Enhanced light output of vertical-structured GaN-based light-emitting diodes with TiO2/SiO2 reflector and roughened GaO x surface film

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 4 PART 2, 2011, Pages

  Lee, Wei Chi ^a   Wang, Shui Jinn ^a   Uang, Kai Ming ^b   Chen, Tron Min ^b   Kuo, Der Ming ^a   Wang, Pei Ren ^a   Wang, Po Hung ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b WUFENG INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AL REFLECTORS; CHIP SIZES; CURRENT BLOCKING; DBR LAYERS; GAN LAYERS; GAN-BASED LIGHT-EMITTING DIODES; KRF LASERS; LIGHT OUTPUT; LIGHT OUTPUT POWER; STRUCTURED LIGHT; SURFACE FILMS; SURFACE-ROUGHENING; TIO;

GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; IRRADIATION; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); SILICON COMPOUNDS;

REFLECTION;

EID: 79955421595     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.04DG06     Document Type: Article

References (23)

1. E. F. Schubert and J. K. Kim: Science 308 (2005) 1274.
2. C. J. Humphreys: MRS Bull. 33 (2008) 459.
3. M. R. Krames, O. B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, L. Zhou, G. Harbers, and M. G. Craford: J. Disp. Technol. 3 (2007) 160.
4. S. J. Wang, K. M. Uang, S. L. Chen, Y. C. Yang, S. C. Chang, T. M. Chen, and C. H. Chen: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 011111.
5. C. F. Chu, F. H. Fan, C. C. Cheng, W. H. Liu, J. Y. Chu, H. C. Cheng, C. F. Lin, K. T. Chen, C. A. Tran, and T. Doan: Phys. Status Solidi C 6 (2009) S909.
6. E. S. Fred: Light-Emitting Diodes, Cambridge University Press, Cambridge (2003) 92.
7. C. E. Lee, Y. C. Lee, H. C. Kuo, T. C. Lu, and S. C. Wang: IEEE Photonics Technol. Lett. 20 (2008) 803.
8. H. C. Lee, J. B. Park, J. W. Bae, P. T. T. Thuy, M. C. Yoo, and G. Y. Yeom: Solid-State Electron. 52 (2008) 1193.
9. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 855.
10. C. F. Chu, F. I. Lai, J. T. Chu, C. C. Yu, C. F. Lin, H. C. Kuo, and S. C. Wang: J. Appl. Phys. 95 (2004) 3916.
11. C. F. Lin, Z. J. Yang, J. H. Zheng, and J. J. Dai: IEEE Photonics Technol. Lett. 17 (2005) 2038.
12. H. W. Huang, J. T. Chu, C. C. Kao, T. H. Hsueh, T. C. Lu, H. C. Kuo, S. C. Wang, C. C. Yu, and S. Y. Kuo: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3442.
13. J. K. Kim, Th. Gessmann, H. Luo, and E. F. Schubert: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4508.
14. W. K. Hong, J. O. Song, H. G. Hong, K. Y. Ban, T. Lee, J. S. Kwak, Y. Park, and T. Y. Seong: Electrochem. Solid-State Lett. 8 (2005) G320.
15. C. H. Chou, C. L. Lin, Y. C. Chuang, H. Y. Bor, and C. Y. Liu: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 022103.
16. R. Kawai, T. Mori, W. Ochiai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki: Phys. Status Solidi C 6 (2009) 1.
17. D. L. Hibbard, S. P. Jung, C. Wang, D. Ullery, Y. S. Zhao, H. P. Leea, W. So, and H. Liu: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 311.
18. Y. S. Zhao, D. L. Hibbard, H. P. Lee, K. Ma, W. So, and H. Liu: J. Electron. Mater. 32 (2003) 1523.
19. C. H. Chiu, H. C. Kuo, C. E. Lee, C. H. Lin, P. C. Cheng, H. W. Huang, T. C. Lu, S. C. Wang, and K. M. Leung: Semicond. Sci. Technol. 22 (2007) 831.
20. H. W. Jang, J. K. Kim, J. L. Lee, J. Schroeder, and T. Sands: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 580.
21. S. N. Mohammad: J. Appl. Phys. 95 (2004) 4856.
22. T. Akane, K. Sugioka, K. Hammura, Y. Aoyagi, K. Midorikawa, K. Obata, K. Toyoda, and S. Nomura: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 1388.
23. M. Rebien, W. Henrion, M. Hong, J. P. Mannaerts, and M. Fleischer: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 250.