-
Fan, J. Y.; Wu, X. L.; Chu, P. K. Prog. Mater. Sci. 2006, 51, 983-1031
-
(2006)
Prog. Mater. Sci.
, vol.51
, pp. 983-1031
-
-
Fan, J.Y.1
Wu, X.L.2
Chu, P.K.3
-
6
-
-
20544452590
-
-
Yang, W.; Araki, H.; Tang, C. C.; Thaveethavorn, S.; Kohyama, A.; Suzuki, H.; Noda, T. Adv. Mater. 2005, 17, 1519-1523
-
(2005)
Adv. Mater.
, vol.17
, pp. 1519-1523
-
-
Yang, W.1
Araki, H.2
Tang, C.C.3
Thaveethavorn, S.4
Kohyama, A.5
Suzuki, H.6
Noda, T.7
-
7
-
-
33744737932
-
-
Zhou, W. M.; Fang, F.; Hou, Z. Y.; Yan, L. J.; Zhang, Y. F. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 463-465
-
(2006)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.27
, pp. 463-465
-
-
Zhou, W.M.1
Fang, F.2
Hou, Z.Y.3
Yan, L.J.4
Zhang, Y.F.5
-
8
-
-
49249121629
-
-
Rogdakis, K.; Lee, S. Y.; Bescond, M.; Lee, S. K.; Bano, E.; Zekentes, K. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 1970-1976
-
(2008)
IEEE Trans. Electron Devices
, vol.55
, pp. 1970-1976
-
-
Rogdakis, K.1
Lee, S.Y.2
Bescond, M.3
Lee, S.K.4
Bano, E.5
Zekentes, K.6
-
9
-
-
79957447886
-
-
Chen, Y. Q.; Zhang, X. N.; Zhao, Q.; He, L.; Huang, C. K.; Xie, Z. P. Chem. Commun. 2011, 47, 6398-6400
-
(2011)
Chem. Commun.
, vol.47
, pp. 6398-6400
-
-
Chen, Y.Q.1
Zhang, X.N.2
Zhao, Q.3
He, L.4
Huang, C.K.5
Xie, Z.P.6
-
10
-
-
0034247955
-
-
Pan, Z. W.; Lai, H. L.; Au, F. C. K.; Duan, X. F.; Zhou, W. Y.; Shi, W. S.; Wang, N.; Lee, C. S.; Wong, N. B.; Lee, S. T.; Xie, S. S. Adv. Mater. 2000, 12, 1186-1190
-
(2000)
Adv. Mater.
, vol.12
, pp. 1186-1190
-
-
Pan, Z.W.1
Lai, H.L.2
Au, F.C.K.3
Duan, X.F.4
Zhou, W.Y.5
Shi, W.S.6
Wang, N.7
Lee, C.S.8
Wong, N.B.9
Lee, S.T.10
Xie, S.S.11
-
11
-
-
43249084686
-
-
Kim, D. W.; Choi, Y. J.; Choi, K. J.; Park, J. G.; Park, J. H.; Pimenov, S. M.; Frolov, V. D.; Abanshin, N. P.; Gorfinkel, B. I.; Rossukanyi, N. M.; Rukovishnikov, A. I. Nanotechnology 2008, 19, 225706
-
(2008)
Nanotechnology
, vol.19
, pp. 225706
-
-
Kim, D.W.1
Choi, Y.J.2
Choi, K.J.3
Park, J.G.4
Park, J.H.5
Pimenov, S.M.6
Frolov, V.D.7
Abanshin, N.P.8
Gorfinkel, B.I.9
Rossukanyi, N.M.10
Rukovishnikov, A.I.11
-
12
-
-
77952015721
-
-
Zhang, X. N.; Chen, Y. Q.; Xie, Z. P.; Yang, W. Y. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 8251-8255
-
(2010)
J. Phys. Chem. C
, vol.114
, pp. 8251-8255
-
-
Zhang, X.N.1
Chen, Y.Q.2
Xie, Z.P.3
Yang, W.Y.4
-
13
-
-
78650917941
-
-
Li, Z. J.; Ren, W. P.; Meng, A. L. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 263117
-
(2010)
Appl. Phys. Lett.
