Fabrication and field emission properties of triode-type carbon nanotube emitter arrays

Nano Letters

Volumn 9, Issue 2, 2009, Pages 595-600

  Wu, Jianfeng ^a   Wyse, Madeline ^a   McClain, Devon ^a   Thomas, Nicole ^a   Jiao, Jun ^a  

^a PORTLAND STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON NANOTUBE EMITTERS; CARBON NANOTUBE FIELD EMITTERS; DUAL BEAMS; EMISSION TESTING; EMITTER ARRAYS; EMITTER CURRENTS; FIELD EMISSION PROPERTIES; FIELD ENHANCEMENT FACTORS; FOCUSED ION BEAM TECHNOLOGIES; GATE VOLTAGES; LOCAL ELECTRIC FIELDS; PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS; QUANTUM MECHANICAL MODELS; SIGNIFICANT IMPACTS; THRESHOLD FIELDS; TUNNELING BARRIERS; WET CHEMISTRIES;

ELECTRIC FIELDS; FIELD EMISSION; PLASMA DEPOSITION; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; TRIODES;

CARBON NANOTUBES;

EID: 65249161657     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/n1802777g     Document Type: Article

References (20)

1. Zhu, W.; Bower, C.; Zhou, O.; Kochanski, G.; Jin, S. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 873.
2. Milne, W. I.; Teo, K. B. K.; Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. J.; Lee, S. B.; Hasko, D. G.; Ahmed, H.; Groening, O.; Legagneux, P.; Gangloff, L.; Schnell, J. P.; Pirio, G.; Pribat, D.; Castignolles, M.; Loiseau, A.; Semet, V.; Thien Binh. V. Diamond Relat. Mater. 2003, 12, 422.
3. Teo, K. B. K.; Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. J.; Milne, W. I.; Legagneux, P.; Pirio, G.; Gangloff, L.; Pribat, D.; Bruenger, W. H.; Eichholz, J.; Hanssen, H.; Friedrich, D.; Lee, S. B.; Hasko, D. G.; Ahmed, H. J. Vac. Sci. Technol., B 2002, 20, 116.
4. Pirio, G.; Legagneux, P.; Pribat, D.; Teo, K. B. K.; Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. J.; Milne, W. I. Nanotechnology 2002, 13, 1.
5. Lee. Y. H.; Jang, Y. T.; Kim, D. H.; Ahn. J. H.; Ju, B. K. Adv. Mater. 2001, 13, 479.
6. Gangloff, L.; Minoux, E.; Teo, K. B. K.; Vincent, P.; Semet, V. T.; Binh, V. T.; Yang, M. H.; Bu, I. Y. Y.; Lacerda, R. G.; Pirio, G.; Schnell, J. P.; Pribat, D.; Hasko, D. G.; Amaratunga, G. A. J.; Milne, W. I.; Legagneux, P. Nano Lett. 2004, 4, 1575.
7. Choi, J. H.; Zoulkarneev, A. R.; Jin, Y. W.; Park, Y. J.; Chung, D. S.; Song, B. K.; Han, I. T.; Lee, H. W.; Park, S. H.; Kang, H. S.; Kim, H. J.; Kim, J. W.; Jung, J. E.; Kim, J. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1022.
8. Li, S. Y.; Lee, C. Y.; Lin, P.; Tseng. T. Y. J. Vac. Sci. Technol., B 2006, 24, 147.
9. She, J. C.; Deng, S. Z.; Xu, N. S.; Yao, R. H.; Chen, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 013112.
10. Guillorn, M. A.; Melechko, A. V.; Merkulov, V. I.; Ellis, E. D.; Britton, C. L.; Simpson. M. L.; Lowndes, D. H. Appl. Phvs. Lett. 2001, 79, 3506.
11. Melechko, A. V.; Merkulov, V. I.; McKnight, T. E.; Guillorn, M. A.; Klein, K. L.; Lowndes, D. H.; Simpson, M. L. J. Appl. Phys. 2005, 97, 041301.
12. Wu, J.; Dong, L.; Pan, C.; Jiao, J. Int. J. Nanosci. 2006, 5 (4 & 5), 579.
13. Wu, J.; Eastman, M.; Gutu, T.; Wyse, M.; Jiao, J.; Kim, S. M.; Mann, M.; Zhang, Y.; Teo, K. B. K. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 173122.
14. Bird, J. Electrical and Electronic Principles and Technology; Newnes: Burlington, 2003; p 57.
15. Spindt, C. A.; Holland, C. E.; Schwoebel, P. R.; Brodie, I. J. Vac. Sci. Technol., B 1996, 14, 1986.
16. Zhu, W. Vacuum Microelectronics; Wiley-IEEE: New York, 2001; p 324.
17. Fowler, R. H.; Nordheim, L. W. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1928, 119, 173.
18. Nordheim, L. W. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1928, 121, 626.
19. Shiraishi, M.; Ata, M. Carbon 2001, 39 (12), 1913.
20. Levi, A. F. J. Applied Quantum Mechanics; Cambridge University Press: New York, 2006; p 145.