Effect of contact mode on the electrical transport and field-emission performance of individual boron nanowires

Advanced Functional Materials

Volumn 20, Issue 12, 2010, Pages 1994-2003

  Liu, Fei ^a   Su, Zanjia ^a   Li, Li ^a   Mo, Fuyao ^a   Jin, Shunyu ^a   Deng, Shaozhi ^a   Chen, Jun ^a   Shen, Chengmin ^b   Gao, Hongjun ^b   Xu, Ningsheng ^a  

^a SUN YAT SEN UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT BARRIER; CONTACT MODES; DEVICE APPLICATION; ELECTRICAL TRANSPORT; EMISSION STABILITY; FIELD-EMISSION CHARACTERISTICS; FOWLER-NORDHEIM PLOTS; GROWTH MODES; IN-SITU; METAL INSULATORS; NANO-SCALE SYSTEM; NANOEMITTERS; NONLINEAR BEHAVIOR; SCANNING ELECTRON MICROSCOPE; SI SUBSTRATES; TOPDOWN; VACUUM BREAKDOWN; VAPOR-LIQUID-SOLID;

ASPECT RATIO; BORON; BORON COMPOUNDS; MATHEMATICAL MODELS; METAL INSULATOR BOUNDARIES; METAL INSULATOR TRANSITION; NANOWIRES; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; VACUUM;

ELECTRIC WIRE;

EID: 77953826169     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201000149     Document Type: Article

References (45)