, vol.97
, pp. 263117
-
-
Li, Z.J.1
Ren, W.P.2
Meng, A.L.3
-
14
-
-
77955572623
-
-
Peng, X. L.; Matheny, M. H.; Zorman, C. A.; Mehregany, M.; Roukes, M. L. Nano Lett. 2010, 10, 2891-2896
-
(2010)
Nano Lett.
, vol.10
, pp. 2891-2896
-
-
Peng, X.L.1
Matheny, M.H.2
Zorman, C.A.3
Mehregany, M.4
Roukes, M.L.5
-
15
-
-
80054909029
-
-
Gao, F. M; Zhang, J. J.; Wang, M. F.; Wei, G. D.; Yang, W. Y. Chem Commun. 2011, 47, 11993-11995
-
(2011)
Chem Commun.
, vol.47
, pp. 11993-11995
-
-
Gao, F.M.1
Zhang, J.J.2
Wang, M.F.3
Wei, G.D.4
Yang, W.Y.5
-
16
-
-
61649085016
-
-
Wu, R. B.; Yang, G. Y.; Gao, M.X.; Li, B. S.; Chen, J. J.; Zhai, R.; Pan, Y. Cryst. Growth Des. 2009, 9, 100-104
-
(2009)
Cryst. Growth Des.
, vol.9
, pp. 100-104
-
-
Wu, R.B.1
Yang, G.Y.2
Gao . M, X.3
Li, B.S.4
Chen, J.J.5
Zhai, R.6
Pan, Y.7
-
17
-
-
70349139990
-
-
Yang, G. Z.; Cui, H.; Sun, Y.; Gong, L.; Chen, J.; Jian, D.; Wang, C. X. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 15969-15973
-
(2009)
J. Phys. Chem. C
, vol.113
, pp. 15969-15973
-
-
Yang, G.Z.1
Cui, H.2
Sun, Y.3
Gong, L.4
Chen, J.5
Jian, D.6
Wang, C.X.7
-
18
-
-
79953758234
-
-
Lin, L. W. Nanoscale 2011, 3, 1582-1591
-
(2011)
Nanoscale
, vol.3
, pp. 1582-1591
-
-
Lin, L.W.1
-
19
-
-
77249132268
-
-
Wang, H. T.; Lin, J.; Yang, W. Y.; Xie, Z. P.; An, L. N. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 2591-2594
-
(2010)
J. Phys. Chem. C
, vol.114
, pp. 2591-2594
-
-
Wang, H.T.1
Lin, J.2
Yang, W.Y.3
Xie, Z.P.4
An, L.N.5
-
20
-
-
33845290289
-
-
Wu., R. B.; Yang, G. Y.; Pan, Y.; Chen, J. J. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2007, 86, 271-274
-
(2007)
Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.
, vol.86
, pp. 271-274
-
-
Wu, R.B.1
Yang, G.Y.2
Pan, Y.3
Chen, J.J.4
-
21
-
-
45849144052
-
-
Chen, J. J.; Yang, G. Y.; Wu, R. B.; Pan, Y.; Lin, J.; Zhai, R.; Wu, L. L. J. Nanosci. Nanotechnol. 2008, 8, 2151-2156
-
(2008)
J. Nanosci. Nanotechnol.
, vol.8
, pp. 2151-2156
-
-
Chen, J.J.1
Yang, G.Y.2
Wu, R.B.3
Pan, Y.4
Lin, J.5
Zhai, R.6
Wu, L.L.7
-
22
-
-
84555179107
-
-
Gao, F. M.; Feng, W.; Wei, G. D.; Zheng, J. J.; Wang, M. F.; Yang, W. Y. CrystEngComm 2012, 14, 488-491
-
(2012)
CrystEngComm
, vol.14
, pp. 488-491
-
-
Gao, F.M.1
Feng, W.2
Wei, G.D.3
Zheng, J.J.4
Wang, M.F.5
Yang, W.Y.6
-
23
-
-
79956047188
-
-
Wu, Z. S.; Deng, S. Z.; Xu, N. S.; Chen, J.; Zhou, J.; Chen, J. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3829-3831
-
(2002)
Appl. Phys. Lett.
