Lower current operation of phase change memory cell with a thin Ti O2 layer

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 6, 2008, Pages

  Xu, Cheng ^a   Song, Zhitang ^a   Liu, Bo ^a   Feng, Songlin ^a   Chen, Bomy ^b  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

^b SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC POWER UTILIZATION; RANDOM ACCESS STORAGE; THRESHOLD VOLTAGE; TITANIUM DIOXIDE; TUNGSTEN;

ELECTRICAL THRESHOLD SWITCHING; HEATING ELECTRODES;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 39349095640     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2841655     Document Type: Article

References (20)

1. R. Neale, Electron. Eng. (U.K.) ELCEA9 0013-4902 73, 891 (2001).
2. J. Feinleib, J. de Neufville, S. C. Moss, and S. R. Ovshinsky, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1653653 18, 254 (1971).
3. D. Adler, M. S. Shur, M. Silver, and S. R. Ovshinsky, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.328036 51, 3289 (1980).
4. J. P. Reifenberg, M. A. Panzer, S. B. Kim, A. M. Gibby, Y. Zhang, S. Wong, H.-S. P. Wong, E. Pop, and K. E. Goodson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2784169 91, 111904 (2007).
5. B. Liu, T. Zhang, J. L. Xia, Z. T. Song, S. L. Feng, and B. Chen, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/19/6/L01 19, L61 (2004).
6. K. Wang, D. Wamwangi, S. Ziegler, C. Steimer, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1803612 96, 5557 (2004).
7. S. Lai and T. Lowrey, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2001, 36.5.1.
8. S. Lai, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2003, 10.1.1.
9. Y. H. Ha, J. H. Yi, H. Horii, J. H. Park, S. H. Joo, S. O. Park, U. I. Chung, and J. T. Moon, Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers 2003, 175.
10. H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. I. Chung, and J. T. Moon, Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers 2003, 177.
11. Y. N. Hwang, S. H. Lee, S. J. Ahn, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, H. S. Hong, H. C. Koo, F. Yeung, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kinam, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2003, 37.1.1.
12. D. S. Chao, H. H. Hsu, M. J. Chen, Y. C. Chen, F. Chen, C. M. Lee, P. H. Yen, C. W. Chen, W. H. Wang, W. S. Chen, C. Lien, M. J. Kao, and M. J. Tsai, VLSI-TSA International Symposium. 2007, 1.
13. Y. Matsui, K. Kurotsuchi, O. Tonomura, T. Morikawa, M. Kinoshita, Y. Fujisaki, N. Matsuzaki, S. Hanzawa, M. Terao, N. Takaura, H. Moriya, T. Iwasaki, M. Moniwa, and T. Koga, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2006, 1.
14. F. Rao, Z. T. Song, L. C. Wu, M. Zhong, S. L. Feng, and B. Chen, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2771053 91, 073505 (2007).
15. S. Y. Lee, K. J. Choi, S. O. Ryu, S. M. Yoon, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. H. Kim, S. H. Lee, and B. G. Yu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2335363 89, 053517 (2006).
16. D. Ulrike, Surf. Sci. Rep. SSREDI 0167-5729 10.1016/S0167-5729(02)00100-0 48, 53 (2003).
17. D. Ristau and J. Ebert, Appl. Opt. APOPAI 0003-6935 25, 4571 (1986).
18. A. Borkowska, J. Domaradzki, and D. Kaczmarek, Photonics and Microsystems, International Students and Young Scientists Workshop, 2006 (unpublished), p. 5.
19. B. W. Levinger, J. Met. JOMTAA 0148-6608 5, 195 (1953).
20. D. H. Kang, D. H. Ahn, K. B. Kim, J. F. Webb, and K. W. Yi, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1598272 94, 3536 (2003).