Fabrication of oxide TFTs with Al2 O3 /ZnO gate stacks patterned using a dry etching method

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 11, Issue 2, 2008, Pages

  Yoon, Sung Min ^a   Park, Sang Hee Ko ^a   Hwang, Chi Sun ^a   Chu, Hye Yong ^a   Cho, Kyoung Ik ^a  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; DRY ETCHING; GAS MIXTURES; HELICONS; ZINC OXIDE;

DRY ETCHING SYSTEMS; ETCHING GAS MIXTURES; FIELD EFFECT MOBILITY; HELICON PLASMA;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 37549034283     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2817483     Document Type: Article

References (19)

1. P. Gorrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kroger, E. Becker, H. -H. Johannes, W. Kowalsky, and T. Riedl, Adv. Mater., 18, 738 (2006). 0935-9648
2. J. F. Wager, Science 0036-8075 10.1126/science.1085276, 300, 1245 (2003).
3. E. M. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gocalves, A. J. S. Marques, L. M. N. Pereira, and R. F. P. Marins, Adv. Mater., 17, 590 (2005). 0935-9648
4. P. F. Carcia, R. S. McLean, and M. H. Reilly, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2188379, 88, 123509 (2006).
5. K. Lee, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2162668, 88, 023504 (2006).
6. R. B. M. Cross and M. M. De Souza, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2425020, 89, 263513 (2006).
7. H. -H. Hsieh and C. -C. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2235895, 89, 041109 (2006).
8. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.42.L347, 42, L347 (2003).
9. S. H. Ko Park, C. S. Hwang, H. S. Kwack, S. Y. Kang, J. H. Lee, and H. Y. Chu, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2005, 1564.
10. C. S. Hwang, S. H. Ko Park, and H. Y. Chu, Tech. Dig.-Int. Display Workshop (IDW), 2005, 1149.
11. H. -H. Hsieh and C. -C. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2753724, 91, 013502 (2007).
12. J. M. Lee, K. -M. Chang, K. -K. Kim, W. -K. Choi, and S. -J. Park, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1344554, 148, G1 (2001).
13. W. Lim, L. Voss, R. Khanna, B. P. Gila, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Surf. Sci., 253, 889 (2006). 0169-4332
14. S. -W. Na, M. H. Shin, Y. M. Chung, J. G. Han, and N. -E. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.1894420, 23, 898 (2005).
15. K. Ip, K. H. Baik, M. E. Overberg, E. S. Lambers, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1519095, 81, 3546 (2002).
16. H. -K. Kim, J. W. Bae, T. -K. Kim, K. -K. Kim, T. -Y. Seong, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1575250, 21, 1273 (2003).
17. M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2742790, 90, 212114 (2007).
18. W. P. Witt and R. F. Barraow, Trans. Faraday Soc., 55, 730 (1959). 0014-7672
19. S. H. Ko Park, C. S. Hwang, H. S. Kwack, S. Y. Kang, J. H. Lee, and H. Y. Chu, Tech. Dig. - Int. Meet. Information Display (IMID), 2007, 1249.