, vol.80
, pp. 3829-3831
-
-
Wu, Z.S.1
Deng, S.Z.2
Xu, N.S.3
Chen, J.4
Zhou, J.5
Chen, J.6
-
24
-
-
84862275643
-
-
Liu, Z. Y.; Ci, L. J.; Sort, V.; Phillipp, N. Y. J.; Aken, P. A. V.; Rühle, M.; Yang, J. C. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 23313
-
(2008)
Appl. Phys. Lett.
, vol.93
, pp. 23313
-
-
Liu, Z.Y.1
Ci, L.J.2
Sort, V.3
Phillipp, N.Y.J.4
Aken, P.A.V.5
Rühle, M.6
Yang, J.C.7
-
25
-
-
61549138380
-
-
Wang, H. T.; Xie, Z. P.; Yang, W. Y.; Fang, J. Y.; Yang, W. Y.; Fang, J. Y.; An, L. N. Cryst. Growth Des. 2008, 8, 3893-3896
-
(2008)
Cryst. Growth Des.
, vol.8
, pp. 3893-3896
-
-
Wang, H.T.1
Xie, Z.P.2
Yang, W.Y.3
Fang, J.Y.4
Yang, W.Y.5
Fang, J.Y.6
An, L.N.7
-
26
-
-
79959847885
-
-
Wei, G.; Liu, H. Y.; Shi, C. K.; Gao, F. M.; Zheng, J. J.; Wei, G. D.; Yang, W. Y. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 13063-13068
-
(2011)
J. Phys. Chem. C
, vol.115
, pp. 13063-13068
-
-
Wei, G.1
Liu, H.Y.2
Shi, C.K.3
Gao, F.M.4
Zheng, J.J.5
Wei, G.D.6
Yang, W.Y.7
-
27
-
-
84860295965
-
-
Feng., W.; Ma, J. T.; Yang, W. Y. CrystEngComm 2012, 14, 1210-1212
-
(2012)
CrystEngComm
, vol.14
, pp. 1210-1212
-
-
Feng, W.1
Ma, J.T.2
Yang, W.Y.3
-
28
-
-
33745699663
-
-
Shen, G. Z.; Bando, Y.; Ye, C. H.; Liu, B. D.; Golberg, D. Nanotechnology 2006, 16, 3468-3472
-
(2006)
Nanotechnology
, vol.16
, pp. 3468-3472
-
-
Shen, G.Z.1
Bando, Y.2
Ye, C.H.3
Liu, B.D.4
Golberg, D.5
-
29
-
-
47349133453
-
-
Wu, R. B.; Li, B. S.; Gao, M. X.; Chen, J. J.; Zhu, Q. M.; Pan, Y. Nanotechnology 2008, 19, 335602
-
(2008)
Nanotechnology
, vol.19
, pp. 335602
-
-
Wu, R.B.1
Li, B.S.2
Gao, M.X.3
Chen, J.J.4
Zhu, Q.M.5
Pan, Y.6
-
30
-
-
0141518626
-
-
Zhang, D. Q.; Alkhateeb, A.; Han, H. M.; Mahmood, M.; McIlroy, D. N. Nano Lett. 2003, 3, 983-987
-
(2003)
Nano Lett.
, vol.3
, pp. 983-987
-
-
Zhang, D.Q.1
Alkhateeb, A.2
Han, H.M.3
Mahmood, M.4
McIlroy, D.N.5
-
31
-
-
61449115133
-
-
Han, X. D.; Zheng, S. L.; Zhang, Y. F.; Zheng, K.; Zhang, S. B.; Zhang, Z.; Zhang, X. N.; Liu, X. Q.; Chen, G.; Hao, Y. J.; Guo, X. Y. Nano Lett. 2008, 8, 2258-2264
-
(2008)
Nano Lett.
