Graphene transistors are insensitive to pH changes in solution

Nano Letters

Volumn 11, Issue 9, 2011, Pages 3597-3600

  Fu, Wangyang ^a   Nef, Cornelia ^a   Knopfmacher, Oren ^a   Tarasov, Alexey ^a   Weiss, Markus ^a   Calame, Michel ^a   Schönenberger, Christian ^a  

^a UNIVERSITY OF BASEL   (Switzerland)

Author keywords

field effect transistor (FET); Graphene; ion sensitive FET (ISFET)

Indexed keywords

AQUEOUS ELECTROLYTE; FLUOROBENZENE; GRAPHENE TRANSISTORS; ION-SENSITIVE FETS; PH CHANGE; REFERENCE ELECTRODES; SI-BASED; STRONG CONTRAST; TRANSFER CHARACTERISTICS;

MESFET DEVICES; PH EFFECTS; TRANSISTORS;

GRAPHENE;

ALUMINUM OXIDE; BUFFER; COPPER; FLUOROBENZENE; GRAPHITE; ION; NANOPARTICLE;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTROCHEMISTRY; ELECTRODE; GENETIC PROCEDURES; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; OPTICS; PH; TEMPERATURE;

ALUMINUM OXIDE; BIOSENSING TECHNIQUES; BUFFERS; COPPER; ELECTROCHEMISTRY; ELECTRODES; FLUOROBENZENES; GRAPHITE; HYDROGEN-ION CONCENTRATION; IONS; NANOPARTICLES; NANOTECHNOLOGY; OPTICS AND PHOTONICS; TEMPERATURE;

EID: 80052821282     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl201332c     Document Type: Article

References (30)

1. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Girsov, A. A. Science 2004, 306, 666-669
2. Das Sarma, S.; Adam, S.; Hwang, E. H.; Rossi, E. Rev. Mod. Phys. 2011, 83, 407-470
3. Li, X. S.; Cai, W. W.; An, J.; Kim, S.; Nah, J.; Yang, D. X.; Piner, R.; Velamakanni, A.; Jung, I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Science 2009, 324, 1312-1314
4. Li, X. S.; Zhu, Y. W.; Cai, W. W.; Borysiak, M.; Han, B.; Chen, D.; Piner, R. D.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Nano Lett. 2009, 9, 4359-4363
5. Bae, S.; Kim, H.; Lee, Y.; Xu, X. F.; Park, J. S.; Zheng, Y.; Balakrishnan, J.; Lei, T.; Kim, H. R.; Song, Y. I.; Kim, Y. J.; Kim, K. S.; Özyilmaz, B.; Ahn, J. H.; Hong, B. H.; Iijima, S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574-578
6. Bhaviripudi, S.; Jia, X. T.; Dresselhaus, M. S.; Kong, J. Nano Lett. 2010, 10, 4128-4133
7. Lee, S.; Lee, K.; Zhong, Z. H. Nano Lett. 2010, 10, 4702-4707
8. Avouris, Ph.; Chen, Z. H.; Perebeinos, V. Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 605-615
9. Chen, Z. H.; Lin, Y. M.; Rooks, M. J.; Avouris, Ph. Physica E 2007, 40, 228-232
10. Wang, X. R.; Li, X. L.; Zhang, L.; Yoon, Y.; Weber, P. K.; Wang, H. L.; Guo, J.; Dai, H. J. Science 2009, 324, 768-771
11. Zhang, Y. B.; Tang, T. T.; Girit, C.; Hao, Z.; Martin, M. C.; Zettl, A.; Crommie, M. F.; Shen, Y. R.; Wang, F. Nature 2009, 459, 820-823
12. Ang, P. K.; Chen, W.; Wee, A. T. S.; Loh, K. P. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 14392-14393
13. Ristein, J.; Zhang, W. Y.; Speck, F.; Ostler, M.; Ley, L.; Seyller, T. J. Phys. D: Appl. Phys. 2010, 43, 345303
14. Cheng, Z. G.; Li, Q.; Li, Z. J.; Zhou, Q. Y.; Fang, Y. Nano Lett. 2010, 10, 1864-1868
15. Ohno, Y.; Maehashi, K.; Yamashiro, Y.; Matsumoto, K. Nano Lett. 2009, 9, 3318-3322
16. Heller, I.; Chatoor, S.; Männik, J.; Zevenbergen, M. A. G.; Dekker, C.; Lemay, S. G. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 17149-17156
17. Cohen-Karni, T.; Qing, Q.; Li, Q.; Fang, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2010, 10, 1098-1102
18. Chen, F.; Xia, J. L.; Tao, N. J. Nano Lett. 2009, 9, 1621-1625
19. Dankerl, M.; Hauf, M. V.; Lippert, A.; Hess, L. H.; Birner, S.; Sharp, I. D.; Mahmood, A.; Mallet, P.; Veuillen, J. Y.; Stutzmann, M.; Garrido, J. A. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 3117-3124
20. Levesque, P. L.; Sabri, S. S.; Aguirre, C. M.; Guillemette, J.; Siaj, M.; Desjardins, P.; Szkopek, T.; Martel, R. Nano Lett. 2011, 11, 132-137
21. Larrimore, L.; Nad, S.; Zhou, X. J.; Abruña, H.; McEuen, P. L. Nano Lett. 2006, 6, 1329-1333
22. Knopfmacher, O.; Tarasov, A.; Fu, W. Y.; Wipf, M.; Niesen, B.; Calame, M.; Schönenberger, C. Nano Lett. 2010, 10, 2268-2274
23. Krüger, M.; Buitelaar, M. R.; Nussbaumer, T.; Schönenberger, C.; Forró, L. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1291-1293
24. Chakarova-Käck, S. D.; Schröder, E.; Lundqvist, B. I.; Langreth, D. C. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 146107
25. Farmer, D. B.; Gordon, R. G. Nano Lett. 2006, 6, 699-703
26. Williams, J. R.; DiCarlo, L.; Marcus, C. M. Science 2007, 317, 638-641
27. Bousse, L.; De Rooij, N. F.; Bergveld, P. IEEE Trans. Electron Devices 1983, ED-30, 1263-1270
28. Bergveld, P. Sens. Actuators, B 2003, 88, 1-20
29. Chen, S. Y.; Bomer, J. G.; van der Wiel, W. G.; Carlen, E. T.; van den Berg, A. ACS Nano 2009, 3, 3485-3492
30. Mkhoyan, K. A.; Contryman, A. W.; Silcox, J.; Stewart, D. A.; Eda, G.; Mattevi, C.; Miller, S.; Chhowalla, M. Nano Lett. 2009, 9, 1058-1063