Raman probe to estimate surface energies of embedded semiconductor nanostructures

Journal of Raman Spectroscopy

Volumn 41, Issue 6, 2010, Pages 628-631

  Dhara, S ^a   Magudapathy, P ^a   Nair, K G M ^a   Raj, Baldev ^a  

^a INDIRA GANDHI CENTRE FOR ATOMIC RESEARCH   (India)

Author keywords

GaN; InN; Raman spectroscopy; Si; Surface energy

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; III-V SEMICONDUCTORS; ION IMPLANTATION; NANOCRYSTALS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS;

EMBEDDED STRUCTURES; EXCESS PRESSURE; IMPLANTATION TECHNIQUE; IONS IMPLANTATION; LIQUID DROP; PHONON PROPERTIES; RAMAN PROBE; SEMICONDUCTOR NANOCLUSTERS; SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES; SI;

NANOCLUSTERS;

EID: 77954078741     PISSN: 03770486     EISSN: 10974555     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/jrs.2506     Document Type: Article

References (25)

1. X. W. Lin, M. Behar, R. Maltez, W. Swider, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 2699.
2. S. Dhara, P. Magudapathy, R. Kesavamoorthy, S. Kalavathi, K. G. M. Nair, G. M. Hsu, L. C. Chen, K. H. Chen, K. Santhakumar, T. Soga, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 261915.
3. K. Kuriyama, H. Kondo, N. Hayashi, M. Ogura, M. Hasegawa, N. Kobayashi, Y. Takahashi, S. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2546.
4. K. Santhakumar, R. Kesavamoorthy, K. G. M. Nair, P. Jayavel, D. Kanjilal, V. S. Sastry, V. Ravichandran, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 2003, 212, 521.
5. S. Dhara, P. Magudapathy, R. Kesavamoorthy, S. Kalavathi, V. S. Sastry, K. G. M. Nair, G. M. Hsu, L. C. Chen, K. H. Chen, K. Santhakumar, T. Soga, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 241904.
6. S. Dhara, C. Y. Lu, K. G. M. Nair, K. H. Chen, C. P. Chen, Y. F. Huang, C. David, L. C. Chen, B. Raj, Nanotechnology 2008, 19, 395401.
7. C. Messmer, J. C. Bilello, J. Appl. Phys. 1981, 52, 4623.
8. C. C. Chen, C. C. Yeh, C. H. Chen, M. Y. Yu, H. L. Liu, J. J. Wu, K. H. Chen, L. C. Chen, J. Y. Peng, Y. F. Chen, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 2791.
9. R. Ruppin, R. Englman, Rep. Prog. Phys. 1970, 33, 149.
10. O. Madelung, Semiconductors: Data Handbook (3rd edn), Springer: Berlin, 2004, Section 2.9.
11. V. Y. Davydov, Y. E. Kitaev, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M. B. Smirnov, A. P. Mirgorodsky, R. A. Evarestov, Phys. Rev. B 1998, 58, 12899.
12. V. Y. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, M. A. Jacobson, O. K. Semchinova, J. Appl. Phys. 1997, 82, 5097.
13. J. Zi, X. Wan, G. Wei, K. Zhang, X. Xie, J. Phys. Condens. Matter. 1996, 8, 6323.
14. A. vom Felde, J. Fink, M. Heinzerling, J. Pfluger, B. Scheerer, G. Linker, D. Kaletta, Phys. Rev. Lett. 1984, 53, 922.
15. J. E. Northrup, J. Neugebauer, Phys. Rev. B 1996, 53, R10477.
16. A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 2003, 94, 2779.
17. Z. G. Qian, W. Z. Shen, H. Ogawa, Q. X. Guo, J. Appl. Phys. 2003, 93, 2643.
18. C. Pinquier, F. Demangeot, J. Frandon, J. C. Chervin, A. Polian, B. Couzinet, P. Munsch, O. Briot, S. Ruffenach, B. Gil, B. Maleyre, Phys. Rev. B 2006, 73, 115211.
19. S. Sahoo, M. S. Hu, C. W. Hsu, L. C. Chen, K. H. Chen, A. K. Arora, S. Dhara, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 233116.
20. T. Matsuok, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1246.
21. C. K. Gan, D. J. Srolovitz, Phys. Rev. B 2006, 74, 115319.
22. A. K. Arora, M. Rajalakshmi, T. R. Ravindran, Phonon confinement in nanostructured Materials, in Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, vol. 8 (Ed.: H. S. Nalwa), American Scientific Publishers: Los Angeles 2004, p 499.
23. B. A. Weinstein, G. J. Piermarini, Phys. Rev. B 1975, 12, 1172.
24. R. G. Linford, L. A. Mitchell Surf. Sci. 1971, 27, 142.
25. J. W. Cahn, R. E. Hanneman, Surf. Sci. 1964, 1, 387.