1. B. Liu, M. A. McCarthy, Y. K. Yoon, D. Y. Kim, Z. C. Wu, F. So, P. H. Holloway, J. R. Reynolds, J. Guo, A. G. Rinzler, Adv. Mater. 2008, 20, 3605.
2. W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3129.
3. J. F. Wu, M. Wyse, D. McClain, N. Thomas, J. Jiao, Nono Lett. 2009, 9, 595.
4. H. H. Huang, G. J. Fang, X. M. Mo, L. Y. Yuan, H. Zhou, M. J. Wang, H. B. Xiao, X. Z. Zhao, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 063 512.
5. J. Y. Son, S. J. Lim, J. H. Cho, W. K. Seong, H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 053 109.
6. X. D. Wang, J. H. Song, J. Liu, Z. L. Wang, Science 2007, 316, 102.
7. J. H. Song, J. Zhou, Z. L. Wang, Nano Lett. 2006, 6, 1656.
8. J. Zhou, L. Gong, S. Z. Deng, J. Chen, J. C. She, N. S. Xu, R. Yang, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 223 108.
9. J. C. She, S. An, S.Z. Deng, J.Chen, Z. M. Xiao, J. Zhou, N. S. Xu, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 073 103.
10. C. Liu, Z. Hu, Q. Wu, X. Z. Wang, Y. Chen, H. Sang, J. M. Zhu, S. Z. Deng, N. S. Xu, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 1318.
11. T-S. Kang, A. P. Smith, B. E.Taylor, M. F. Durstock, Nano Lett. 2009, 9, 601.
12. J. Chen, N. Y. Huang, S. Z. Deng, J. C. She, N. S. Xu, W. Zhang, X. Wen, S. Yang, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 151 107.
13. Z. Y. Zhang, K. Yao, Y. Liu, C. H. Jin, X. L. Liang, Q. Chen, L. M. Peng, Adv. Mater. 2007, 17, 2478.
14. F. A. Padovani, R. Stratton, Solid-State Eledron. 1966, 9, 695.
15. Y. Gu, E. S. Kwak, J. L. Lensch, J. E. Allen, T. W. Odom, L. J. Lauholna, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 047 111.
16. J. Appenzeller, M. Radosavlijevic, J. Knoch, P. Avouris, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 048 301.
17. X. D. Bai, E. G. Wang, P. X. Gao, Z. L. Wang, Nono Lett. 2003, 3, 1147.
18. C. H. Lee, J. S. Wang, V. K. Kayatsha, J. Y. Huang, Y. K. Yap, Nanotechnology 2008, 19, 455 605.
19. J. S. Wang, V. K. Kayastha, Y. K. Yap, Z. Y. Fan, J. G. Lu, Z. W. Pan, I. N. Ivanov, A. A. Puretzky, D. B. Geohegan, Nano Lett. 2005, 5, 2528.
20. C. H. Lee, M. Xie, V. Kayastha, J. S. Wang, Y. K. Yap, Chem. Mater. 2010, 22, 1782.
21. X. D. Bai, J. D. Guo, J. Yu, E. G. Wang, J. Yuan, W. Zhuo, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2624.
22. W. L. Wang, X. D. Bai, K. H. Liu, Z. Xu, D. Golberg, Y. Bando, E. G. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 5530.
23. J. Yu, E. C. Wang, G. C. Xu, Chem. Phys. Lett. 1998, 292, 531.
24. F. LIu, J. F. Tian, L. H. Bao, T. Z. Yang, C. M. Shen, X. Y. Lai, Z. M. Xiao, W. G. Xie, S. Z. Deng, J. Chen, J. C. She, N. S. Xu, H. J. Gao, Adv. Mater. 2008, 20, 2609.
25. X. J. Wang, J. F. Tian, T. Z. Yang, L. H. Bao, C. Hui, F. Liu, C. M. Shen, C. Z. Cu, N. S. Xu, H. J. Gao, Adv. Mater. 2007, 19, 4480.
26. S. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, H. J. Dai, Science 1999, 283, 512.
27. F. Y. Cao, K. F. Zhong, A. M. Gao, C. L. Chen, Q. X. Li, Q. W. Chen, J. Phys. Chem. B 2007, 111, 1724.
28. Y. Zhang, N. W. Franklin, R. J. Chen, H. J. Dai, Chem. Phys. Lett. 2000, 331, 35.
29. R. H. Fowler, L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London Ser. A 1928, 119, 173.
30. H. E. Tomaschke, D. Alpert, J. Appl. Phys. 1967, 38, 881.
31. R. V. Latham, N. S. Xu, High Voltage Vacuum Insulation (Ed: R. Latham), Academic Press, London, UK 1995.
32. J. G. Simmons, Phys. Rev. Lett. 1967, 22, 657.
33. J. G. Simmons, Phys. Rev. 1968, 166, 912.
34. N. S. Xu, R. V. Latham, in High-Voltage Vacuum Insulation: Basic Concepts and Technological Practice (Ed: R. V. Latham), Academic Press, London, UK 1995, p. 176.
35. Z. Xu, X. D. Bai, E. G. Wang, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2005, 87,163 106.
36. D. L. Carroll, P. Redlich, P. M. Ajayan, J. C. Charlier, X. Blasé, A. D. Vita, R. Car, Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 2811.
37. J. M. Bonard, K. A. Dean, B. F. Coll, C. Klinke, Phys. Rev. Lett. 2002, 89,197 602.
38. A. Buldum, J. P. Lu, Php. Rev. Lett. 2003, 91 236 801.
39. X. Zheng, G. H. Chen, Z. B. Li S. Z. Deng, N. S. Xu, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 106 803.
40. J. Luo, L. M. Peng, Z. Q. Xue, J. L. Wu, Phys. Rev. Lett. 2002, 66, 155 407.
41. G. Zhou, W. H. Duan, B. L Gu, Php. Rev. Lett. 2001, 87, 095 504.
42. F. Liu, P. J. Cao, H. R. Zhang, C. M. Shen, Z. Wang, J. Q. Li, H. J. Gao, J. Cryst. Growth 2005, 274, 126.
43. P. j. Cao, Y. S. Gu, H. W. Liu, F. Shen, Y. G. Wang, Q. F. Zhang, J. L. Wu, H. J. Gao J. Mater. Res. 2003, 18, 16.
44. H. T. Yang, C. M. Shen, Y. K. Su, T. Z. Yang, H. J. Gao, Y. G. Wang, Appl. Phys Lett. 2003, 82, 4729.
45. S. T. He, J. N. Yao, P. Jiang, D. X. Shi, H. X. Zhang, S. S. Xie, S. J. Pang, H. J. Gao, Langmuir 2001, 17, 1571.