Zinc oxide grown by atomic layer deposition - a material for novel 3D electronics

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 247, Issue 7, 2010, Pages 1611-1615

  Guziewicz, Elzbieta ^a   Godlewski, Marek ^a,b   Krajewski, Tomasz A ^a   Wachnicki, Łukasz ^a   Łuka, Grzegorz ^a   Domagała, Jarosław Z ^a   Paszkowicz, Wojciech ^a   Kowalski, Bogdan J ^a   Witkowski, Bartłomiej S ^a   Duzyńska, Anna ^b   Suchocki, Andrzej ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

^b CARDINAL STEFAN WYSZY SKI UNIVERSITY   (Poland)

Author keywords

Atomic layer deposition; Electronic transport; II VI semiconductors; Thin films

Indexed keywords

EID: 77954590235     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200983699     Document Type: Article

References (20)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
2. K. Ishimaru, Solid-State Electron. 52, 1266 (2008).
3. S. M Sze,. in: Semiconductor Devices: Physics and Technology (John Wiley & Sons, Inc., New York, 2002), pp. 216-220.
4. S. Wagner, H. Gleskowa, I.-Ch. Cheng, and M. Wu, Thin Solid Films 430, 15 (2003).
5. R. Triboulet and J. Perrière, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 47, 65 (2003).
6. I. A. Kowalik, E. Guziewicz, K. Kopalko, S. Yatsunenko, A. Wójcik-Głodowska, M. Godlewski, P. Dłużewski, E. Łusakowska, and W. Paszkowicz, J. Cryst. Growth 311, 1096 (2009).
7. V. Craciun, J. Elders, J. G. E. Gardeniers, and I. W. Boyd, Appl. Phys. Lett. 65, 2963 (1994).
8. E. Guziewicz, I. A. Kowalik, M. Godlewski, K. Kopalko, V. Osinniy, A. Wójcik, S. Yatsunenko, E. Łusakowska, W. Paszkowicz, and M. Guziewicz, J. Appl. Phys. 103, 033515 (2008).
9. N. Huby, S. Ferrari, E. Guziewicz, M. Godlewski, and V. Osinniy, Appl. Phys. Lett. 92, 023502 (2007).
10. M. Godlewski, E. Guziewicz, G. Łuka, T. Krajewski, M. Łukasiewicz, Ł. Wachnicki, A. Wachnicka, K. Kopalko, A. Sarem, and B. Dalati, Thin Solid Films 518, 1145 (2009).
11. E. Katsia, N. Huby, G. Tallarida, B. Kutrzeba-Kotowska, M. Perego, S. Ferrari, F. C. Krebs, E. Guziewicz, M. Godlewski, V. Osinniy, and G. Luka, Appl. Phys. Lett. 94, 143501 (2009).
12. E. Guziewicz, M. Godlewski, T. Krajewski, Ł. Wachnicki, A. Szczepanik, K. Kopalko, A. Wójcik-Głodowska, E. Przeździecka, W. Paszkowicz, E. Łusakowska, P. Kruszewski, N. Huby, G. Tallarida, and S. Ferrari, J. Appl. Phys. 105, 122413 (2009).
13. G. Luka, T. Krajewski, L. Wachnicki, A. Szczepanik, J. D. Fidelus, A. Szczerbakow, E. Lusakowska, K. Kopalko, E. Guziewicz, and M. Godlewski, Acta Phys. Pol. A 114, 1229 (2008).
14. T. Suntola, in: Handbook of Crystal Growth, Part 3b: Atomic Layer Epitaxy, Growth Mechanisms and Dynamics, edited by D. T. J. Hurle (Elsevier, Amsterdam, Lausanne, New York, 1994).
15. T. Suntola and J. Antson, US Patent No. 4 058 430 (1977).
16. Ł. Wachnicki, T. Krajewski, G. Łuka, B. Witkowski, B. J. Kowalski, K. Kopalko, J. Z. Domagala, M. Guziewicz, M. Godlewski, and E. Guziewicz, Thin Solid Films, doi:10.1016/j.tsf.2009.12.30 (in print).
17. H. Morkoç and Ü. Özgur, in: Zinc Oxide - Fundamentals, Materials and Device Technology (Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 2009), p. 66.
18. K. Maeda, M. Sato, I. Niikura, and T. Fukuda, Semicond. Sci. Technol. 20, S49 (2005).
19. G. Csaba, C. Erlen, M. Pra, and P. Lugli, in: International Symposium on Integrated Circuits, vol. 1 and 2 (IEEE, NY, 2007), p. 357.
20. N. Huby, G. Tallarida, M. Kutrzeba, S. Ferrari, E. Guziewicz, L. Wachnicki, and M. Godlewski, Microelectron. Eng. 85, 2442 (2008).