AlxGa1-xN-based avalanche photodiodes with high reproducible avalanche gain

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 5, Issue 6, 2008, Pages 2316-2319

  Tut, Turgut ^a   Gokkavas, Mutlu ^a   Ozbay, Ekmel ^a  

^a BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AVALANCHE GAINS; CUT-OFF; DETECTIVITY; RESPONSIVITY; REVERSE BIAS; SOLAR-BLIND PHOTODETECTORS; ULTRAVIOLET ILLUMINATION;

NITRIDES; OPTOELECTRONIC DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES;

PHOTODETECTORS;

EID: 77951241044     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200778735     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. E. Ozbay, N. Biyikli, I. Kimukin, T. Tut, T. Kartaloglu, and O. Aytur, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 10(4), 742 (2004).
2. C. J. Collins, U. Chowdhury, M. M. Wong, B. Yang, A. L. Beck, and R. D. Dupuis, Electron. Lett. 38, 824 (2002).
3. N. Biyikli, T. Kartaloglu, O. Aytur, I. Kimukin, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 79, 2838 (2001).
4. N. Biyikli, I. Kimukin, T. Tut, O. Aytur, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 81, 3272 (2002).
5. S. Butun, M. Gokkavas, HongBo Yu, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 89, 073503 (2006).
6. J. C. Campbell, S. Demiguel, F. Ma, A. Beck, X. Guo, S. Wang, X. Zheng, X. Li, J. D. Beck, M. A. Kinch, A. Huntington, L. A. Coldren, J. Decobert, and N. Tscherptner, IEEE J. Quantum Electron. 10, 777 (2004).
7. T. Tut, S. Butun, B. Butun, M. Gokkavas, H.B. Yu, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 87, 223502 (2005).
8. N. Biyikli, I. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, and E. Ozbay, phys. stat. sol. (c) 7, 2314 (2003).
9. Y. Wang, K. Brennan, and P. Ruden, IEEE J. Quantum Electron. 27, 232 (1991).
10. P. Ruden and S. Krishnankutty, IEEE Trans. Electron Devices 46, 2348 (1999).
11. C. Sevik and C. Bulutay, Appl. Phys. Lett. 83, 1382 (2003).
12. K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, A. Lightfoot, M. W. Geis, K. M. Molvar, I. Melngailis, R. L. Aggarwal, W. D. Goodhue, S. S. Choi, D. L. Spears, and S. Verghese, Appl. Phys. Lett. 75, 3485 (1999).
13. J. C. Carrano, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting, C. J. Collins, T. Li, S. Wang, B. Yang, A. L. Beck, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 76, 924 (2000).
14. A. Osinsky, M. S. Shur, R. Gaska, and Q. Chen, Electron. Lett. 34, 691 (1998).
15. S. Verghese, K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, R. L. Aggarwal, M. W. Geis, K. M. Molvar, E. K. Duerr, and I. Mclngailis, IEEE Electron. Dev. Lett. 48, 502 (2001).
16. K. A. McIntosh, R. J. Molnar, L. J. Mahoney, K. M. Molvar, N. Efremov, and S. Verghese, Appl. Phys. Lett. 76, 3938 (2000).
17. B. Yang, T. Li, K. Heng, C. Collins, S. Wang, J. C. Carrano, R. D. Dupuis, J. C. Campbell, M. J. Schurman, and I. T. Ferguson, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1389 (2000).
18. J. B. Limb, D. Yoo, J. H. Ryou, W. Lee, S. C. Shen, R. D. Dupuis, M. L. Reed, C. J. Collins, M. Wraback, D. Hanser, E. Preble, N. M. Williams, and K. Evans, Appl. Phys. Lett. 89, 011112 (2006).
19. R. McClintock, A. Yasan, K. Minder, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 87, 241123 (2005).
20. T. Tut, M. Gokkavas, B. Butun, S. Butun, E. Ulker, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 89, 183524 (2006).
21. T. Tut, N. Biyikli, I. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, S. Unlu, and E. Ozbay, Solid State Electron. 49, 117 (2005).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), Chap. 13, p. 744.