, vol.8
, pp. 2258-2264
-
-
Han, X.D.1
Zheng, S.L.2
Zhang, Y.F.3
Zheng, K.4
Zhang, S.B.5
Zhang, Z.6
Zhang, X.N.7
Liu, X.Q.8
Chen, G.9
Hao, Y.J.10
Guo, X.Y.11
-
32
-
-
34249002107
-
-
Wu, R. B.; Pan, Y.; Yang, G. Y.; Gao, M. X.; Wu, L. L.; Chen, J. J.; Zhai, R.; Lin, J. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 6233-6237
-
(2007)
J. Phys. Chem. C
, vol.111
, pp. 6233-6237
-
-
Wu, R.B.1
Pan, Y.2
Yang, G.Y.3
Gao, M.X.4
Wu, L.L.5
Chen, J.J.6
Zhai, R.7
Lin, J.8
-
34
-
-
77950255713
-
-
Ghosh, P.; Yusop, M. Z.; Satoh, S.; Subramanian, M.; Hayashi, A.; Hayashi, Y.; Tanemura, M. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 4034-4035
-
(2010)
J. Am. Chem. Soc.
, vol.132
, pp. 4034-4035
-
-
Ghosh, P.1
Yusop, M.Z.2
Satoh, S.3
Subramanian, M.4
Hayashi, A.5
Hayashi, Y.6
Tanemura, M.7
-
36
-
-
13644265609
-
-
Liu, C.; Hu, Z.; Wu, Q.; Wang, X. Z.; Chen, Y.; Sang, H.; Zhu, J. M.; Deng, S. Z.; Xu, N. S. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 1318-1323
-
(2005)
J. Am. Chem. Soc.
, vol.127
, pp. 1318-1323
-
-
Liu, C.1
Hu, Z.2
Wu, Q.3
Wang, X.Z.4
Chen, Y.5
Sang, H.6
Zhu, J.M.7
Deng, S.Z.8
Xu, N.S.9
-
37
-
-
38349148649
-
-
Fang, X.S.; Bando, Y.; Gautam, U. K.; Ye, C. H.; Golberg, D. J. Mater. Chem. 2008, 18, 509-522
-
(2008)
J. Mater. Chem.
, vol.18
, pp. 509-522
-
-
Fang . X, S.1
Bando, Y.2
Gautam, U.K.3
Ye, C.H.4
Golberg, D.5
-
38
-
-
0024749130
-
-
Koumoto, K.; Takeda, S.; Pai, C. H.; Sata, T.; Yanagida, H. J. Am. Ceram. Soc. 1989, 72, 1985-1987
-
(1989)
J. Am. Ceram. Soc.
, vol.72
, pp. 1985-1987
-
-
Koumoto, K.1
Takeda, S.2
Pai, C.H.3
Sata, T.4
Yanagida, H.5
-
39
-
-
28844484557
-
-
Ross, F. M.; Tersoff, T.; Reuter, M. C. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 146104
-
(2005)
Phys. Rev. Lett.
, vol.95
, pp. 146104
-
-
Ross, F.M.1
Tersoff, T.2
Reuter, M.C.3
-
40
-
-
54749130800
-
-
Shim, H. W.; Zhang, Y. F.; Huang, H. C. J. Appl. Phys. 2008, 104, 063511
-
(2008)
J. Appl. Phys.
, vol.104
, pp. 063511
-
-
Shim, H.W.1
Zhang, Y.F.2
Huang, H.C.3
-
41
-
-
33846518136
-
-
Shen, G. Z.; Bando, Y.; Golberg, D. Cryst. Growth Des. 2007, 7, 35-38
-
(2007)
Cryst. Growth Des.
, vol.7
, pp. 35-38
-
-
Shen, G.Z.1
Bando, Y.2
Golberg, D.3
-
42
-
-
61349183782
-
-
Yang, Y. J.; Meng, G. W.; Liu, X. Y.; Zhang, L. D.; Hu, Z.; He, C. Y.; Hu, Y. M. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 20126-20130
-
(2008)
J. Phys. Chem. C
, vol.112
, pp. 20126-20130
-
-
Yang, Y.J.1
Meng, G.W.2
Liu, X.Y.3
Zhang, L.D.4
Hu, Z.5
He, C.Y.6
Hu, Y.M.7
-
43
-
-
79951683405
-
-
Chen, J. J.; Shi, Q.; Tang, W. H. Mater. Chem. Phys. 2011, 126, 655-659
-
(2011)
Mater. Chem. Phys.
, vol.126
, pp. 655-659
-
-
Chen, J.J.1
Shi, Q.2
Tang, W.H.3
|