Systematic investigation of the formation of 1D α-Si 3N4 nanostructures by using a thermal-decomposition/ nitridation process

Chemistry - A European Journal

Volumn 12, Issue 11, 2006, Pages 2987-2993

  Shen, Guozhen ^a   Bando, Yoshio ^a   Liu, Baodan ^a   Tang, Chengchun ^a   Huang, Qing ^a   Golberg, Dmitri ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

Crystal growth; Electron microscopy; Nanostructures; Nitrides; Silicon

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY; NITRIDES; PYROLYSIS; SILICON; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

MICRORIBBONS; NITRIDATION;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33645690856     PISSN: 09476539     EISSN: 15213765     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/chem.200500937     Document Type: Article

References (61)

1. a) Y. Huang, X. Duan, Q. Wei, C. M. Lieber, Science 2001, 291, 630-633;
2. b) Z. Pan, Z. Dai, Z. L. Wang, Science 2001, 291, 1947-1949;
3. c) M. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. D. Yang, Science 2001, 292, 1897-1899.
4. a) J. O. Hu. Y. Bando, J. H. Zhan, D. Golberg, Angew. Chem. 2004, 116, 4706-4709;
5. Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 4606-4609;
6. b) C. C. Tang, Y. Bando, D. Golberg, R. Z. Ma, Angew. Chem. 2005, 117, 582-585;
7. Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 576-579;
8. c) J. Q. Hu, Y. Bando, D. Golberg, Q. L. Liu, Angew. Chem. 2003, 115, 3617-3621;
9. Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 3493-3497.
10. a) Y. N. Xia, P. D. Yang, Y. G. Sun, Y. Y. Wu, B. Mayer, B. Gates, Y. D. Yin, F. Kim, H. Q. Yan, Adv. Mater. 2003, 15, 353-389;
11. b) Z. R. Dai, Z. W. Pan, Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 9-24;
12. c) S. Iijima, Nature 1991, 354, 56-58.
13. a) Y. Cui, C. M. Lieber, Science 2001, 291, 851-853;
14. b) Y. C. Zhu, Y. Bando, L. W. Yin. Adv. Mater. 2004, 16, 331-334;
15. c) D. D. Archibald, S. Mann, Nature 1993, 364, 430-433;
16. d) S. Mann, G. A. Ozin, Nature 1996, 382, 313-318.
17. a) R. E. Smalley, B. I. Yakobson, Solid State Commun. 1998, 107, 597-606;
18. b) S. Iijima, T. Ichihashi, Nature 1993, 363, 603-605;
19. c) X. G. Peng. L. Manna, W. D. Yang, J. Wickham, E. Scher, A. Kadavanich, A. P. Alivisatos, Nature 2000, 404, 59-61.
20. a) C. P. Gibson, K. Putzer, Science 1995, 267, 1338-1340;
21. b) T. S. Ahmadi, Z. L. Wang, T. C. Green, A. Henglein, M. A. El-sayed, Science 1996, 272, 1924-1926;
22. c) M. P. Pileni, B. W. Ninham, T. Gulik-Krzywicki, J. Tanori, I. Lisiecki, A. Filankembo, Adv. Mater. 1999, 11, 1358-1362.
23. S. Shimada, T. Kataoka, J. Am. Ceram. Soc. 2001, 84, 2442-2444.
24. a) M. J. Huffman, G. Petzow, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1993, 287, 3-14;
25. b) G. Ziegler, J. Heinrich, G. Wotting, J. Mater. Sci. 1987, 22, 3041-3086;
26. c) R. K. Govila, J. Mater. Sci. 1985, 20, 4345-4353.
27. a) Y. J. Zhang, N. L. Wang, R. R. He, Q. Zhang, J. Zhu, Y. J. Yan, J. Mater. Res. 2000, 15, 1048-1051;
28. b) F. Munakata, K. Matsuo, K. Furuya, Y. J. Akimune, I. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3498-3500.
29. a) W. Han, S. Fan, Q. Li, B. Gu, X. Zhang, D. Yu, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2271-2273;
