Structural and photoelectrochemical properties of gap nanowires annealed in NH3

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 45, 2011, Pages 22652-22661

  Wen, Wen ^a   Carim, Azhar I ^a   Collins, Sean M ^a   Price, Michelle J ^a   Peczonczyk, Sabrina L ^a   Maldonado, Stephen ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING CONDITION; DATA SETS; DIFFUSE REFLECTANCE; DIFFUSE REFLECTANCE MEASUREMENTS; N INCORPORATION; NANOWIRE FILMS; PHOTO-ELECTRODES; PHOTOELECTROCHEMICAL MEASUREMENTS; PHOTOELECTROCHEMICAL PROPERTIES; PHOTORESPONSES; RAMAN MEASUREMENTS; SYMMETRY REDUCTION; VISIBLE LIGHT; ZINC-BLENDE LATTICES;

ANNEALING; DIFFRACTION; ELECTROCHEMISTRY; ENERGY CONVERSION; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; GALLIUM PHOSPHIDE; OPTICAL PROPERTIES; REFLECTION; SEMICONDUCTING GALLIUM; SOLAR ENERGY; X RAY DIFFRACTION;

NANOWIRES;

EID: 80955149275     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp208058h     Document Type: Article

References (57)

1. Bard, A. J.; Faulkner, L. R. Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications, 2 nd ed.; John Wiley & Sons, Inc.: New York, 2001.
2. Heller, A.; Chang, K. C.; Miller, B. J. Am. Chem. Soc. 1978, 100, 684
3. Fujishima, A.; Honda, K. Nature 1972, 238, 37
4. Turner, J. A. Science 1999, 285, 687
5. Bolton, J. R.; Strickler, S. J.; Connolly, J. S. Nature 1985, 316, 495
6. Semiconductor Electrodes; Finklea, H. O., Ed.; Elsevier: Amsterdam, 1988.
7. Aspnes, D. E.; Studna, A. A. Phys. Rev. B 1983, 27, 985
8. Price, M. J.; Maldonado, S. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 11988
9. Hagedorn, K.; Collins, S.; Maldonado, S. J. Electrochem. Soc. 2010, 157, D588
10. Deutsch, T. G.; Koval, C. A.; Turner, J. A. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 25297
11. Maiolo, J. R., III; Kayes, B. M.; Filler, M. A.; Putnam, M. C.; Kelzenberg, M. D.; Atwater, H. A.; Lewis, N. S. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 12346
12. Garnett, E.; Yang, P. Nano Lett. 2010, 10, 1082
13. Sukegawa, T.; Katsuno, H.; Kawaguchi, S.; Kimura, M.; Tanaka, A. Appl. Surf. Sci. 1997, 117/118, 536
14. Seo, H. W.; Bae, S. Y.; Park, J.; Yang, H.; Kang, M.; Kim, S.; Park, J. C.; Lee, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3752
15. Berg, R. S.; Yu, P. Y. Phys. Rev. B 1987, 35, 2205
16. Santos, M. P. D.; Hirlimann, C. Phys. Status Solidi B 1988, 147, 779
17. Hon, D. T.; Faust, W. L.; Spitzer, W. G.; Williams, P. F. Phys. Rev. Lett. 1970, 25, 1184
18. Gaur, S. P.; Vetelino, J. F.; Mitra, S. S. J. Phys. Chem. Solids 1971, 32, 2737
19. Faulkner, R. A. Phys. Rev. 1968, 175, 991
20. Santos, M. P. D.; Hirlimann, C.; Balkanski, M. Physica 1983, 117B & 118B, 108
21. Muskens, O. L.; Rivas, J. G.; Algra, R. E.; Bakkers, E. P. A. M.; Lagendijk, A. Nano Lett. 2008, 8, 2638
22. Schuurmans, F. J. P.; Vanmaekelbergh, D.; Lagemaat, J. v. d.; Lagendijk, A. Science 1999, 284, 141
23. Xiong, Q.; Gupta, R; Adu, K. W.; Dickey, E. C.; Lian, G. D.; Tham, D.; Fischer, J. E.; Eklund, P. C. J. Nanosci. Nanotechnol. 2003, 3, 335
24. Pyshkin, S. L.; Ballato, J.; Chumanov, G. J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 2007, 9, 33
25. Gupta, R.; Xiong, Q.; Mahan, G. D.; Eklund, P. C. Nano Lett. 2003, 3, 1745
