Origins of improved hole-injection efficiency by the deposition of MoO 3 on the polymeric semiconductor poly(dioctyifluorene-alt- benzothiadiazole)

Advanced Functional Materials

Volumn 19, Issue 23, 2009, Pages 3746-3752

  Nakayama, Yasuo ^a   Morii, Katsuyuki ^b,c   Suzuki, Yuuichirou ^a   Machida, Hiroyuki ^a   Kera, Satoshi ^a   Ueno, Nobuo ^a   Kitagawa, Hiroshi ^b   Noguchi, Yutaka ^a   Ishii, Hisao ^a  

^a CHIBA UNIVERSITY   (Japan)

^b KYUSHU UNIVERSITY   (Japan)

^c NIPPON SHOKUBAI CO LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BANDBENDING; BENZOTHIADIAZOLES; HOLE INJECTION; HOLE-INJECTION LAYERS; INTERFACE STATE; LIGHT EMITTING MATERIALS; METASTABLE ATOM ELECTRON SPECTROSCOPY; OVERLAYERS; POLYMERIC SEMICONDUCTORS; TOP ANODE; UPS SPECTRA;

ATOMIC SPECTROSCOPY; CHARGE TRANSFER; ELECTRON SPECTROSCOPY; ELECTRONIC STRUCTURE; HOLE TRAPS; ION EXCHANGE; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; PHOTOIONIZATION; PHOTONS; PHOTOVOLTAIC EFFECTS; POLYMERS; POWER SUPPLY CIRCUITS; ULTRAVIOLET PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; UNINTERRUPTIBLE POWER SYSTEMS;

X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 72649093704     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200901022     Document Type: Article

References (46)

1. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H Friend, P. L. Burns, A. B. Holmes, Nature 1990, 347, 539.
2. R. H. Friend, R. W. Gymer, A. B. Holmes, J. H. Burroughes, R. N. Marks, C. Taliani, D. D. C. Bradley, D. A. Dos Santos, J. L. Brédas, M. Lögdlund, W. R. Salaneck, Nature 1999, 397, 121.
3. V. N. Savvate'ev, A. V. Yakimov, D. Davidov, R. M. Pogreb, R. Neumann, Y. Avny, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 3344.
4. S. Logothetidis, Mater. Sci. Eng. B 2008, 152, 96.
5. K. Morii, M. Ishida, T. Takashima, T. Shimoda, Q. Wang, Md, K. Nazeeruddin, M. Grätzel, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 183510.
6. K. Morii, T. Kawase, S. Inoue, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 213304.
7. K. S. Whitehead, M. Grell, D. D. C. Bradley, M. Inbasekaran, E. P. Woo, Synth. Met. 2000, 111-112, 181.
8. S. A. Haque, S. Koops, N. Tokmoldin, J. R. Durrant, J. Huang, D. D. C Bradley, E. Palomares, Adv. Mater. 2007, 19, 683.
9. H. J. Bolink, E. Coronado, D. Repetto, M. Sessolo, E. M. Barea, J. Bisquert, G. G. Belmonte, J. Prochazka, L. Kaven, Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 145.
10. D. Kebra, M. H. Song, B. Wenger, R. H. Friend, H. J. Snaith, Adv. Mater. 2008, 20, 3447.
11. S. Tokito, K. Noda, Y. Taga, J. Phys. D: Appl. Phys. 1996, 29, 2750.
12. C.-W. Chen, Y.-J. Lu, C.-C. Wu, E. H.-E. Wu, C.-W. Chu, Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 241121.
13. J. Cao, X. Y. Jiang, Z. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 252108.
14. H. Kanno, R. J. Holmes, Y. Sun, S. Kena-Cohen, S. R. Forrest, Adv. Mater. 2006, 18, 339.
15. K. Lee, J. Y. Kim, S. H. Park, S. H. Kim, S. Cho, A. J. Heeger, Adv. Mater. 2007, 19, 2445.
16. J.-H. Li, J. Huang, Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 173505.
17. H. J. Bolink, E.Coronado, D. Repetto, M.Sessolo, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 223501.
18. T. Matsushima, Y. Kinoshita, H. Murata, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 253504.
19. W.-J. Shin, J.-Y. Lee, J. C., Kim, T.-H. Yoon, T.-S. Kim, O.-K. Song, Org. Electron. 2008, 9, 333.
20. F. Wang, X. Qiao, T. Xiong, D. Ma, Org. Electron. 2008, 9, 985.
21. H. J. Bolink, E. Coronado, J. Orozco, M. Sessolo, Adv. Mater. 2009, 21, 79.
22. M. Kröger, S. Hamwi, J. Meyer, T. Riedl, W. Kowalsky, A. Kahn, Org. Electron. 2009, 10, 932.
23. H. Lee, S. W. Cho, K. Han, P. E. Jeon, C.-N. Whang, K. Jeong, K. Cho, Y. Yi, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 043308.
24. R. J. Kline, M. D. McGehee, M. F. Toney, Nat. Mater. 2006, 5, 222.
25. D. Cahen, A. Kahn, E. Umbach, Mater. Today 2008, 8, 32.
26. Y. Noguchi, N. Sato, Y. Tanaka, Y. Nakayama, H. Ishii, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 203306.
27. Y. Harada, S. Masuda, H. Ozaki, Chem. Rev. 1997, 97, 1897.
28. K. K. Okudaira, S. Kera, H. Setoyama, E. Morikawa, N. Ueno, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenomena 2001, 121, 225.
29. X. T. Hao,T. Hosokai, N. Mitsuo, S. Kera, K. Mase, K. K. Okudaira, N. Ueno, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 182113.
30. X. T. Hao, T. Hosokai, N. Mitsuo, S. Kera, K. K.Okudaira, K. Mase, N. Ueno, J. Phys. Chem. B 2007, 111, 10365.
31. M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz, S. T. Elbert, M. S. Gordon, J. H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K. A. Nguyen, S. J. Su, T. L. Windus, M. Dupuis, J. A. Montgomery, J. Comput. Chem. 1993, 14, 1347.
32. A. J. Campbell, D. D. C Bradley, H. Antpniadis, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2133.
33. L.-L. Chua, J. Zaumseil, J.-F. Chang, E. C.-W. Ou, P. K.-H. Ho, H. Sirringhaus, R. H. Friend, Nature 2005, 434, 194.
34. H. Ozaki, Y. Harada, J. Am. Chem. Soc. 1990, 112, 5735.
35. M. K. Fung, S. L. Lai, S. W. Tong, S. N. Bao, C. S. Lee, W. W. Wu, M. Inbasekaran, J. J. O'Brien, S. T. Lee, J. Appl. Phys. 2003, 94, 5763.
36. R.T.-Sobieraj, K. Hermann, M. Watko, A. Blume, G. Mestl, R. Schlögl, Surf. Sci. 2001, 489, 107.
37. C. A. Rozzi, F. Manghi, F. Parmigiani, Phys. Rev. B 2003, 68, 075106.
38. F. J. Himpsel, G. Hollinger, R. A. Pollak, Phys. Rev. B 1983, 28, 7014.
39. Y. Kinoshita, R. Takenaka, H. Murata, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 243309.
40. C.-I. Wu, C.-T. Lin, G.-R. Lee, T.-Y. Cho, C.-C. Wu, T.-W. Pi, J. Appl. Phys. 2009, 105, 033717.
41. K. Morii, M. Omoto, M. Ishida, M. Grätzel, Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 7366.
42. M. Shimoda, T. Hirata, K. Yagisawa, M. Okochi, A. Yoshikawa, J. Mater. Sci. Lett. 1989, 8, 1089.
43. Calculation was done with: C. J. Powell "NIST electron inelastic-meon-freepath database" Ver. 1.1 2000, the method of which was based on;
44. S. Tanuma, C. J. Powell, D. R. Penn, Surf. Interf. Anal. 1994, 21165.
45. H. Ishii, K. Sugiyama, E. Ito, K. Seki, Adv. Mater. 1999, 11, 605.
46. M. P. Seah, G. C. Smith, M. T. Anthony, Surf. Interf. Anal. 1990, 15, 293.