Ge2Sb2Te5 Phase change memory cell featuring platinum tapered heating electrode for low-voltage operation

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 2 Part 1, 2010, Pages

  Lv, Shilong ^a   Song, Zhitang ^a   Liu, Yan ^a,b   Feng, Songlin ^a  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FOCUS ION BEAM; IN-PHASE; LOW VOLTAGE OPERATION; PHASE CHANGE MEMORY CELLS; PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY; PT ELECTRODE; RESET VOLTAGE; TEMPERATURE RISE; THERMAL SIMULATIONS; TUNGSTEN ELECTRODES;

GERMANIUM; HEATING; PLATINUM; RANDOM ACCESS STORAGE; TELLURIUM COMPOUNDS; TUNGSTEN;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 77950814028     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.026503     Document Type: Article

References (29)

1. A. A. Tseng: Small 1 (2005) 924.
2. P. S. K. Karre, P. L. Bergstrom, G. Mallick, and S. P. Karna: J. Appl. Phys. 102 (2007) 024316.
3. A. Motayed, M. He, A. V. Davydov, J. Melngailis, and S. N. Mohammad: J. Appl. Phys. 100 (2006) 114310.
4. A. Wagner, J. P. Levin, J. L. Mauer, P. G. Blauner, S. J. Kirch, and P. Longo: J. Vac. Sci. Technol. B 8 (1990) 1557.
5. T. W. Ebbesen, H. J. Lezec, H. Hiura, J. W. Bennett, H. F. Ghaemi, and T. Thio: Nature 382 (1996) 54.
6. V. Gopal, V. R. Radmilovic, C. Daraio, S. Jin, P. Yang, and E. A. Stach: Nano Lett. 4 (2004) 2059.
7. A. Vila, F. Hernandez-Ramirez, J. Rodriguez, O. Casals, A. Romano- Rodriguez, J. R. Morante, and M. Abid: Mater. Sci. Eng. C 26 (2006) 1063.
8. S. Hudgens and B. Johnson: MRS Bull. 29 (2004) 829.
9. S. Lay: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 255.
10. S. Y. Lee and K. Kim: Dig. Tech. Pap. Int. Conf. Integrated Circuit Design and Technology, 2004; p. 45.
11. Y. N. Hwang, S. H. Lee, S. J. Ahn, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, H. S. Hong, H. C. Koo, F. Yeung, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kinam: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 893.
12. J. H. Oh, J. H. Park, Y. S. Lim, H. S. Lim, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, Y. J. Song, K. C. Ryoo, D. W. Lim, S. S. Park, J. I. Kim, J. H. Kim, J. Yu, F. Yeung, C. W. Jeong, J. H. Kong, D. H. Kang, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kinam: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 2.6.
13. S. Lai and T. Lowrey: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 803.
14. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, S. Hudgens, and R. Bez: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 699.
15. B. Liu, T. Zhang, J. L. Xia, Z. T. Song, S. L. Feng, and B. Chen: Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) L61.
16. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nat. Mater. 4 (2005) 347.
17. Y. J. Song, J. H. Park, S. Y. Lee, J.-H. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, K. C. Ryoo, S. J. Ahn, C. W. Jeong, J. M. Shin, W. C. Jeong, K. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. N. Kim; Proc. ESSDERC, 2005, p. 513.
18. S. R. Ovshinsky: Phys. Rev. Lett. 21 (1968) 1450.
19. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, S. Hudgens, and R. Bez: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 699.
20. S. H. Lee, Y. N. Hwang, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, S. J. Ahn, H. C. Koa, C. W. leong, Y.-T. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kinam: Proc. Symp. VLSI Tech. Dig., 2004, p. 20.
21. Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. P. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. Breitwisch, A. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. Cheek, T. Nirschl, M. Lamorey, C. F. Chen, E. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1.
22. Y. C. Chen, H. P. Chen, Y. Y. Liao, H. T. Lin, L. H. Chou, J. S. Kuo, P. H. Chen, S. L. Lung, and R. Liu: LSI Symp. Tech. Dig., 2003, p. 32.
23. C. Xu, Z. T. Song, B. Liu, S. L. Feng, and B. Chen: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 062103.
24. D. H. Kang, D. H. Ahn, K. B. Kim, J. F. Webb, and K. W. Yi: J. Appl. Phys. 94 (2003) 3536.
25. M. S. H. Go: MS thesis; Delft University of Technology, Delft, The Netherlands (2001).
26. T. Tao, J. S. Ro, J. Melngailis, Z. Xue, and D. Kaesz: J. Vac. Sci. Technol. B 8 (1990) 1826.
27. R. M. Langford, T.-X. Wang, and D. Ozkaya: Microelectron. Eng. 84 (2007) 784.
28. J. Melngailis and P. G. Blauner: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 147 (1989) 127.
29. C. W. Jeong, D. H. Kang, D. W. Ha, Y. J. Song, J. H. Oh, J. H. Kong, J. H. Yoo, J. H. Park, K. C. Ryoo, D. W. Lim, S. S. Park, J. I. Kim, Y. T. Oh, J. S. Kim, J. M. Shin, J. Park, Y. Fai, Y. T. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: presented at ICMTD, 2007.