30. b) L. D. Zhang, G. W. Meng, F. Phillipp, Mater. Sci. Eng. A 2000, 286, 34-38;
31. c) G. Gundiah, G. V. Madhav, A. Govindaraj, M. M. Seikh, C. N. R. Rao, J. Mater. Chem. 2002, 12, 1606-1611;
32. d) Y. H. Gao, Y. Bando, K. Kurashima, T. Sato, Microsc. Microanal. 2002, 8, 5-10.
33. a) H. Kim, J. Park, H. Yang, Chem. Phys. Lett. 2003, 372, 269-274;
34. b) C. Tang, X. Ding, X. Huan, Z. W. Gan, W. Liu, S. R. Qi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 2002, 41, L589-L591;
35. c) K. B. Tang, J. Q. Hu, Q. Lu, Y. Xie, J. Zhu, Y. T. Qian, Adv. Mater. 1999, 11, 653-655.
36. a) G. Z. Shen, J. H. Cho, J. K. Yoo, G. C. Yi, C. J. Lee, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9294-9298;
37. b) Z. P. Liu, J. B. Liang, S. Li, S. Peng, Y. T. Qian, Chem. Eur. J. 2004, 10, 634-640;
38. c) Z. L. Wang, Z. W. Pan, Adv. Mater. 2002, 14, 1029-1032;
39. d) M. S. Mo, J. H. Zeng, X. M. Liu, W. C. Yu, X. Y. Zhang, Y. T. Qian, Adv. Mater. 2002, 14, 1658-1662.
40. a) S. Y. Bae, H. W. Seo, J. Park, H. Yang, J. C. Park, S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 126-128;
41. b) Q. Wu, Z. Hu, X. Z. Wang, Y. Chen, Y. N. Lu, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 9726-9729;
42. c) L. Fu, Y. Q. Liu, P. Hu, K. Xiao, G. Yu, D. B. Zhu, Chem. Mater. 2003, 15, 4287-4291;
43. d) X. B. Cao, Y. Xie, S. Y. Zhang, F. Q. Li, Adv. Mater. 2004, 16, 649-653.
44. a) Y. Jiang, M. X. Meng, J. Liu, Z. Y. Xie, C. S. Lee, S. T. Lee, Adv. Mater. 2003, 15, 323-327;
45. b) Q. Li, C. R. Wang, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 359-361;
46. c) J. Q. Hu, X. L. Ma, N. G. Shang, Z. Y. Xie. N. B. Wong, C. S. Lee, S. T. Lee, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 3823-3826.
47. a) W. Y. Yang, Z. P. Xie, H. Z. Miao, L. G. Zhang, H. Ji, L. An, J. Am. Ceram. Soc. 2005, 88, 466-469;
48. b) L. G. Zhang, J. Jin, W. Y. Yang, Z. P. Xie, H. Z. Miao, L. An, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 061908.
49. L. W. Yin, Y. Bando, Y. C. Zhu, Y. B. Li, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3584-3586.
50. a) J. Q. Hu, Y. Bando, T. Sekiguchi, F. F. Xu, J. H. Zhan, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 804-806;
51. b) J. Q. Hu, Y. Bando, Z. W. Liu, F. F. Xu, T. Sekiguchi, J. H. Zhan, Chem. Eur. J. 2004, 10, 554-558.
52. a) C. Ma, D. Moore, Y. Ding, J. Li, Z. L. Wang, Int. J. Nanotechnol. 2004, 1, 431-451;
53. b) C. Ma, Y. Ding, D. Moore, X. Wang, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 708-709;
54. c) Z. L. Wang, X. Y. Kong, J. M. Zuo, Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 185502;
55. d) D. Moore, C. Roning, C. Ma, Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett. 2004, 385, 8-11.
56. S. Y. Bae, H. W. Seo, J. Park, H. Yang, Chem. Phys. Lett. 2003, 373. 620-625.
57. a) R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89-91;
58. b) X. F. Duan, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 188-189.
59. a) J. Robertson, Philos. Mag. B 1991, 63, 44-47;
60. b) P. A. Pundur, J. G. Shavalgin, V. A. Gritsenko, Phys. Status Solidi A 1986, 94, K107-K112;
61. c) S. V. Deshpande, E. Gulari, S. W. Brown, S. C. Rand, J. Appl. Phys. 1995, 77, 6534-6541.