Influence of surrounding dielectrics on the data retention time of doped Sb2Te phase change material

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 2, 2011, Pages

  Jedema, Friso ^a   Zandt, Micha In't ^a   Wolters, Rob ^a   Gravesteijn, Dirk ^b  

^a NXP SEMICONDUCTORS   (Netherlands)

^b NXP TSMC Research Center   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIENT TEMPERATURES; AMORPHOUS STATE; CRYSTALLIZATION PROPERTIES; CRYSTALLIZATION TEMPERATURE; DATA RETENTION; DATA RETENTION TIME; DIELECTRIC LAYER;

CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLIZATION; DIELECTRIC MATERIALS; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; PHASE CHANGE MATERIALS; PHASE INTERFACES; POLYPROPYLENES; SILICON COMPOUNDS; TELLURIUM COMPOUNDS; ZINC SULFIDE;

ACTIVATION ENERGY;

EID: 79951915108     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.024102     Document Type: Article

References (20)

1. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nat. Mater. 4 (2005) 347.
2. A. E. T. Kuiper and L. van Pieterson: MRS Bull. 31 (2006) 308.
3. H. J. Borg, M. van Schijndel, J. C. N. Rijpers, M. H. R. Lankhorst, G. Zhou, M. J. Dekker, I. P. D. Ubbens, and M. Kuijper: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 1592.
4. T. H. Jeong, M. R. Kim, H. Seo, S. J. Kim, and S. Y. Kim: J. Appl. Phys. 86 (1999) 774.
5. G. Ruitenberg, A. K. Petford-Long, and R. C. Dole: J. Appl. Phys. 92 (2002) 3116.
6. B. J. Kooi, W. M. G. Groot, and J. T. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 95 (2004) 924.
7. J. A. Kalb, C. Y. Wen, F. Spaepen, H. Dieker, and M. Wuttig: J. Appl. Phys. 98 (2005) 054902.
8. S. Raoux, H.-Y. Cheng, J. L. Jordan-Sweet, B. Muños, and M. Hitzbleck: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 183114.
9. J. A. Kalb: Ph. D. Thesis, RWTH Aachen (2006).
10. R. Pandian, B. J. Kooi, J. T. M. De Hosson, and A. Pauza: J. Appl. Phys. 100 (2006) 123511.
11. N. Oshima: J. Appl. Phys. 79 (1996) 8357.
12. I. Friedrich, V. Weidenhof, W. Njoroge, P. Franz, and M. Wuttig: J. Appl. Phys. 87 (2000) 4130.
13. B. J. Kooi and J. T. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 95 (2004) 4714.
14. W. K. Njorge, H. Dieker, and M. Wuttig: J. Appl. Phys. 96 (2004) 2624.
15. E. R. Meinders and M. H. R. Lankhorst: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 809.
16. J. Oosthoek, B. J. Kooi, J. T. M. De Hosson, D. Gravesteijn, K. Attenborough, R. Wolters, and M. Verheijen: Proc. EnPCOS Symp., 2009, p. 140.
17. J. Kalb, F. Spaepen, and M. Wuttig: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 5240.
18. N. Yamada, M. Otoba, K. Kawahara, N. Miyagawa, H. Ohta, N. Akahira, and T. Matsunaga: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 2104.
19. L. van Pieterson, M. H. R. Lankhorst, M. van Schijndel, A. E. T. Kuiper, and J. H. J. Roosen: J. Appl. Phys. 97 (2005) 083520.
20. S. Raoux, H.-Y. Cheng, M. A. Caldwell, and H.-S. P. Wong: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 071910.