Multi-gate fin field-effect transistors junctions optimization by conventional ion implantation for (Sub-)22nm technology nodes circuit applications

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 4 PART 2, 2011, Pages

  Veloso, Anabela ^a   De Keersgieter, An ^a   Brus, Stephan ^a   Horiguchi, Naoto ^a   Absil, Philippe P ^a   Hoffmann, Thomas ^a  

^a IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

6T-SRAM; CIRCUIT APPLICATION; CONDUCTION CHANNEL; CRITICAL DIMENSION CONTROL; CRITICAL PARAMETER; CYCLE TIME; DEFECT-FREE GROWTH; DEVICE PERFORMANCE; FIN FIELD-EFFECT TRANSISTORS; FINFETS; GATE FIELD; LOW ENERGIES; RAISED SOURCE/DRAIN; REDUCED COST; SHADOWING EFFECTS; SILICON FINS; STATIC NOISE MARGIN; STATIC RANDOM ACCESS MEMORY; TECHNOLOGY NODES;

ELECTRIC NETWORK ANALYSIS; FINS (HEAT EXCHANGE); ION IMPLANTATION; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; STATIC RANDOM ACCESS STORAGE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 79955403676     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.04DC16     Document Type: Article

References (20)

1. J. Kavalieros, B. Doyle, S. Datta, G. Dewey, M. Doczy, B. Jin, D. Lionberger, M. Metz, W. Rachmady, M. Radosavljevic, U. Shah, N. Zelick, and R. Chau: VLSI Tech. Dig., 2006, p. 62.
2. W. Haensch, E. J. Nowak, R. H. Dennard, P. M. Solomon, A. Bryant, O. H. Dokumaci, A. Kumar, X. Wang, J. B. Johnson, and M. V. Fischetti: IBM J. Res. Dev. 50 (2006) 339.
3. M. J. H. van Dal, N. Collaert, G. Doornbos, G. Vellianitis, G. Curatola, B. J. Pawlak, R. Duffy, C. Jonville, B. Degroote, E. Altamirano, E. Kunnen, M. Demand, S. Beckx, T. Vandeweyer, C. Delvaux, F. Leys, A. Hikavyy, R. Rooyackers, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, S. Biesemans, M. Jurczak, K. Anil, L. Witters, and R. J. P. Lander: VLSI Tech. Dig., 2007, p. 110.
4. S. Inaba, H. Kawasaki, K. Okano, T. Izumida, A. Yagishita, A. Kaneko, K. Ishimaru, N. Aoki, and Y. Toyoshima: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 487.
5. N. Collaert, K. von Arnim, R. Rooyackers, T. Vandeweyer, A. Mercha, B. Parvais, L. Witters, A. Nackaerts, E. Altamirano Sanchez, M. Demand, A. Hikavyy, S. Demuynck, K. Devriendt, F. Bauer, I. Ferain, A. Veloso, K. De Meyer, S. Biesemans, and M. Jurczak: ICICDT Tech. Dig., 2008, p. 59.
6. H. Kawasaki, M. Khater, M. Guillorn, N. Fuller, J. Chang, S. Kanakasabapathy, L. Chang, R. Muralidhar, K. Babich, Q. Yang, J. Ott, D. Klaus, E. Kratschmer, E. Sikorski, R. Miller, R. Viswanathan, Y. Zhang, J. Silverman, Q. Ouyang, A. Yagishita, M. Takayanagi, W. Haensch, and K. Ishimaru: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 237.
7. T. Mérelle, G. Curatola, A. Nackaerts, N. Collaert, M. J. H. van Dal, G. Doornbos, T. S. Doorn, P. Christie, G. Vellianitis, B. Duriez, R. Duffy, B. J. Pawlak, F. C. Voogt, R. Rooyackers, L. Witters, M. Jurczak, and R. J. P. Lander: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 241.
8. A. Veloso, S. Demuynck, M. Ercken, A. M. Goethals, M. Demand, J.-F. de Marneffe, E. Altamirano, A. De Keersgieter, C. Delvaux, J. De Backer, S. Brus, J. Hermans, B. Baudemprez, F. Van Roey, G. F. Lorusso, C. Baerts, D. Goossens, C. Vrancken, S. Mertens, J. J. Versluijs, V. Truffert, C. Huffman, D. Laidler, N. Heylen, P. Ong, B. Parvais, M. Rakowski, S. Verhaegen, A. Hikavyy, H. Meiling, B. Hultermans, L. Romijn, C. Pigneret, S. Lok, A. Van Dijk, K. Shah, A. Noori, J. Gelatos, R. Arghavani, R. Schreutelkamp, P. Boelen, O. Richard, H. Bender, L. Witters, N. Collaert, R. Rooyackers, P. Absil, A. Lauwers, M. Jurczak, T. Hoffmann, S. Vanhaelemeersch, R. Cartuyvels, K. Ronse, and S. Biesemans: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 861.
