Structure and electronic properties of saturated and unsaturated gallium nitride nanotubes

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 113, Issue 44, 2009, Pages 19281-19285

  Wang, Zhiguo ^a,b   Wang, Shengjie ^a   Li, Jingbo ^b   Gao, Fei ^c   Weber, William J ^c  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^b INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^c PACIFIC NORTHWEST NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC RELAXATION; BAND GAPS; BULK-LIKE; DIRECT BAND GAP; FIRST-PRINCIPLES CALCULATION; GALLIUM NITRIDE NANOTUBES; GAN NANOTUBES; SURFACE STATE; WALL THICKNESS;

ATOMS; ELECTRONIC PROPERTIES; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY GAP; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; SEMICONDUCTING GALLIUM;

NANOTUBES;

EID: 70449578857     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp907657z     Document Type: Article

References (45)

1. Nilsson, H. A.; Thelander, C.; Fröberg, L. E.; Wagner, J. B.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 163101.
2. Duan, X.; Huang, Y.; Agarval, R.; Lieber, C. M. Nature 2003, 421, 241.
3. Wang, W. U.; Chen, C.; Lin, K. H.; Fang, Y.; Lieber, C. M. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 3208.
4. Nakamura, S.; Senoh, M.; Mukai, T. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2390.
5. Greytak, A. B.; Barrelet, C. J.; Li, Y.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 151103.
6. Zhong, Z. H.; Qian, F.; Wang, D. L.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 343.
7. Sirbuly, D. J.; Law, M.; Yan, H. Q.; Yang, P. D. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 15190.
8. Duan, X. F.; Lieber, C. M. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 188.
9. Seryogin, G.; Shalish, I.; Moberlychan, W.; Narayanamurti, V. Nanotechnology 2005, 16, 2342.
10. Wang, T.; Ranalli, F.; Parbrook, P. H.; Airey, R.; Bai, J.; Rattlidge, R.; Hill, G. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 103103.
11. Kipshidze, G.; Yavich, B.; Chandolu, A.; Yun, J.; Kuryatkov, V.; Ahmad, I.; Aurongzeb, D.; Holtz, M.; Temkin, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 033104.
12. Goldberger, J.; He, R. R.; Zhang, Y. F.; Lee, S.; Yan, H. Q.; Choi, H. J.; Yang, P. D. Nature (London) 2003, 422, 599.
13. Hung, S. C.; Su, Y. K.; Chen, S. J.; Ji, L. W.; Fang, T. H.; Tu, L. W.; Chen, M. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2005, 80, 1607.
14. Liu, B. D.; Bando, Y.; Tang, C. C.; Shen, G. Z.; Golberg, D.; Xu, F. F. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 093120.
15. Kuykendall, T.; Pauzauskie, P. J.; Zhang, Y. F.; Goldberger, J.; Sirbuly, D.; Denlinger, J.; Yang, P. D. Nat. Mater. 2004, 3, 524.
16. Zhang, J.; Zhang, L. D.; Wang, X. F.; Liang, C. H.; Peng, X. S.; Wang, Y. W. J. Chem. Phys. 2001, 115, 5714.
17. Bae, S. Y.; Seo, H. W.; Park, J.; Yang, H.; Kim, H.; Kim, S. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4564.
18. Kuykendall, T.; Pauzauskie, P.; Lee, S.; Zhang, Y. F.; Goldberger, J.; Yang, P. D. Nano Lett. 2003, 3, 1063.
19. Lee, S. M.; Lee, Y. H.; Hwang, Y. G.; Elsner, J.; Porezag, D.; Frauenheim, T. Phys. Rev. B 1999, 60, 7788.
20. Kang, J. W.; Hwang, H. J. Mol. Simul. 2004, 30, 29.
21. Kang, J. W.; Hwang, H. J. Comput. Mater. Sci. 2004, 31, 237.
22. Jeng, Y. R.; Tsai, P. C.; Fang, T. H. Nanotechnology 2004, 15, 1737.
23. Colussi, M. L.; Baierle, R. J.; Miwa, R. H. J. Appl. Phys. 2008, 104, 033712.
24. Chen, X.; Ma, J.; Hu, Z.; Wu, Q.; Chen, Y. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7982.
25. Carter, D. J.; Gale, J. D.; Delley, B.; Stampfl, C. Phys. Rev. B 2008, 77, 115349.
26. Cahangirov, S.; Ciraci, S. Phys. Rev. B 2009, 79, 165118.
27. Malkova, N.; Ning, C. Z. Phys. Rev. B 2007, 75, 155407.
28. Xu, B.; Pan, B. C. Phys. Rev. B 2006, 74, 245402.
29. Northrup, J. E.; Neugebauer, J. Phys. Rev. B 1996, 53, R10-477.
30. Wang, Z. G.; Zu, X. T.; Gao, F.; Weber, W. J. J. Appl. Phys. 2006, 100, 063503.
31. Soler, J. M.; Artacho, E.; Gale, J. D.; García, A.; Junquera, J.; Ordejün, P.; Sánchez-Portal, D. J. Phys.: Condens. Matter 2002, 14, 2745.
32. Perdew, J.; Zunger, A. Phys. Rev. B 1981, 23, 5048.
33. Troullier, N.; Martins, J. L. Phys. Rev. B 1991, 43, 1993.
34. Kleinman, L.; Bylander, D. M. Phys. Rev. Lett. 1982, 48, 1425.
35. Louie, S. G.; Froyen, S.; Cohen, M. L. Phys. Rev. B 1982, 26, 1738.
36. Al-Brithen, H. A. H.; Yang, R.; Haider, M. B.; Constantin, C.; Lu, E.; Smith, A. R. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 146102.
37. MonkHorst, H. J.; Park, J. D. Phys. Rev. B 1976, 13, 5188.
38. Lide, D. R. Handbook of Chemistry and Physics, CRC Press: New York, 1995.
39. Wu, Y. L.; Chen, G. D.; Ye, H. G.; Zhu, Y. Z.; Wei, S. H. J. Appl. Phys. 2008, 104, 084313.
40. Wang, Q.; Sun, Q.; Jena, P.; Kawazoe, Y. Nano Lett. 2005, 5, 1587.
41. Zhang, X. J.; Zhao, M. W.; Yan, S. S.; He, T.; Li, W. F.; Lin, X. H.; Xi, Z. X.; Wang, Z. H.; Liu, X. D.; Xia, Y. Y. Nanotechnology 2008, 19, 305708.
42. Huang, S. P.; Cheng, W. D.; Wu, D. S.; Hu, J. M.; Shen, J.; Xie, Z.; Zhang, H.; Gong, Y. J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 031904.
43. Braun, D.; Heeger, A. J. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 1982.
44. Kido, J.; Hongawa, K.; Okuyama, K.; Nagai, K. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 815.
45. Chen, C. W.; Chen, K. H.; Shen, C. H.; Gangluly, A.; Chen, L. C.; Wu, J. J.; Wen, H. I.; Pong, W. F. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 241905.