Patterning of flexible transparent thin-film transistors with solution-processed ZnO using the binary solvent mixture

Advanced Functional Materials

Volumn 21, Issue 18, 2011, Pages 3546-3553

  Kim, Kyongjun ^a   Park, Siyun ^a   Seon, Jong Baek ^a,c   Lim, Keon Hee ^a   Char, Kookheon ^b   Shin, Kyusoon ^b   Kim, Youn Sang ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Seoul National University   (South Korea)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

binary solvent mixture; flexible electronics; selective patterning; solution processed ZnO thin films; transparent thin film transistors (TTFT)

Indexed keywords

BINARY SOLVENT MIXTURES; BOND BREAKAGE; CROSSTALK NOISE; CURRENT LEAKAGE; DRIVING FORCES; DRYING PROCESS; FILM PERFORMANCE; PATTERNING METHODS; POROUS STRUCTURES; SELECTIVE PATTERNING; SEMICONDUCTOR FILMS; SOLUTION-PROCESSED; TRANSPARENT ELECTRONICS; TRANSPARENT THIN FILM TRANSISTOR; ZNO; ZNO THIN FILM;

ESTERS; FLEXIBLE ELECTRONICS; METALLIC FILMS; METHANOL; MIXTURES; OPTICAL FILMS; ORGANIC SOLVENTS; OXIDE FILMS; PHOTOLITHOGRAPHY; PRINTING; SOLVENTS; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; TOLUENE; ZINC OXIDE;

TRANSISTORS;

EID: 80053033384     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201100323     Document Type: Article

References (35)

1. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, H. Morkoc, Appl. Phys. Rev. 2005, 98, 041301.
2. K. Ip, G. T. Thaler, Hyucksoo Yang, Sang Youn Han, Yuanjie Li, D. P. Norton, S.J. Pearton, Soowhan Jang, F. Ren, J. Cryst. Growth. 2006, 287, 149.
3. Myung-Gil Kim, Hyun Sung Kim, Young-Geun Ha, Jiaqing He, Mercouri G. Kanatzidis, Antonio Facchetti, Tobin J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 10352.
4. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, M. Kawasaki, Nat. Mater. 2005, 4, 42.
5. Z. Jin, T. Fukumura, M. Kawasaki, K. Ando, H. Saito, T. Sekiguchi, Y. Z. Yoo, M. Murakami, Y. Matsumoto, T. Hasegawa, H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 24.
6. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, J. P. Li, C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 18.
7. X. Jiang, L. Wong, M. K. Fung, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 9.
8. T. Minami, T. Miyata, T. Yamamoto, J. Vac. Sci. Technol. 1999, A 17.4.
9. B. Lin, Z. Fu, Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 2001, 790, 7.
10. X. W. Sun, J. X. Wang, Nano Lett. 2008, 8, 7.
11. H. Rensmo, K. Keis, H. Lindstrom, S. So1dergren, A. Solbrand, A. Hagfeldt, S.-E. Lindquist, J. Phys. Chem. B. 1997, 101, 2598.
12. J. Meyer, P. Görrn, S. Hamwi, H.-H. Johannes, T. Riedl, W. Kowalsky, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 073308.
13. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature 2004, 432, 25.
14. S. T. Meyers, J. T. Anderson, C. M. Hung, J. Thompson, J. F. Wager, D. A. Keszler, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 51.
15. J. Chang, H. Sirringhaus, Adv. Mater. 2009, 21, 2530.
16. P. Gorrn, F. Ghaffari, T. Riedl, W. Kowalsky, Solid-State Electronics. 2009, 53, 329.
17. H. S. Shin, G. H. Kim, W. H. Jeong, B. D. Ahn, H. J. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 03CB01.
18. M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 212114.
19. S. Yoon, S. K. Park, C. Hwang, H. Y. Chu, K. I. Cho, Electrochem. Solid-State Lett. 2008, 11, J15.
20. S. H. K. Park, D. H. Cho, C. S. Hwang, S. Yang, M. K. Ryu, C. W. Byun, S. M. Yoon, W. S. Cheong, K. I. Cho, J. H. Jeon, ETRI J. 2009, 31, 653.
21. K. Song, J. Noh, T. Jun, Y. Jung, H. Kang, J. Moon, Adv. Mater. 2010, 22, 4308.
22. B. S. Ong, C. Li, Y. Li, Y. Wu R. Loutfy, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 2750.
23. S. Jeong, Y. Ha, J. Moon, A. Facchetti, T. J. Marks, Adv. Mater. 2010, 22, 1346.
24. K. K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R. L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard, H. Sirringhaus, Nat. Mater. 2011, 10, 45.
25. H. Sirringhaus, T. Kawase, R. H. Friend, T. Shimoda, M. Inbasekaran, W. Wu, E. P. Woo, Science 2000, 290, 2123.
26. M. George, R. G. Weiss, Langmuir 2002 18, 7124.
27. S. Yamabi, H. Imai, J. Mater. Chem. 2002, 12, 3773.
28. G. R. Krishnan, J. Thomas, K. Sreekumar, ARKIVOC 2009, 10, 106.
29. R. W. Schwartz, M. Narayanan, Chemical Solution Deposition-Basic Principles, In: Solution Processing of Inorganic Materials, (Ed:, D. B. Mitzi,) John Wiley & Sons, New York, 2009, 33.
30. U. Zschieschang, F. Ante, T. Yamamoto, K. Takimiya, H. Kuwabara, M. Ikeda, T. Sekitani, T. Someya, K. Kern, H. Klauk et al, Adv. Mater. 2010, 22, 982.
31. S. Jeong, G. Xia, B. H. Kim, D. O. Shin, S. Kwon, S. Kang, S. O. Kim, Adv. Mater. 2008, 20, 1898.
32. C. Kim, J. Park, S. Kim, I. Song, S. Kim, Y. Park, E. Lee, B. Anass, J. Park, Electrochem. Solid-State Lett. 2009, 12, H95.
33. S. K. Park, Y. Kim, J. Han, J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 125102.
34. J. Kim, S. H. Lim, Y. S. Kim, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 14721.
35. J. H. Cho, J. Lee, Y. Xia, B. S. Kim, Y. He, M. J. Renn, T. P. Lodge, C. D. Frisbie, Nat. Mater. 2008, 7, 900.