9. H. R. Harris, H. Adhikari, C. E. Smith, G. Smith, J.-W. Yang, P. Majhi, and R. Jammy: Proc. Int. SOI Conf., 2008, p. 115.
10. C.-Y. Chang, T.-L. Lee, C. Wann, L.-S. Lai, H.-M. Chen, C.-C. Yeh, C.-S. Chang, C.-C. Ho, J.-C. Sheu, T.-M. Kwok, F. Yuan, S.-M. Yu, C.-F. Hu, J.-J. Shen, Y.-H. Liu, C.-P. Chen, S.-C. Chen, L.-S. Chen, L. Chen, Y.-H. Chiu, C.-Y. Fu, M.-J. Huang, Y.-L. Huang, S.-T. Hung, J.-J. Liaw, H.-C. Lin, H.-H. Lin, L.-T. S. Lin, S.-S. Lin, Y.-J. Mii, E. Ou-Yang, M.-F. Shieh, C.-C. Su, S.-P. Tai, H.-J. Tao, M.-H. Tsai, K.-T. Tseng, K.-W. Wang, S.-B. Wang, J. J. Xu, F.-K. Yang, S.-T. Yang, and C.-N. Yeh: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 293.
11. H. Kawasaki, V. S. Basker, T. Yamashita, C.-H. Lin, Y. Zhu, J. Faltermeier, S. Schmitz, J. Cummings, S. Kanakasabapathy, H. Adhikari, H. Jagannathan, A. Kumar, K. Maitra, J. Wang, C.-C. Yeh, C. Wang, M. Khater, M. Guillorn, N. Fuller, J. Chang, L. Chang, R. Muralidhar, A. Yagishita, R. Miller, Q. Ouyang, Y. Zhang, V. K. Paruchuri, H. Bu, B. Doris, M. Takayanagi, W. Haensch, D. McHerron, J. O'Neill, and K. Ishimaru: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 289.
12. A. Veloso, S. Demuynck, M. Ercken, A. M. Goethals, S. Locorotondo, F. Lazzarino, E. Altamirano, C. Huffman, A. De Keersgieter, S. Brus, M. Demand, H. Struyf, J. De Backer, J. Hermans, C. Delvaux, B. Baudemprez, T. Vandeweyer, F. Van Roey, C. Baerts, D. Goossens, H. Dekkers, P. Ong, N. Heylen, K. Kellens, H. Volders, A. Hikavyy, C. Vrancken, M. Rakowski, S. Verhaegen, M. Dusa, L. Romijn, C. Pigneret, A. Van Dijk, R. Schreutelkamp, A. Cockburn, V. Gravey, H. Meiling, B. Hultermans, S. Lok, K. Shah, R. Rajagopalan, J. Gelatos, O. Richard, H. Bender, G. Vandenberghe, G. P. Beyer, P. Absil, T. Hoffmann, K. Ronse, and S. Biesemans: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 301.
13. V. S. Basker, T. Standaert, H. Kawasaki, C.-C. Yeh, K. Maitra, T. Yamashita, J. Faltermeier, H. Adhikari, H. Jagannathan, J. Wang, H. Sunamura, S. Kanakasabapathy, S. Schmitz, J. Cummings, A. Inada, C.-H. Lin, P. Kulkarni, Y. Zhua, J. Kuss, T. Yamamoto, A. Kumara, J. Wahl, A. Yagishita, L. F. Edge, R. H. Kim, E. Mclellan, S. J. Holmes, R. C. Johnson, T. Levin, J. Demarest, M. Hane, M. Takayanagi, M. Colburn, V. K. Paruchuri, R. J. Miller, H. Bu, B. Doris, D. McHerron, E. Leobandung, and J. O'Neill: VLSI Tech. Dig., 2010, p. 19.
14. R. Duffy, M. J. H. Van Dal, B. J. Pawlak, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, B. Degroote, E. Kunnen, and E. Altamirano: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 241912.
15. M. J. van Dal, G. Vellianitis, R. Duffy, G. Doornbos, B. Pawlak, B. Duriez, L.-S. Lai, A. Y. Hikavyy, T. Vandeweyer, M. Demand, E. Altamirano, R. Rooyackers, L. Witters, N. Collaert, M. Jurczak, M. Kaiser, R. G. Weemaes, and R. Lander: ECS Trans. 13 [1] (2008) 223.
16. T. Matsukawa, S. O'uchi, K. Endo, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, Y. X. Liu, J. Tsukada, K. Sakamoto, and M. Masahara: VLSI Tech. Dig., 2009, p. 118.
17. E. Altamirano-Sánchez, M. Ercken, A. Veloso, M. Demand, and W. Boullart: presented at 31st Int. Symp. Dry Process (DPS), 2009.
18. J. Kedzierski, M. Ieong, E. Nowak, T. S. Kanarsky, Y. Zhang, R. Roy, D. Boyd, D. Fried, and H.-S. P. Wong: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 952.
19. A. Dixit, K. G. Anil, R. Rooyackers, F. Leys, M. Kaiser, R. Weemaes, I. Ferain, A. De Keersgieter, N. Collaert, R. Surdeanu, M. Goodwin, P. Zimmerman, R. Loo, M. Caymax, M. Jurczak, S. Biesemans, and K. De Meyer: Proc. ESSDERC Conf., 2005, p. 445.
20. S.-H. Kim, J. G. Fossum, and J.-W. Yang: IEEE Trans. Electron Devices 53 (2006) 2143.