Adsorption and diffusion of 3d transition metal atoms on the GaN(0001) surface

Journal of Applied Physics

Volumn 110, Issue 8, 2011, Pages

  González Hernández, Rafael ^a   López Pérez, William ^a   Guadalupe Moreno Armenta, Mara ^b   Arbey Rodríguez M, Jairo ^c  

^a UNIVERSIDAD DEL NORTE   (Colombia)

^b UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO   (Mexico)

^c UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA   (Colombia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

3D TRANSITION METALS; ADATOM DIFFUSION; ADSORPTION ENERGIES; BOND FORMATION; COMPARATIVE STUDIES; CR ATOMS; DENSITY OF STATE; FIRST-PRINCIPLES; HALF-METALLIC CHARACTERS; HIGH EFFICIENCY; HOLLOW SITES; MN ATOMS; PLANE WAVE; SEMICONDUCTOR BEHAVIOR; SPIN INJECTION DEVICES; SPIN-POLARIZED; STABLE ADSORPTION; SURFACE ALLOYS; ULTRASOFT PSEUDOPOTENTIALS;

ADATOMS; ADSORBATES; ADSORPTION; BEHAVIORAL RESEARCH; CALCULATIONS; CHEMICAL BONDS; CHROMIUM; COBALT; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; DIFFUSION; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; IRON ALLOYS; MAGNETIC MOMENTS; MANGANESE; SEMICONDUCTOR DEVICES; VANADIUM;

ATOMS;

EID: 80655128657     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3653822     Document Type: Article

References (50)

