Defect free PbTe nanowires grown by molecular beam epitaxy on GaAs(111)B substrates

Crystal Growth and Design

Volumn 10, Issue 1, 2010, Pages 109-113

  Dziawa, P ^a   Sadowski, J ^a,b   Dluzewski, P ^a   Lusakowska, E ^a   Domukhovski, V ^a   Taliashvili, B ^a   Wojciechowski, T ^a   Baczewski, L T ^a   Bukala, M ^a   Galicka, M ^a   Buczko, R ^a   Kacman, P ^a   Story, T ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

^b LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 74049162065     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg900575r     Document Type: Article

References (47)

1. Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T.; Persson, A. I.; Thelander, C.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. nano Lett. 2002, 2, 87.
2. Koguchi, M.; Kakibayashi, H.; Yasawa, M.; Hiruma, K.; Katsuyama, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 2061.
3. Duan, X.; Lieber, C. M. Adv. Mater. 2000, 12, 298.
4. Pcrsson. A. I.; Larsson, M. W.; Stenstrom, S.; Ohlsson, B. J.; Samuelson, L.; Wallenberg, L. R. nat. Mater. 2004, 3, 677.
5. Harmand, J. C.; Patriarche, G.; Péré-Laperne, N.; Mérat-Combes, M.-N.; Travers, L.; Glas, F. Appl. Phys. Lett. 2005,87, 203101.
6. Janik, E.; Sadowski, J.; Dluzewski, P.; Kret, S.; Baczewski, L. T.; Petroutchik, A.; Lusakowska, E.; Wrobel, J.; Zaleszczyk, W.; Karczewski, G.: Wojtowicz, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 33114.
7. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
8. Bryllert, T.; Wernersson, L.-E.; Fröberg, L.; Samuelson, L. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 323.
9. Cui. Y.: Lieber, C. M. Science 2001, 291, 851.
10. Huang, Y.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Kim, K.-H.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 630.
11. Björk, M. T.: Ohlsson. B. J.: Thclandcr, C.: Pcrsson, A.; Dcppcrt. K.; Wallenberg, L. R.; Samuelso, L. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4458.
12. Weiss, E.; Kedar, E.; Mainzer. N. J. Cryst. Growth 1993, 132, 191.
13. Patriarche, G.; Glas, F.; Tcheraycheva, M.; Sartel, C.; Largeau, L.; Harmand. J. C.; Cirlin, G. E. Nano Lett. 2008, 8, 1638.
14. Shtrikman, H.; Popovitz-Biro, R.; Krctinin. A.; Heiblum. M. Nano Lett. 2009, 9, 215.
15. Shtrikman, H.; Popovitz-Biro. R.; Kretinin, A.: Houben, L.; Heiblum. M.; Bukala, M.; Galicka, M.; Buczko, R.; Kacman, P. Nano Lett. 2009, 9, 1506.
16. Rahim. M.; Arnold, M.; Felder. F.; Behfar, K.; Zogg, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 151102.
17. Heiss, W.: Schwarzl, T.; Springholz, G.; Biermann, K.; Reimann, K. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 862.
18. Böbcrl. M.; Fromhcrz. T.; Roithcr, J.; Pillwcin, G.; Springholz, G.: Heiss, W. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 041105.
19. Heremans. J. P.; Thrush, C. M.; Morelli, D. T. Phys. Rev. B 2004, 70, 115334.
20. Gelbstein, Y.; Dashevsky, Z.; Dariel, M. P. J. Appl. Phys. 2008, 104, 033702.
21. Allgaier, R. S.; Scanlon. W. W. Phys. Rev. 1958, 111, 1029.
22. Holloway, H.; Logothetis, E. M. J. Appl. Phys. 1971, 42, 4522.
23. Springholz, G.; Bauer, G.; Ihninger, G. J. Cryst. Growth 1993, 127, 302.
24. Grabecki, G. J. Appl. Phys. 2007, 101, 081722.
25. Brebrick, R. F.: Gubner. E. J. Chem. Phys. 1962, 36, 1283.
26. Hewes, R. C.; Adler, M.S.; Senturia, S. D. J. Appl. Phys. 1973, 44, 1327.
27. Melngailis, I. J. Lumin. 1973, 7, 501.
28. Rogalski, A.; Piotrowski, J. Prog. Quantum Electronics 1988, 12, 87.
29. Yuan, S.; Springholz, G.; Bauer, G.; Kriechbaum, M. Phys. Rev. B 1994, 49, 5476.
30. Yuan, S.; Krenn, H.; Springholz, G.; Ueta, Y.; Bauer, G.; McCann, P. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 4607.
31. Abramof, E.:de Andrada e Silva, E. A.; Ferreira, S. O.; Motisuke, P.; Rappl, P. H. O.; Ueta. A. Y. Phys. Rev. B 2001, 63, 085304.
32. Silverman, S. J.; Levinstein, H. Phys. Rev. 1954, 94, 871.
33. Kinoshita, H.; Fujiyasu, H. J. Appl. Phys. 1980, 51, 5845.
34. Partiu. D. L.; Lo. W. J. Appl. Phys. 1981, 52, 1579.
35. Wei, Q.; Lieber, C. M. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000, 581, 219.
36. Qiu, X.; Lou. Y.; Samia, A. C. S.; Devadoss, A.; Burgess. J. D.; Dayal, S.; Burda, C. Angew. Chem., Int. Ed. 2005, 44, 5855.
37. Yang, Y.; Kung, S. C.; Taggart, D. K.; Xiang, C.; Yang, F.; Brown, M. A.; Güell. A. G.; Kruse, T. J.: Hemminger, J. C.; Penner. R. M. Nano Lett. 2008, 8, 2447.
38. Yazawa, M.; Koguchi, M.; Muto, A.; Ozawa, M.; Hiruma, K. Appl. Phys. Lett. 1992, 61, 2051.
39. Dubrovskii, V. G.; Cirlin, G. E.: Soshnikov, I. P.: Tonkikh, A. A.: Sibirev, N. V.; Samsonenko, Yu. B.; Ustinov, V. M. Phys. Rev. B 2005, 71, 205325.
40. Cirlin, G. E.; Tonkikh. A. A.: Samsonenko. Yu. B.; Soshnikov. I. P.; Polyakov, N. K.; Dubrovkii, V. G.; Ustinov, V. M. Czech. J. Phys. 2006, 56, 13.
41. Sadowski. J.; Dluzewski, P.; Kret, S.: Janik, E.; Lusakowska, E.: Kanski, J.; Presz, A.; Terki, F.; Charar, S.; Tang, D. Nano Lett. 2007, 7, 2724.
42. Dubrovskii, V. G.: Sibirev. N. V. Phys. Rev. B 2008, 77, 035414.
43. Akayama, T.; Nakamura, K.; Ito, T. Phys. Rev. B 2006, 73, 235308.
44. Leitsmann, R.; Bechistedt, F. J. Appl. Phys. 2007, 102, 063528.
45. Galicka. M.; Bukala, M.; Buczko. R.: Kacman, P. J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 454226.
46. Glas, F.; Harmand, J.-C.; Patriarche. G. Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 146101.
47. Baleva, M.; Mateeva, E. Phys. Rev. B 1994, 50, 8893.