Two-step formation of gallium droplets with high controllability of size and density

Crystal Growth and Design

Volumn 11, Issue 10, 2011, Pages 4647-4651

  Jo, Masafumi ^a   Mano, Takaaki ^a   Sakoda, Kazuaki ^a,b  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GAAS; HIGH TEMPERATURE; LOW DENSITY; LOW TEMPERATURES; PRECISE CONTROL; SINGLE DOT SPECTROSCOPY;

GALLIUM;

DROPS;

EID: 80053494553     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg200930v     Document Type: Article

References (24)

1. Shields, A. J. Nat. Photonics 2007, 1, 215
2. Kuroda, T.; Abbarchi, M.; Mano, T.; Watanabe, K.; Yamagiwa, M.; Kuroda, K.; Sakoda, K.; Kido, G.; Koguchi, N.; Mastrandrea, C.; Cavigli, L.; Gurioli, M.; Ogawa, Y.; Minami, F. Appl. Phys. Exp. 2008, 1, 042001
3. Zwiller, V.; Blom, H.; Jonsson, P.; Panev, N.; Jeppesen, S.; Tsegaye, T.; Goobar, E.; Pistol, M. E.; Samuelson, L.; Bjork, G. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2476
4. Akopian, N.; Lindner, N. H.; Poem, E.; Berlatzky, Y.; Avron, J.; Gershoni, D.; Gerardot, B. D.; Petroff, P. M. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 130501
5. Kamiya, I.; Tanaka, I.; Ohtsuki, O.; Sakaki, H. Physica E 2002, 13, 1172
6. Ohmori, M.; Kawazu, T.; Torii, K.; Takahashi, T.; Sakaki, H. Appl. Phys. Exp. 2008, 1, 061202
7. Alloing, B.; Zinoni, C.; Li, L. H.; Fiore, A.; Patriarche, G. J. Appl. Phys. 2007, 101, 024918
8. Trevisi, G.; Seravalli, L.; Frigeri, P.; Franchi, S. Nanotechnology 2009, 20, 415607
9. Dupuy, E.; Regreny, P.; Robach, Y.; Gendry, M.; Chauvin, N.; Tranvouez, E.; Bremond, G.; Bru-Chevallier, C.; Patriarche, G. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 123112
10. Ugur, A.; Hatami, F.; Masselink, W. T.; Vamivakas, A. N.; Lombez, L.; Atature, M. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 143111
11. Alonso-González, P.; Alén, B.; Fuster, D.; González, Y.; González, L.; Martínez-Pastor, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 163104
12. Koguchi, N.; Takahashi, S.; Chikyow, T. J. Cryst. Growth 1991, 111, 688
13. Koguchi, N.; Ishige, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 2052
14. Watanabe, K.; Koguchi, N.; Gotoh, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L79
15. Mano, T.; Kuroda, T.; Sanguinetti, S.; Ochiai, T.; Tateno, T.; Kim, J.; Noda, T.; Kawabe, M.; Sakoda, K.; Kido, G.; Koguchi, N. Nano Lett. 2005, 5, 425
16. Lee, J. H.; Wang, Z. M.; AbuWaar, Z. Y.; Salamo, G. J. Cryst. Growth Des. 2009, 715
17. Mano, T.; Kuroda, T.; Mitsuishi, K.; Nota, T.; Sakoda, K. J. Cryst. Growth 2009, 311, 1828
18. Heyn, C.; Stemmann, A.; Schramm, A.; Welsch, H.; Hansen, W. Phys. Rev. B 2007, 76, 075317
19. AbuWaar, Z. Y.; Wang, Zh. M.; Lee, J. H.; Salamo, G. J. Nanotechnology 2006, 17, 4037
20. Jo, M.; Mano, T.; Sakoda, K. Appl. Phys. Exp. 2010, 3, 045502
21. Ohtake, A.; Kocán, P.; Seino, K.; Schmidt, W. G.; Koguchi, N. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 266101
22. Ohtake, A.; Kocán, P.; Nakamura, J.; Natori, A.; Koguchi, N. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 236105
23. Mantovani, V.; Sanguinetti, S.; Guzzi, M.; Grilli, E.; Gurioli, M.; Watanabe, K.; Koguchi, N. J. Appl. Phys. 2004, 96, 4416
24. Ohtake, A. Surf. Sci. Rep. 2008, 63, 295