Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 6, Issue SUPPL. 2, 2009, Pages

  Nakamura, Seiji ^a   Takahashi, Noriyuki ^a   Okumura, Tsugunori ^a  

^a TOKYO METROPOLITAN UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN/GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; DETECTION VALUE; DRAIN-SOURCE VOLTAGE; EXPERIMENTAL DATA; GATE-SOURCE VOLTAGE; HYDROGEN CONCENTRATION; HYDROGEN GAS; HYDROGEN SENSING PROPERTIES; LEAST SQUARES; PARTS PER BILLION; PD GATES;

CONCENTRATION (PROCESS); DRAIN CURRENT; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM NITRIDE; HYDROGEN;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 78549289296     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200880933     Document Type: Article

References (18)

1. I. Lundström, S. Shivaraman, C. Svensson, and L. Lundskvist, Appl. Phys. Lett. 26, 55 (1975)
2. W. C. Liu, H. J. Pan, H. I. Chen, K. W. Lin, and C. K. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 6254 (2001).
3. J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 739 (2003).
4. J. R. Huang, W. C. Hsu, Y. J. Chen, T. B. Wang, K. W. Lin, H. I. Chen, and W. C. Liu, Sens. Actuators B 117, 151 (2006).
5. J. Song, W. Lu, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Appl. Phys. Lett. 87, 133501 (2005)
6. K. Matsuo, N. Negoro, J. Kotani, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. 244, 273 (2005).
7. O. Weidemann, M. Hermann, G. Steinhoff, H. Wingbrant, A. L. Spetz, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 83, 773 (2003).
8. H. T. Wang, T. J. Anderson, F. Ren, C. Li, Z. N. Low, J. Lin, B. P. Gila, S. J. Pearton, A. Osinsky, and A. Dabiran, Appl. Phys. Lett. 89, 242111 (2006).
9. T. H. Tsai, H. I. Chen, K. W. Lin, C. W. Hung, C. H. Hsu, T. P. Chen, L. Y. Chen, K. Y. Chu, C. F. Chang, and W. C. Liu, Appl. Phys. Exp. 1, 04102 (2008).
10. J. Schalwig, G. Muller, U. Karrer, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann, L. Gorgens, and G. Dollinger, Appl. Phys. Lett. 80, 1222 (2002).
11. H. T. Wang, B. S. Kang, F. Ren, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, N. Moser, G. Jessen, T. Jenkins, R. Dettmer, D. Via, A. Crespo, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 87, 172105 (2005).
12. C. C. Cheng, Y. Y. Tsai, K. W. Lin, H. I. Chen, C. T. Lu, and W. C. Liu, Sens. Actuators B 99, 425 (2004).
13. K. W. Lin and R. H. Chang, Sens. Actuators B 119, 47 (2006).
14. C. W. Hung, H. L. Lin, H. I. Chen, Y. Y. Tsai, P. H. Lai, S. I. Fu, H. M. Chuang, and W. C. Liu, Sens. Actuators B 122, 81 (2007).
15. C. W. Hung, K. W. Lin, R. C. Liu, Y. Y. Tsai, P. H. Lai, S. I. Fu, T. P. Chen, H. I. Chen, and W. C. Liu. Sens. Actuators B 125, 22 (2007).
16. X. H. Wang, X. L. Wang, C. Feng, C. B. Yang, B. Z. Wang, J. X. Ran, H. L. Xiao, C. M. Wang, and J. X. Wang, Microelectron. J. 39, 20 (2008).
17. S. Keller, Y. F. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. J. Xu, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 552 (2001).
18. T. Kikkawa, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 4896 (2005).