Improved resistive switching properties of solution-processed TiO x film by incorporating atomic layer deposited TiO2 layer

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 4 PART 1, 2011, Pages

  Kim, Insung ^a   Jung, Seungjae ^a   Shin, Jungho ^a   Biju, Kuyyadi P ^a   Seo, Kyungah ^a   Siddik, Manzar ^a   Liu, Xinjun ^a   Kong, Jaemin ^a   Lee, Kwanghee ^a   Hwang, Hyunsang ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; ATOMIC LAYER DEPOSITED; DC VOLTAGE; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; ION MIGRATION; ON/OFF RATIO; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MECHANISMS; SOLUTION-PROCESSED; TIO;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; OXYGEN; SWITCHING SYSTEMS; TITANIUM; TITANIUM OXIDES;

SWITCHING;

EID: 79955157468     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.046504     Document Type: Article

References (25)

1. C. Yoshida, K. Tsunoda, H. Noshiro, and Y. Sugiyama: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 223510.
2. S. Muraoka, K. Osano, Y. Kanzawa, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, Y. Katoh, Z. Wei, T. Mikawa, K. Arita, Y. Kawashima, R. Azuma, K. Kawai, K. Shimakawa, A. Odagawa, and T. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 779.
3. H. Y. Lee, P. S. Chen, T. Y. Wu, Y. S. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, F. Chen, C. H. Lien, and M. J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 1.
4. D. Ielmini, F. Nardi, C. Cagli, and A. L. Lacaita: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 353.
5. W. Y. Chang, Y. C. Lai, T. B. Wu, S. F. Wang, F. Chen, and M. J. Tsai: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 022110.
6. H. Y. Lee, P. S. Chen, C. C. Wang, S. Maikap, P. J. Tzeng, C. H. Lin, L. S. Lee, and M. J. Tsai: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2175.
7. R. Dong, D. S. Lee, M. B. Pyun, M. Hasan, H. J. Choi, M. S. Jo, D. J. Seong, M. Chang, S. H. Heo, J. M. Lee, H. K. Park, and H. Hwang: Appl. Phys. A 93 (2008) 409.
8. S. Kim and Y. K. Choi: IEEE Trans. Electron Devices 56 (2009) 3049.
9. C. Lee, I. Kim, W. Choi, H. Shin, and J. Cho: Langmuir 25 (2009) 4274.
10. H. Y. Jeong, Y. I. Kim, J. Y. Lee, and S. Y. Choi: Nanotechnology 21 (2010) 115203.
11. Y. Meng, P. J. Zhang, Z. Y. Liu, Z. L. Liao, X. Y. Pan, X. J. Liang, H. W. Zhao, and M. D. Chen: Chin. Phys. B 19 (2010) 037304.
12. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams: Nature 453 (2008) 80.
13. J. J. Yang, F. Miao, M. D. Picktt, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, C. N. Lau, and R. S. Williams: Nanotechnology 20 (2009) 215201.
14. J. J. Yang, M. M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, and R. S. Williams: Nanotechnol. 3 (2008) 429.
15. C. J. Brinker and G. W. Scherer: Sol-Gel Science: The Physics and Chemistry of Sol-Gel Processing (Academic Press, New York, 1990).
16. J. D. Mackenzie: J. Non-Cryst. Solids 100 (1988) 162.
17. C. Y. Lin, C. C. Lin, C. H. Huang, C. H. Lin, and T. Y. Tseng: Surf. Coat. Technol. 202 (2007) 1319.
18. J. Y. Kim, S. H. Kim, H. H. Lee, K. Lee, W. Ma, and X. Gong: Adv. Mater. 18 (2006) 572.
19. S. Won, S. Go, W. Lee, K. Jeong, H. Jung, C. Lee, E. Lee, and J. Lee: Met. Mater. Int. 14 (2008) 759.
20. L. Q. Wang, D. R. Baer, and M. H. Engelhard: Surf. Sci. 320 (1994) 295.
21. T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, and T. Chikyow: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 082902.
22. D. J. Seong, M. Hassan, H. Choi, J. Lee, J. Yoon, J. B. Park, W. Lee, M. S. Oh, and H. Hwang: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 919.
23. J. Yun, K. Cho, B. Park, B. H. Park, and S. Kim: J. Mater. Chem. 19 (2009) 2082.
24. G. H. Nadine, B. Hamadani, B. Dunlap, J. Suehle, C. Richter, C. Hacker, and D. Gundlach: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 706.
25. S. H. Jo, R. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder, and W. Lu: Nano Lett. 10 (2010) 1297.