Role of kinetic factors in chemical vapor deposition synthesis of uniform large area graphene using copper catalyst

Nano Letters

Volumn 10, Issue 10, 2010, Pages 4128-4133

  Bhaviripudi, Sreekar ^a   Jia, Xiaoting ^b   Dresselhaus, Mildred S ^a,c   Kong, Jing ^a  

^a USA   (United States)

^b Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

^c MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

APCVD; copper; CVD; Graphene; kinetic models; LPCVD

Indexed keywords

APCVD; CVD; GRAPHENES; KINETIC MODELS; LPCVD;

ATMOSPHERIC PRESSURE; CATALYSTS; COPPER; DEFECT DENSITY; GRAPHENE; GROWTH KINETICS; KINETIC THEORY; METHANATION; METHANE; MONOLAYERS; NANOPARTICLES; REACTION KINETICS; SYNTHESIS (CHEMICAL); THERMODYNAMICS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

CARBON; COPPER; GRAPHITE; NANOMATERIAL;

ARTICLE; CATALYSIS; CHEMICAL MODEL; CHEMISTRY; KINETICS; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PRESSURE; SOLUBILITY; SYNTHESIS; ULTRASTRUCTURE; VOLATILIZATION;

CARBON; CATALYSIS; COPPER; GRAPHITE; KINETICS; MODELS, CHEMICAL; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PRESSURE; SOLUBILITY; VOLATILIZATION;

EID: 77958075845     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl102355e     Document Type: Article

References (33)

1. Novoselov, K. S. A.; Geim, K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Katsnelson, M. I.; Grigorieva, I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature 2005, 438, 197-200
2. Morozov, S. V.; Novoselov, K. S.; Katsnelson, M. I.; Schedin, F.; Elias, D. C.; Jaszczak, J. A.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2008, 100 016602
3. Chen, J.-H.; Jang, C.; Xiao, S.; Ishigami, M.; Fuhrer, M. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 206-209
4. Lin, Y.-M.; Dimitrakopoulos, C.; Jenkins, K. A.; Farmer, D. B.; Chiu, H.-Y.; Grill, A.; Avouris, P. Science 2010, 327, 662
5. Lin, Y.-M.; Jenkins, K. A.; Valdes-Garcia, A.; Small, J. P.; Farmer, D. B.; Avouris, P. Nano Lett. 2009, 9, 422-426
6. Wang, X.; Zhi, L. J.; Mullen, K. Nano Lett. 2008, 8 (1) 323-327
7. Wu, J. B.; Becerril, H. A.; Bao, Z. N.; Liu, Z. F.; Chen, Y. S.; Peumans, P. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (26) 263302
8. Wang, Y.; Chen, X. H.; Zhong, Y. L.; Zhu, F. R.; Loh, K. P. Appl. Phys. Lett. 2009, 95 (6 063302
9. Li, X.; Zhu, Y.; Cai, W.; Borysiak, M.; Han, B.; Chen, D.; Piner, R. D.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Nano Lett. 2009, 9 (12) 4359-4363
10. Sordan, R.; Traversi, F.; Russo, V. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 073305
11. Chen, X.; Lee, K.-J.; Akinwande, D.; Close, G.; Yasuda, S.; Paul, B.; Fujita, S.; Kong, J.; Wong, H.-S. P. IEEE Int. Electron Devices Meet. 2009, Paper 23.6.
12. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 10451-10453
13. Blake, P.; Brimicombe, P. D.; Nair, R. R.; Booth, T. J.; Jiang, D.; Schedin, F.; Ponomarenko, L. A.; Morozov, S. V.; Gleeson, H. F.; Hill, E. W.; Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nano Lett. 2008, 8 (6) 1704-1708
14. Stankovich, S.; Dikin, D. A.; Piner, R. D.; Kohlhaas, K. A.; Kleinhammes, A. J.; Yuanyuan, W.; Yue, N.; SonBinh, T.; Ruoff, R. S. Carbon 2007, 45, 1558-1565
15. Eda, G.; Fanchini, G.; Chhowalla, M. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 270-274
16. Li, D.; Mueller, M. B.; Gilje, S; Kaner, R. B.; Wallace, G. G. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 101-105
17. Li, X.; Zhang, G.; Bai, X.; Sun, X.; Wang, X.; Wang, E.; Dai, H. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 538-542
18. Worsley, K. A.; Ramesh, P.; Mandal, S. K.; Niyogi, S.; Itkis, M. E.; Haddon, R. C. Chem. Phys. Lett. 2007, 445, 51-56
19. Berger, C.; Song, Z. M.; Li, T. B.; Li, X. B.; Ogbazghi, A. Y.; Feng, R.; Dai, Z. T.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.; First, P. N.; de Heer, W. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 19912-19916
20. Berger, C.; Song, Z. M.; Li, X. B.; Wu, X. S.; Brown, N.; Naud, C.; Mayou, D.; Li, T. B.; Hass, J.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.; First, P. N.; de Heer, W. A. Science 2006, 312, 1191-1196
21. Pan, Y.; Shi, D. X.; Gao, H. J. Chin. Phys. 2007, 16, 3151-3153
22. Sutter, P. W.; Flege, J.-I.; Sutter, E. A. Nat. Mater. 2008, 7, 406-411
23. Li, X.; Cai, W.; An, J.; Kim, S.; Nah, J.; Yang, D.; Piner, R.; Velamakanni, A.; Jung, I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Science 2009, 324 (5932) 1312-1314
24. Kim, K. S.; Houk Jang, Y. Z.; Lee, S. Y.; Kim, J. M.; Kim, K. S.; Ahn, J.-H.; Kim, P.; Choi, J. Y; Hong, B. H. Nature 2009, 457, 706-710
25. Reina, A.; Jia, X.; Ho, J.; Nezich, D.; Son, H.; Bulovic, V.; Dresselhaus, M. S.; Kong, J. Nano Lett. 2009, 9 (8) 3087
26. Reina, A.; Thiele, S.; Jia, X.; Bhaviripudi, S.; Dresselhaus, M. S.; Schaefer, J.; Kong, J. Nano Res. 2009, 2, 509-516
27. Yu, Q.; Lian, J.; Siriponglert, S.; Li, H.; Chen, Y. P.; Pei, S.-S. Appl. Phys. Lett. 2008, 93 (11) 113103-113106
28. Vaari, J.; Lahtinen, J.; Hautojar̈vi, P. Catal. Lett. 1997, 44 (1) 43-49
29. Joyce, B. A.; Bradley, R. R. J. Electrochem. Soc. 1963, 110, 1236-1240
30. Eversteyn, F. C.; Severin, P. J. W. J. Electrochem. Soc. 1970, 117, 925-931
31. Claassen, W. A. P.; Bloem, J. Philips J. Res. 1981, 36, 122-137
32. Kamins, T. Polycrystalline Silicon for Integrated Circuit Applications; Kluwer Academic Publishers: Norwell, MA, 1988; Chapter 1.
33. Tao, M. Thin Solid Films 1993, 223, 201-211