Characterization of nonvolatile memory behaviors of Al/Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)/Al2O3/ZnO thin-film transistors

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Yoon, Sung Min ^a,b   Yang, Shin Hyuk ^a   Byun, Chun Won ^a   Ko Park, Sang Hee ^a   Jung, Soon Won ^a   Cho, Doo Hee ^a   Kang, Seung Youl ^a   Hwang, Chi Sun ^a   Ishiwara, Hiroshi ^b  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^b TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC DEVICE; FERROELECTRIC POLYMERS; GATE BIAS; GATE STRUCTURE; NON-VOLATILE MEMORIES; ON/OFF RATIO; OXIDE SEMICONDUCTOR; POLY(VINYLIDENE FLUORIDE-TRIFLUOROETHYLENE) [P(VDF-TRFE)]; PROGRAMMING VOLTAGE; PULSE AMPLITUDE; PULSE DURATIONS; RETENTION BEHAVIOR; TRIFLUOROETHYLENE; VINYLIDENE FLUORIDE; VOLTAGE PULSE; ZNO;

SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; ZINC OXIDE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 77952711207     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DJ06     Document Type: Article

References (35)

1. R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, and D. M. de Leeuw: Nat. Mater. 4 (2005) 243.
2. R. Schroeder, L. A. Majewski, and M. Grell: Adv. Mater. 16 (2004) 633.
3. S. J. Kang, I. Bae, Y. J. Park, T. H. Park, J. Sung, S. C. Yoon, K. H. Kim, D. H. Choi, and C. Park: Adv. Funct. Mater. 19 (2009) 1609.
4. K. N. N. Unni, R. de Bettignies, S. D. Seignon, and J.-M. Nunzi: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 1823.
5. T. Sekitani, K. Zaitsu, Y. Noguchi, K. Ishibe, M. Takamiya, T. Sakurai, and T. Someya: IEEE Trans. Electron Devices 56 (2009) 1027.
6. H. Yin, S. Kim, H. Lim, Y. Min, C. J. Kim, I. Song, J. Park, S. W. Kim, A. Tikhonovsky, J. Hyun, and Y. Park: IEEE Trans. Electron Devices 55 (2008) 2071.
7. D. Gupta, M. Anand, S. W. Ryu, Y. K. Choi, and S. Yoo: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 224106.
8. H. Yin, S. Kim, C. J. Kim, I. Song, J. Park, S. Kim, and Y. Park: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 172109.
9. C. Novembre, D. Guérin, K. Nmimouni, C. Gamrat, and D. Vuillaume: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 103314.
10. A. Suresh, S. Novak, P. Williams, V. Misra, and J. F. Muth: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 123501.
11. M. W. J. Prins, K.-O. G. Holz, G. Müller, J. F. M. Cillessen, J. B. Giesbers, R. P. Weening, and R. M. Wolf: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3650.
12. E. Cagin, D. Y. Chen, J. J. Siddiqui, and J. D. Phillips: J. Phys. D 40 (2007) 2430.
13. I. Titkov, I. Pronin, L. Delimova, I. Liniichuk, and I. Grekhov: Thin Solid Films 515 (2007) 8748.
14. S. H. Noh, W. Choi, M. S. Oh, D. K. Hwang, K. Lee, S. Im, S. Jang, and K. Kim: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 253504.
15. K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, S. Im, and S. M. Yoon: Adv. Mater. 21 (2009) 4287.
16. S. M. Yoon, S. Yang, S. H. Ko Park, S. W. Jung, D. H. Cho, C. W. Byun, S. Y. Kang, C. S. Hwang, and B. G. Yu: J. Phys. D 42 (2009) 245101.
17. C. A. Nguyen, S. G. Mhaisalkar, J. Ma, and P. S. Lee: Org. Electron. 9 (2008) 1087.
18. K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, and S. Im: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 093304.
19. C. W. Choi, A. A. Prabu, Y. M. Kim, S. Yoon, K. J. Kim, and C. Park: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 182902.
20. A. J. Lovinger: Science 220 (1983) 1115.
21. T. Furukawa: Phase Transitions 18 (1989) 143.
22. S. H. K. Park, C. S. Hwang, H. S. Kwack, J. H. Lee, and H. Y. Chu: Electrochem. Solid-State Lett. 9 (2006) G299.
23. S. H. K. Park, C. S. Hwang, M. Ryu, S. Yang, C. Byun, J. Shin, J. I. Lee, K. Lee, M. S. Oh, and S. Im: Adv. Mater. 21 (2009) 678.
24. S. H. K. Park, D. H. Cho, C. S. Hwang, S. Yang, M. K. Ryu, C. W. Byun, S. M. Yoon, W. S. Cheong, K. I. Cho, and J. H. Jeon: ETRI J. 31 (2009) 653.
25. T. Nakajima, R. Abe, Y. Takahashi, and T. Furukawa: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L1385.
26. T. Nakajima, Y. Takahashi, and T. Furukawa: Appl. Phys. A 91 (2008) 33.
27. R. Gysel, I. Stolichnov, A. K. Tagantsev, N. Setter, and P. Mokry: J. Appl. Phys. 103 (2008) 084120.
28. T. Furukawa, T. Nakajima, and Y. Takahashi: IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 13 (2006) 1120.
29. T. Furukawa, S. Kanai, A. Okada, Y. Takahashi, and R. Yamamoto: J. Appl. Phys. 105 (2009) 061636.
30. R. V. Gaynutdinov, O. A. Lysova, S. G. Yudin, A. L. Tolstikhina, A. L. Kholkin, V. M. Fridkin, and S. Ducharme: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 023303.
31. R. C. G. Naber, P. W. M. Bolm, A. W. Marsman, and D. M. de Leeuw: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 2032.
32. H. Kliem and R. T. Morgane: J. Phys. D 38 (2005) 1860.
33. R. C. G. Naber, P. W. M. Bolm, and D. M. de Leeuw: J. Phys. D 39 (2006) 1984.
34. E. Tokumitsu, K. Okamoto, and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 2917.
35. I. Lazareva, Y. Koval, P. Müller, K. Müller, K. Henkel, and D. Schmeisser: J. Appl. Phys. 105 (2009) 054110.