One-dimensional nanostructures and devices of II-V group semiconductors

Nanoscale Research Letters

Volumn 4, Issue 8, 2009, Pages 779-788

  Shen, Guozhen ^a   Chen, Di ^a  

^a HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

Nanobelts; Nanoelectronics; Nanotubes; Nanowires; Semiconductors

Indexed keywords

METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS; NANOSCALE DEVICE; NARROW BAND GAP; ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURE; P-N HETEROJUNCTIONS; RESEARCH ACTIVITIES; SEMICONDUCTING NANOSTRUCTURES; SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS; SEMICONDUCTORS;

DETECTORS; ELECTRIC WIRE; FIELD EFFECT TRANSISTORS; HALL EFFECT; HETEROJUNCTIONS; ION BEAMS; MAGNETIC FIELD EFFECTS; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; NANOELECTRONICS; NANOTUBES; NANOWIRES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOVOLTAIC CELLS; SEMICONDUCTOR DEVICES; ZINC;

NANOBELTS;

EID: 70349998979     PISSN: 19317573     EISSN: 1556276X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s11671-009-9338-2     Document Type: Review

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