Stress dependent band gap shift and valence band studies in ZnO nanorods

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 10, Issue 12, 2010, Pages 8424-8431

  Sharma, Bhupendra K ^a   Khare, Neeraj ^a   Kumar, Mahesh ^b  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY DELHI   (India)

^b NATIONAL PHYSICAL LABORATORY   (India)

Author keywords

Nanorods; Optical properties; Structural properties; XPS; ZnO

Indexed keywords

BAND GAP SHIFTS; BAND GAPS; BLUE SHIFT; CHEMICAL SOLUTION METHOD; GLASS SUBSTRATES; OXYGEN DEFECT; P-TYPE; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; SEEDED SUBSTRATES; STRESS-DEPENDENT; VERTICALLY ALIGNED; XPS; ZINC VACANCY; ZNO; ZNO NANOROD;

DEFECTS; ENERGY GAP; OPTICAL PROPERTIES; OXYGEN; PHOTOLUMINESCENCE; SUBSTRATES; TENSILE STRESS; VALENCE BANDS; X RAY DIFFRACTION; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; ZINC; ZINC OXIDE;

NANORODS;

EID: 79955533466     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2010.3024     Document Type: Article

References (38)

1. E. V. Monakhov, A. Y. Kuznetsov, and B. G. Svensson, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 153001 (2009).
2. N. Saito, H. Haneda, T. Sekiguchi, N. Ohashi, I. Sakaguchi, and K. Koumoto, Adv. Mater. 14, 418 (2002).
3. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Hio, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth 225, 110 (2001).
4. W. J. E. Beek, M. M. Wienk, and R. A. J. Janssen, Adv. Mater. 16, 1009 (2004).
5. C. Y. Lu, S. J. Chang, S. P. Chang, C. T. Lee, C. F. Kuo, H. M. Chang, Y. Z. Chiou, C. L. Hsu, and I. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 153101 (2006).
6. K. Keem, J. Kang, C. Yoon, D. Yeom, D.-Y. Jeong, B. Park, J. Park, and S. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4240 (2009).
7. J. B. Baxter, A. M. Walker, K. Van Ommering, and E. S. Aydil, Nanotechnology 17, S304 (2006).
8. C. S. Rout, G. U. Kulkarni, and C. N. R. Rao, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 5652 (2009).
9. L. C. Tien, P. W. Sadik, D. P. Norton, L. F. Voss, S. J. Pearton, H. T. Wang, B. S. Kang, F. Ren, J. Jun, and J. Lin, Appl. Phys. Lett. 87, 222106 (2005).
10. X. Wen, Y. Fang, Q. Pang, C. Yang, J. Wang, W. Ge, K. S. Wong, and S. Yang, J. Phys. Chem. B 109, 15303 (2005).
11. B. Zou, R. Liu, F. Wang, A. Pan, L. Cao, and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 110, 12865 (2006).
12. A. B. F. Martinson F, J. W. Elam, J. T. Hupp, and M. J. Pellin, Nano Lett. 7, 2183 (2007).
13. A. Umar, Y. K. Park, and Y. B. Hahn, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 2692 (2009).
14. J. J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater. 14, 215 (2002).
15. Y. Sun, G. M. Fuge, and M. N. R. Ashfold, Chem. Phys. Lett. 396, 21 (2004).
16. S. Chatterjee, S. Gohil, B. Chalke, and P. Ayyub, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 4792 (2009).
17. B. Liu and H. C. Zeng, Langmuir 20, 4196 (2004).
18. T. Ma, M. Gua, M. Zhang, and X. Wang, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 5920 (2009).
19. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally, and P. Yang, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 3031 (2003).
20. A. Sugunan, H. C. Warad, M. Boman, and J. Dutta, J. Sol-Gel Sci. Technol. 39, 49 (2006).
21. L. Vayssieres, K. Keis, S. E. Lindquist, and A. Hagfeldt, J. Phys. Chem. B 105, 3350 (2001).
22. V. Gupta and A. Mansingh, J. Appl. Phys. 80, 1063 (1996).
23. J. G. Lu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, L. Wang, J. Yuan, B. H. Zhao, and Q. L. Liang, J. Appl. Phys. 100, 073714 (2006).
24. H. Y. Lu, S. Y. Chu, and S. H. Cheng, J. Cryst. Growth 274, 506 (2005).
25. G. W. Cong, H. Y. Wei, P. F. Zhang, W. Q. Peng, J. J. Wu, X. L. Liu, C. M. Jiao, W. G. Hu, Q. S. Zhu, and Z. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 231903 (2005).
26. Y. F. Li, B. Yao, Y. M. Lu, C. X. Cong, Z. Z. Zhang, Y. Q. Gai, C. J. Zheng, B. H. Li, Z. P. Wei, D. Z. Shen, X. W. Fan, L. Xiao, S. C. Xu, and Y. Liu, Appl. Phys. Lett. 91, 021915 (2007).
27. B. C. Mohanthy, Y. H. Jo, D. H. Yeon, I. J. Choi, and Y. S. Cho, Appl. Phys. Lett. 95, 062103 (2009).
28. S. Maniv, W. D. Westwood, and E. Colombini, J. Vac. Sci. Technol. 20, 162 (1982).
29. P. S. Xu, Y. M. Sun, C. S. Shi, F. Q. Xu, and H. B. Pan, Nuc. Instru. Meth. Phys. Res. B 199, 286 (2003).
30. F. Wen, W. Li, J. H. Moon, and J. H. Kim, Solid State commu. 135, 34 (2005).
31. K. H. Tam, C. K. Cheung, Y. H. Leung, A. B. Djurisc, C. C. Ling, C. D. Beling, S. Fung, W. M. Kwok, W. K. Chan, D. L. Phillips, L. Ding, and W. K. Ge, J. Phys. Chem. B 110, 20865 (2006).
32. M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009).
33. B. Yang, P. Feng, A. Kumar, R. S. Katiyar, and M. Achermann, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 195402 (2009).
34. R. E. Marotti, C. D. Bojorge, E. Broitman, H. R. Canepa, J. A. Badan, E. A. Dalchiele, and A. J. Gellman, Thin Solid Films 517, 1077 (2008).
35. G. W. Cong, W. Q. Peng, H. Y. Wei, X. X. Han, J. J. Wu, X. L. Liu, Q. S. Zhu, Z. G. Wang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, L. P. Zhu, H. J. Qian, R. Su, C. H. Hong, J. Zhong, K. Ibrahim, and T. D. Hu, Appl. Phys. Lett. 88, 062110 (2006).
36. Q. Li, V. Kumar, Y. Li, H. Zhang, J. T. Marks, and R. P. H. Chang, Chem. Mater. 17, 1001 (2005).
37. Z. L. Wang, Materialstoday 7, 26 (2004).
38. Y. F. Hsu, Y. Y. Xi, K. H. Tam, A. B. Djurisic, J. Luo, C. C. Ling, C. K. Cheung, A. M. C. Ng, W. K. Chan, X. Deng, C. D. Beling, S. Fung, K. W. Cheah, P. W. K. Fong, and C. C. Surya, Adv. Fund. Mater. 18, 1020 (2008).