Emerging non-volatile memories by exploiting redox reactions on the nanoscale

ECS Transactions

Volumn 25, Issue 7, 2009, Pages 441-446

  Waser, Rainer ^a,b  

^a Institute of Energy and Climate Research Plasma Physics   (Germany)

^b RWTH AACHEN UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DATA STORAGE EQUIPMENT; NANOTECHNOLOGY;

EMERGING NON-VOLATILE MEMORY; MEMORY CELL; MEMORY EFFECTS; NANO SCALE; NON-VOLATILE; SCALABLE MEMORY;

REDOX REACTIONS;

EID: 74349129465     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3203981     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Materials (2009), in press.
2. A. Asamitsu, Y. Tomioka, H. Kuwahara, Y. Tokura, Nature, 388, 50(1997).
3. M. N. Kozicki, M. Yun, L. Hilt, A. Singh, Electrochem. Soc. 298 (1999).
4. A. Beck, J. G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel, D. Widmer, Appl. Phys. Lett., 11, 139(2000).
5. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater., 6, 833 (2007).
6. A. Sawa, Materials today, 11, 28 (2008).
7. R. Waser, IEEE Techn. Dig. IEDM (2008).
8. M. N. Kozicki, M. Mitkova, Nanotechnology: Volume 3: Information Technology, Wiley-VCH, (2008).
9. X. Guo, C. Schindler, S. Menzel, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 91, 1, (2007).
10. C. Schindler, M. Meier, R. Waser, M. N. Kozicki, IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium, pp. 82-5 (2007).
11. C. Schindler, M. Weides, M. N. Kozicki, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 92, 122910, (2008).
12. K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aono, Nature, 433, 47 (2005).
13. M. Kund, G. Beitel, C. U. Pinnow, T. Rohr, J. Schumann, R. Symanczyk, K. D. Ufert, G. Muller, IEEE Techn. Dig. lEDM (2005).
14. S. Dietrich, M. Angerbauer, M. Ivanov, D. Gogl, H. Hoenigschmid, M. Kund, C. Liaw, M. Markert, R. Symanczyk, L. Altimime, S. Bournat, G. Mueller, IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 42, 839 (2007).
15. T. Baiata, R. Waser, K. H. Hardtl, J. Am. Cer. Soc., 73, 1663 (1990).
16. R. Pinto, Physics Letters A, 35A, 155 (1971).
17. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, S. Tiedke, J. Appl. Phys., 98, 33715 (2005).
18. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nanotechnology (2008).
19. C. Rossel, G. I. Meijer, D. Bremaud, D. Widmer, J. Appl. Phys., 90, 2892 (2001).
20. K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser, Nat. Mater. 5, 312 (2006).
21. Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider, Duncan R. Stewart, R. Stanley Williams, Nature, 453, 80 (2008).
22. H. Pagnia, N. Sotnik, Phys. Stat. Sol. 108, 11 (1988).
23. F. A. Chudnovskii, L. L. Odynets, A. L. Pergament, G. B. Stefanovich, J. Solid State Chem., 122, 95 (1996).
24. D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D.-S. Suh, M. J. Lee, B.-H. Park, I. K. Yoo, Appl. Phys. Lett., 88, 202102 (2006).
25. R. Yasuhara, K. Fujiwara, K. Horiba, M. Kotsugi, F. Guo, H. Kumigashira, M. Oshima, H. Tagaki, WOE, 15 (Poster) (2008).
26. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, I. G, J. T. Moon, IEEE Techn. Dig. IEDM, 587 (2005).
27. D. S. Jeong, H. Schroeder, R. Waser, Electrochemical and Solid-State Letters (2007).
28. M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, S.-E. Ahn, D. H. Seo, I. K. Yoo, I. G. Baek, D. S. Kim, I. S. Byun, S. H. Kim, I. R. Hwang, J. S. Kim, S. H. Jeon, B. H. Park, Adv. Mat., 19, 73 (2007).
29. J. R. Heath, P. J. Kuekes, G. S. Snider, R. S. Williams, Science 280 (1998) 1716.
30. G. Snider, P. Kuekes, T. Hogg, R. Stanley Williams, Appl. Phys. A - Mater. Sci. Process. A80, 1183 (2005).
31. A. DeHon, Randy Huang, J. Wawrzynek, Microprocessors and Microsystems, 30, 301 (2006).
32. Konstantin K. Likharev, Dmitri B. Strukov, Lecture Notes in Physics, 680, 447 (2006).
33. G. S. Snider, R. S. Williams, Nanotechnology 18, 1 (2007).