26. Chapelle, M. L. d. l.; Han, H. X.; Tang, C. C. Eur. Phys. J. B 2005, 46, 507
27. Raman Scattering in Materials Science; Weber, W. H.; Merlin, R., Eds.; Springer: Berlin, 2000.
28. Galtier, P.; Martinez, G. Phys. Rev. B 1988, 38, 10542
29. Sushchinsky, M. M.; Gorelik, V. S.; Maximov, O. P. J. Raman Spectrosc. 1978, 7, 26
30. Pödör, B. Phys. Status Solidi B 1983, 120, 207
31. Kozawa, T.; Kachi, T.; Kano, H.; Taga, Y.; Hashimoto, M.; Koide, N.; Manabe, K. J. Appl. Phys. 1994, 75, 1098
32. Wu, J.; Zhang, D.; Lu, Q.; Gutierrez, H. R.; Eklund, P. C. Phys. Rev. B 2010, 81, 165415(1)
33. Johansson, J.; Karlsson, L. S.; Svensson, C. P. T.; Martensson, T.; Wacaser, B. A.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Seifert, W. Nat. Mater. 2006, 5, 574
34. Algra, R. E.; Verheijen, M. A.; Feiner, L.-F.; Immink, G. G. W.; Theissmann, R.; Enckevort, W. J. P. v.; Vlieg, E.; Bakkers, E. P. A. M. Nano Lett. 2010, 10, 2349
35. Verheijen, M. A.; Immink, G.; Smet, T. d.; Borgström, M. T.; Bakkers, E. P. A. M. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1353
36. Maeda, K.; Teramura, K.; Saito, N.; Inoue, Y.; Domen, K. Bull. Chem. Soc. Jpn. 2007, 80, 1004
37. Egelhoff, W. F. Surf. Sci. 1984, 141, L324
38. Mi, L.; Xu, P.; Wang, P. N. Appl. Surf. Sci. 2008, 255, 2574
39. Cheung, S. H.; Nachimuthu, P.; Joly, A. G.; Engelhard, M. H.; Bowman, M. K.; Chambers, S. A. Surf. Sci. 2007, 601, 1754
40. Valentin, C. D.; Pacchioni, G.; Selloni, A.; Livraghi, S.; Giamello, E. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 11414
41. Mukherjee, J.; Erickson, B.; Maldonado, S. J. Electrochem. Soc. 2010, 157, H487
42. Strehlow, W. H.; Cook, E. L. J. Phys. Chem. Ref. Data 1973, 2, 163
43. Kayes, B. M.; Atwater, H. A.; Lewis, N. S. J. Appl. Phys. 2005, 97, 114302 1
44. Spurgeon, J. M.; Atwater, H. A.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 6186
45. Mohai, M.; Bertoti, I. Surf. Interface Anal. 2004, 36, 805
46. Jackson, M. P.; Halsall, M. P.; Güngerich, M.; Klar, P. J.; Heimbrodt, W.; Geisz, J. F. Phys. Status Solidi B 2007, 244, 336
47. Vorlíček, V.; Gregora, I.; Riede, V.; Neumann, H. J. Phys. Chem. Solids 1988, 49, 797
48. Kaneko, M.; Hashizume, T.; Odnoblyudov, V. A.; Tu, C. W. J. Appl. Phys. 2007, 101, 103707 1
49. Pulzara-Mora, A.; Meléndez-Lira, M.; Jiménez-Sandoval, S.; Lopez-Lopez, M. Vacuum 2006, 80, 468
50. Yoon, S; Seong, M. J.; Geisz, J. F.; Duda, A.; Mascarenhas, A. Phys. Rev. B 2003, 67, 235209 1
51. Ramsteiner, M.; Jiang, D. S.; Harris, J. S.; Ploog, K. H. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1859
52. Cheong, H. M.; Zhang, Y.; Mascarenhas, A.; Geisz, J. F. Phys. Rev. B 2000, 61, 13687
53. Bi, W. G.; Tu, C. W. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3710
54. Miyoshi, S.; Yaguchi, H.; Onabe, K.; Ito, R. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 3506
55. Baillargeon, J. N.; Cheng, K. Y.; Hofler, G. E.; Pearah, P. J.; Hsieh, K. C. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 2540
56. Hagedorn, K.; Forgacs, C.; Collins, S.; Maldonado, S. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 12010
57. Mukherjee, J.; Peczonczyk, S.; Maldonado, S. Langmuir 2010, 26, 10890