Carrier transport in strained p-channel field-effect transistors with diamondlike carbon liner stressor

Applied Physics Letters

Volumn 96, Issue 9, 2010, Pages

  Cheng, Ran ^a   Liu, Bin ^a   Yeo, Yee Chia ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BALLISTIC EFFICIENCY; CARRIER INJECTION; DIAMOND-LIKE CARBON; DRIVE CURRENTS; GATE LENGTH;

FIELD EFFECT TRANSISTORS; MESFET DEVICES;

CARRIER MOBILITY;

EID: 77949343547     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3340947     Document Type: Article

References (11)

1. A. Oishi, O. Fujii, T. Yokoyama, K. Ota, T. Sanuki, H. Inokuma, K. Eda, T. Idaka, H. Miyajima, S. Iwasa, H. Yamasaki, K. Oouchi, K. Matsuo, H. Nagano, T. Komoda, Y. Okayama, T. Matsumoto, K. Fukasaku, T. Shimizu, K. Miyano, T. Suzuki, K. Yahashi, A. Horiuchi, Y. Takegawa, K. Saki, S. Mori, K. Ohno, I. Mizushima, M. Saito, M. Iwai, S. Yamada, N. Nagashima, and F. Matsuoka, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2005, 229.
2. K. M. Tan, M. Zhu, W. W. Fang, M. Yang, T. Y. Liow, R. T. P. Lee, K. M. Hoe, C. H. Tung, N. Balasubramanian, G. S. Samudra, and Y. C. Yeo, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2007, 127.
3. K. M. Tan, M. Zhu, W. W. Fang, M. Yang, T. Y. Liow, R. T. P. Lee, K. M. Hoe, C. H. Tung, N. Balasubramanian, G. S. Samudra, and Y. C. Yeo, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 29, 192 (2008). 10.1109/LED.2007.914103
4. K. M. Tan, W. W. Fang, M. Yang, T. Y. Liow, R. T. P. Lee, N. Balasubramanian, and Y. C. Yeo, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 29, 750 (2008). 10.1109/LED.2008.923710
5. K. Natori, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 76, 4879 (1994). 10.1063/1.357263
6. M. Lundstrom, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 18, 361 (1997). 10.1109/55.596937
7. M. S. Lundstrom, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 22, 293 (2001). 10.1109/55.924846
8. M. J. Chen, H. T. Huang, K. C. Huang, P. N. Chen, C. S. Chang, and C. H. Diaz, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2002, 39.
9. K. W. Ang, H. C. Chin, K. J. Chui, M. F. Li, G. S. Samudra, and Y. -C. Yeo, Solid-State Electron. SSELA5 0038-1101 51, 1444 (2007).
10. H. N. Lin, H. W. Chen, C. H. Ko, C. H. Ge, H. C. Lin, T. Y. Huang, and W. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 26, 676 (2005). 10.1109/LED.2005.853640
11. H. N. Lin, H. W. Chen, C. H. Ko, C. H. Ge, H. C. Lin, T. Y. Huang, W. C. Lee, and D. D. Tang, Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol. DTPTEW 0743-1562 2005, 174.