1. S. Nakamura, Solid State Commun. 102, 237 (1997). 10.1016/S0038-1098(96) 00722-3
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995). 10.1063/1.114359
3. M. Souissi, A. Bchetnia, and B. E. Jani, J. Cryst. Growth 277, 57 (2005). 10.1016/j.jcrysgro.2005.01.070
4. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000). 10.1126/science.287.5455.1019
5. K. Sato, P. H. Dederics, and H. Katayama-Yoshida, Europhys. Lett. 3, 403 (2003). 10.1209/epl/i2003-00191-8
6. A. Bonanni, Semicond. Sci. Technol. 22, R41 (2007). 10.1088/0268-1242/22/ 9/R01
7. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001). 10.1063/1.1419231
8. H. X. Liu, S. Y. Wu, R. K. Singh, L. Gu, D. J. Smith, N. Newman, N. R. Dilley, L. Montes, and M. B. Simmonds, Appl. Phys. Lett. 85, 4076 (2003). 10.1063/1.1812581
9. S. Dhar, L. Perez, O. Brandt, A. Trampert, K. H. Ploog, J. Keller, and B. Beschoten, Phys. Rev. B 72, 245203 (2005). 10.1103/PhysRevB.72.245203
10. X. Y. Cui, B. Delley, A. J. Freeman, and C. Stampfl, Phys. Rev. Lett. 97, 016402 (2006). 10.1103/PhysRevLett.97.016402
11. R. Q. Wu, G. W. Peng, L. Liu, Y. P. Feng, Z. G. Huang, and Q. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 062505 (2006). 10.1063/1.2335773
12. T. Jungwirth, J. Sinova, J. Masek, J. Kucera, and A. H. MacDonald, Rev. Mod. Phys. 78, 809 (2006). 10.1103/RevModPhys.78.809
13. S. Kuwabara, K. Ishii, S. Haneda, T. Kondo, and H. Munekata, Physics E (Amsterdam) 10, 233 (2001).
14. W. Kim, H. J. Kang, S. K. Noh, J. Song, and C. S. Kim, J. Magn. Magn. Mater. 316, e199 (2007). 10.1016/j.jmmm.2007.04.025
15. M. Souissi, Z. Chine, A. Bchetnia, H. Touati, and B. El Jani, Microelectron. J. 37, 1 (2006). 10.1016/j.mejo.2005.06.016
16. M. Souissi, H. Touati, A. F. A. Bchetnia, and B. E. Jani, Microelectron. J. 139, 1521 (2008). 10.1016/j.mejo.2008.04.004
17. J. S. Lee, J. D. Lim, Z. G. Khim, Y. D. Park, S. J. Pearton, and S. N. G. Chu, J. Appl. Phys. 93, 4512 (2003). 10.1063/1.1561587
18. S. Kimura, S. Emura, K. Tokuda, Y. K. Zhou, S. Hasegawa, and H. Asahi, J. Cryst. Growth 311, 2046 (2009). 10.1016/j.jcrysgro.2008.11.008
19. A. Wolos, M. Palczewska, M. Zajac, J. Gosk, M. Kaminska, A. Twardowski, M. Bockowski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. B 69, 115210 (2004). 10.1103/PhysRevB.69.115210
20. V. A. Guzenko, N. Thillosen, A. Dahmen, R. Calarco, T. Schapers, L. Houben, M. Luysberg, B. Schineller, M. Heuken, and A. Kaluza, J. Appl. Phys. 96, 5663 (2004). 10.1063/1.1805718
21. W. Stefanowicz, D. Sztenkiel, B. Faina, A. Grois, M. Rovezzi, T. Devillers, F. d'Acapito, A. Navarro-Quezada, T. Li, R. Jakiela, M. Sawicki, T. Dietl, and A. Bonanni, Phys. Rev. B 81, 235210 (2010). 10.1103/PhysRevB.81. 235210
22. A. Navarro-Quezada, W. Stefanowicz, T. Li, B. Faina, M. Rovezzi, R. T. Lechner, T. Devillers, F. d'Acapito, G. Bauer, M. Sawicki, T. Dietl, and A. Bonanni, Phys. Rev. B 81, 205206 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.205206
23. A. Bonanni, M. Kiecana, C. Simbrunner, T. Li, M. Sawicki, M. Wegscheider, M. Quast, H. Przybylinska, A. Navarro-Quezada, R. Jakiela, A. Wolos, W. Jantsch, and T. Dietl, Phys. Rev. B 75, 125210 (2007). 10.1103/PhysRevB.75. 125210
24. Y. Lin, C. Lee, S. Chang, and H. Chang, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 095107 (2008). 10.1088/0022-3727/41/9/095107
25. J. H. Lee, I. H. Choi, S. Shin, S. Lee, J. Lee, C. Whang, S. C. Lee, K. R. Lee, J. H. Baek, K. H. Chae, and J. Song. Appl. Phys. Lett. 90, 032504 (2007). 10.1063/1.2431765
26. E. Lu, D. C. Ingram, A. R. Smith, J. W. Knepper, and F. Y. Yang, Phys. Rev. Lett. 97, 146101 (2006). 10.1103/PhysRevLett.97.146101
27. K. Wang, N. Takeuchi, A. V. Chinchore, W. Lin, Y. Liu, and A. R. Smith, Phys. Rev. B 83, 165407 (2011). 10.1103/PhysRevB.83.165407
28. K. He, L. Y. Ma, X. C. Ma, J. F. Jia, and Q. K. Xue, Appl. Phys. Lett. 88, 232503 (2006). 10.1063/1.2210792
29. C. Gao, O. Brandt, S. C. Erwin, J. Lahnemann, U. Jahn, B. Jenichen, and H. P. Schonherr, Phys. Rev. B 82, 125415 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.125415
30. H. D. Li, G. H. Zhong, H. Q. Lin, and M. H. Xie, Phys. Rev. B 81, 233302 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.233302
31. T. Zywietz, J. Neugebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 73, 487 (1998). 10.1063/1.121909
32. T. Zywietz, J. Neugebauer, M. Scheffler, J. Northrup, and C. G. V. de Walle, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 26 (1998).
33. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys 73, 189 (1993). 10.1063/1.353882
34. R. Meijers, R. Calarco, N. Kaluza, H. Hardtdegen, M. Ahe, H. Bay, H. Luth, M. Buchmeier, and D. Burgler, J. Cryst. Growth 283, 500 (2005). 10.1016/j.jcrysgro.2005.06.004
35. Q. K. Xue, Q. Z. Xue, R. Z. Bakhtizin, Y. Hasegawa, I. S. T. Tsong, T. Sakurai, and T. Ohno, Phys. Rev. Lett. 82, 3074 (1999). 10.1103/PhysRevLett.82. 3074
36. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996). 10.1103/PhysRevLett.77.3865
37. R. Hafner, D. Spisak, R. Lorenz, and J. Hafner, Phys. Rev. B 65, 184432 (2002). 10.1103/PhysRevB.65.184432
38. K. Laasonen, A. Pasquarello, R. Car, C. Lee, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B. 47, 10142 (1993). 10.1103/PhysRevB.47.10142
39. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G. L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. de Gironcoli, S. Fabris, G. Fratesi, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, and R. Wentzcovitch, J. Phys.: Condens. Matter 21, 395502 (2009). 10.1088/0953-8984/21/39/395502
40. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B. 13, 5188 (1976). 10.1103/PhysRevB.13.5188
41. M. Methfessel and A. T. Paxton, Phys. Rev. B. 40, 3616 (1989). 10.1103/PhysRevB.40.3616
42. A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 045208 (2001). 10.1103/PhysRevB.64.045208
43. P. O. Lwdin, J. Chem. Phys. 18, 365 (1950). 10.1063/1.1747632
44. S. Gautier, P. Komninou, P. Patsalas, T. Kehagias, S. Logothetidis, C. A. Dimitriadis, and G. Nouet, Semicond. Sci. Technol. 18, 594 (2003). 10.1088/0268-1242/18/6/334
45. V. Rawat and T. Sands, Appl. Phys. Lett. 100, 064901 (2006).
46. S. Pookpanratana, R. France, M. Bar, L. Weinhardt, O. Fuchs, M. Blum, W. Yang, J. D. Denlinger, T. D. Moustakas, and C. Heske, Appl. Phys. Lett. 93, 172106 (2008). 10.1063/1.2992199
47. Y. K. Zhou, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa, and H. Asahi, J. Phys.: Condens. Matter 21, 064219 (2009). 10.1088/0953-8984/21/6/064219
48. V. M. Bermudez, R. Kaplan, M. A. Khan, and J. N. Kuznia, Phys. Rev. B. 48, 2436 (1993). 10.1103/PhysRevB.48.2436
49. H. C. Kang, S. H. Seo, H. W. Jang, D. H. Kim, and D. Y. Noh, Appl. Phys. Lett. 83, 2139 (2003). 10.1063/1.1610248
50. N. Yong-Ik and L. Byung-Teak, Semicond. Sci. Technol. 26, 085104 (2011).