메뉴 건너뛰기




Volumn 10, Issue 1, 2010, Pages 36-39

Growth of epitaxial 3C-SiC films on Si(100) via low temperature SiC buffer layer

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords


EID: 74049103312     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg901189k     Document Type: Article
Times cited : (36)

References (28)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.