Material aspects and challenges for SOI FinFET integration

ECS Transactions

Volumn 13, Issue 1, 2008, Pages 223-234

  Van Dal, M J H ^a   Vellianitis, G ^a   Duffy, R ^a   Doornbos, G ^a   Pawlak, B J ^a   Duriez, B ^a   Lai, L S ^b   Hikavyy, A ^b   Vandeweyer, T ^b   Demand, M ^b   Altamirano, E ^b   Rooyackers, R ^b   Witters, L ^b   Collaert, N ^b   Jurczak, M ^b   Kaiser, M ^c   Weemaes, R G R ^c   Lander, R J P ^a  

^a NXP TSMC Research Center   (Belgium)

^b IMEC   (Belgium)

^c PHILIPS RESEARCH LABORATORIES   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

193NM IMMERSION LITHOGRAPHIES; CMOS TECHNOLOGY NODES; CONFORMALITY; CONTACT AREAS; CONVENTIONAL DRIES; DEVICE PERFORMANCES; FINFETS; GATE STACKS; HIGH ASPECT RATIOS; MANUFACTURABLE PROCESSES; SCALING BEHAVIORS; SELECTIVE EPITAXIAL GROWTHS; SOI FINFET; TRI GATES;

ASPECT RATIO; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; EPITAXIAL GROWTH; FIELD EFFECT TRANSISTORS; ION BOMBARDMENT; ION IMPLANTATION; LITHOGRAPHY; LOGIC GATES; MANGANESE COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTORESISTS; SILICON;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 55649105175     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.2911503     Document Type: Conference Paper

References (19)

1. H.-S. P. Wong, D.J. Frank, P. M. Solomon, C. H.-J. Wann, J. J. Welser, Proc. IEEE, 87, 537 (1999).
2. D. Hisamoto, W.-C. Lee, J. Kedzierski, H. Takeuchi, K. Asano, C. Kuo, E. Anderson, T.-J. King, J. Bokor, C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 2320 (2000).
3. X. Huang, W.-C. Lee, C. Kuo, D. Hisamoto, L. Chang, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, Y.-K. Choi, K. Asano, V. Subramnian, T.-J. King, J. Bokor, C. Hu, IEDM Tech. Dig., 67 (1999).
4. Y.-K. Choi, N. Lindert, P. Xuan, S. Tang, D. Ha, E. Anderson, T.-J. King, J. Bokor, C. Hu, IEDM Tech. Dig., 421 (2001).
5. J. Kedzierski, M. Ieong, E. Nowak, T. S. Kanarsky, Y. Zhang, R. Roy, D. Boyd, D. Fried, H.-S. Wong, IEEE Trans. Elctron Devices, 50, 952 (2003).
6. N. Collaert, A. Dixit, M. Goodwin, K. G. Anil, R. Rooyackers, B. Degroote, L. H. A. Leunissen, A. Veloso, R. Jonckheere, K. De Meyer, M. Jurczak, S. Biesemans, IEEE Electron Device Lett., 25, 568 (2004).
7. H. Lee, L.-E. Yu, S.-W. Ryu, J.-W. Han, K. Jeon, D.-Y. Jang, K.H. Kim, J. Lee, J.-H. Kim, S. C. Jeon, G. S. Lee, J. S. Oh, Y. C. Park, W. H. Bae, H. M. Lee, J. M. Yang, J. J. Yoo, S. I. Kim, Y.-K. Choi, Symp. VLSI Tech. Dig., 70 (2006).
8. A. Kaneko, A. Yagishita, K. Yahasi, T. Kubota, M. Omura, K. Matsuo, I. Mizishima, K. Okano, H. Kawasaki, S. Inaba, T. Izumida, T. Kanemura, N. Aoki, K. Ishimura, H. Ishiuchi, K. Suguro, K. Eguchi, Y. Tsunashima, IEDM Tech. Dig., 893 (2005).
9. M.J.H. van Dal, N. Collaert, G. Doornbos, G. Vellianitis, G. Curatola, B.J. Pawlak, R. Duffy, C. Jonville, B. Degroote, E. Altamirano, E. Kunnen, M. Demand, S. Beckx, T. Vandeweyer, C. Delvaux, F. Leys, A. Hikavya, R. Rooyackers, M. Kaiser, R.G.R. Weemaes, S. Biesemans, M. Jurczak, K. Anil, L. Witters, R.J.P. Lander, Symp. VLSI Tech. Dig., 110 (2007).
10. B. Degroote, N. Collaert, R. Rooyackers, M. R. Baklanov, W. Boullart, E. Kunnen, M. Jurczak, S. Vanhaelemeersch, Microelectronic Engineering, 83, 570 (2006).
11. R. Duffy, M. J. H. van Dal, B. J. Pawlak, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, Appl. Phys. Lett., 90, 241912(2007).
12. C. Steen, A. Martinez-Limia, P. Pichler, H. Ryssel, L. Pei, G. Duscher, W. Windl, 37th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC11-13 (2007) 267.
13. B. J. Pawlak, R. Duffy, M. J. H. van Dal, F. C. Voogt, F. Roozeboom, R.G.R. Weemaes, P. Breimer, P. Zalm, accepted for MRS Spring meeting, 2008.
14. D. Lenoble, K.G. Anil, A. De Keersgieter, P. Eybens, N. Collaert, R. Rooyackers, S. Brus, P. Zimmerman, M. Goodwin, D. Vanhaeren, W. Vandervorst, S. Radovanov, L. Godet, C. Cardinaud, S. Biesemans, T. Skotnicki, M. Jurczak, Symp. VLSI Tech. Dig., 212 (2006).
15. T. Uchino, P. Ashburn, Y. Kiyota, T, Shiba, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 14(2004).
16. M. J. H. van Dal, R. Duffy, B. J. Pawlak, N. Collaert, M. Jurczak, R. J. P. Lander, accepted for MRS Spring meeting, 2008.
17. G. Vellianitis, M. J. H. van Dal, L. Witters, G. Curatola, G. Doornbos, N. Collaert, C. Jonville, C. Torregiani, L. S. Lai, J. Petry, B.J. Pawlak, R. Duffy, M. Demand, S. Beckx, S. Mertens, A. Delabie, T. Vandeweyer, C. Delvaux, F. Leys, A. Hikavyy, R. Rooyackers, M. Kaiser, R.G.R. Weemaes, F. Voogt, H. Roberts, D. Donnet, S. Biesemans, M. Jurczak, and R. J. P. Lander, IEDM Tech. Dig., 681 (2007).
18. J. Kavalieros, B. Doyle, S. Datta, G. Dewey, M. Doczy, B. Jin, D. Lionberger, M. Metz, W. Rachmady, M. Radosavljevic, U. Shah, N. Zelick, R. Chau, Symp. VLSI Tech. Dig., 50 (2006).
19. C. Y. Kang, R. Choi, S.C. Song, K. Choi, B. S. Ju, M. M. Hussain, B. H. Lee, G. Bersuker, C. Young, D. Heh, P. Kirsch, J. Barnet, J.-W. Yang, W. Xiong, H.-H. Tseng, R. Jammy, IEDM Tech. Dig., 885 (2006).