Oriented silicon carbide nanowires: Synthesis and field emission properties

Advanced Materials

Volumn 12, Issue 16, 2000, Pages 1186-1190

  Pan, Zhengwei ^a   Lai, Hau Ling ^a   Au, Frederick C K ^a   Duan, Xioafeng ^b   Zhou, Weiya ^b   Shi, Wensheng ^a   Wang, Ning ^a   Lee, Chun Sing ^a   Wong, Ning Biu ^a   Lee, Shuit Tong ^a   Xie, Sishen ^b  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL ORIENTATION; CURRENT DENSITY; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRON EMISSION; NANOTUBES; SILICA; SYNTHESIS (CHEMICAL);

FIELD EMISSION PROPERTIES; NANOWIRES;

SILICON CARBIDE;

EID: 0034247955     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-4095(200008)12:16<1186::AID-ADMA1186>3.0.CO;2-F     Document Type: Article

References (29)

1. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
2. R. Tenne, L. Margulis, M. Genut, G. Hodes, Nature 1992, 360, 444.
3. Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Srolovitz, R. Tenne, Science 1995, 267, 222.
4. N. G. Chopra, R. J. Luyken, K. Cherrey, V. H. Crespi, M. L. Cohen, S. G. Louie, A. Zettl, Science 1995, 269, 966.
5. H. J. Dai, E. W. Wong, Y. Z. Lu, S. S. Fan, C. M. Lieber, Nature 1995, 375, 769.
6. W. Q. Han, S. S. Fan, Q. Q. Li, W. J. Liang, B. L. Gu, D. P. Yu, Chem. Phys. Lett. 1997, 265, 374.
7. G. W. Meng, L. D. Zhang, C. M. Mo, S. Y. Zhang, Y. Qin, S. P. Feng, H. J. Li, J. Mater. Res. 1998, 13, 2533.
8. X. T. Zhou, N. Wang, H. L. Lai, H. Y. Peng, I. Bello, N. B. Wong, C. S. Lee, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3942.
9. W. Q. Han, S. S. Fan, Q. O. Li, Y. D. Hu, Science 1997, 277, 1287.
10. A. M. Morales, C. M. Lieber. Science 1998, 279, 208.
11. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1835.
12. E. W. Wong, P. E. Sheehan, C. M. Lieber, Science 1995, 277, 1171.
13. W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian, B. H. Chang, B. S. Zhou, W. Y. Zhou, R. A. Zhao, G. Wang, Science 1996, 274, 1701.
14. Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang, C. Y. Wang, L. Lu, W. Liu, W. Y. Zhou, W. Z. Li, L. X. Qian, Nature 1998, 394, 631.
15. Z. W. Pan, S. S. Xie, B. H. Chang, L. F. Sun, W. Y. Zhou, G. Wang, Chem. Phys. Lett. 1999, 290, 97.
16. W. A. de Heer, A. Chatelain, D. Ugarte. Science 1995, 270, 1179.
17. A. G. Rinzeler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, L. Lou, S. G. Kim, D. Tomanek, P. Nordlander, D. T. Colbert, R. E. Smalley, Science 1995, 269, 1550.
18. Q. H. Wang, T. D. Corrigan, J. Y. Dai, R. P. H. Chang, A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 3308.
19. P. G. Collins, A. ZettI. Phys. Rev. B 1997, 55, 391.
20. S. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. J. Dai. Science 1998, 283, 512.
21. X. P. Xu, G. R. Brandes, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2549.
22. J. M. Bonard, J. P. Salvetat, T. Stockli, L. Foro, A. Chatelain, Appl. Phys. A 1999, 69, 245.
23. Y. Satio, K. Hamaguchi, K. Hata, K. Tohji, A. Kasuya, Y. Nishina, K. Uchida, Y. Tasaka, F. Ikazaki, M. Yumura, Ultramicroscopy 1998, 73, 1.
24. I. Brodie, C. A. Spindt, Adv. Electron. Electron Phys. 1992, 83, 1.
25. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, L. Seibles, J. Vac. Sci. Technol. B 1996, 14, 2011.
26. M. W. Geis, J. C. Twichell, J. Macaulay, K. Okano, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1328.
27. K. Okano, S. Koizumi, S. R. P. Silva, G. A. J. Amaratunga, Nature 1996, 381, 140.
28. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, Science 1998, 282, 1471.
29. R. H. Fowler, L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London (Ser. A) 1928, 119, 173.