Selective Etching of Thick Si3N4, SiO2 and Si by Using CF4/O2 and C2F6 Gases with or without O2 or Ar Addition

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 54, Issue 5 PART 1, 2009, Pages 1816-1823

  Lee, Hee Kwan ^a   Chung, Kwan Soo ^a   Yu, Jae Su ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

Reactive ion etching; Selective etching; Si

Indexed keywords

EID: 68049144548     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.54.1816     Document Type: Article

References (19)

1. P. E. Clarke, D. Field, A. J. Hydes, D. F. Klemperer andM. J. Seakins, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 1614 (1985).
2. M. A. Carter and G. F. Goldspink, Vacuum 38, 5 (1988).
3. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo and G. S. Oehrlein and J. G. Langan, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2047 (1998).
4. L. M. Loewenstein, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 1984 (1988).
5. Y. Kataoka, M. Kanoh, N. Makino, K. Suzuki, S. Saitoh, H. Miyajima and Y. Mori, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 39, 294 (2000).
6. M. J. Kushner, Appl. Phys. Lett. 53, 2923 (1982).
7. K. Miyata, M. Hori and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 568 (1997).
8. S. S. Kim, H. H. Choe and N. S. Yoon, J. Korean Phys. Soc. 52, 300 (2008).
9. Y. Chinzei, Y. Feurprier, M. Ozawa, T. Kikuchi, K. Ho- rioka, T. Ichiki and Y. Horiike, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 158 (2000).
10. S. Den, T. Kuno, M. Ito, M. Hori, T. Goto, P. O'KeefFe, Y. Hayashi and Y. Sakamoto, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2880 (1997).
11. Y. Feurprier, Y. Chinzei, M. Ogata, T. Kikuchi, M. Ozawa, T. Ichiki and Y. Horiike, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1556 (1999).
12. H. H. Doh, J. H. Kim, S. H. Lee and K. W. Whang, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2827 (1996).
13. M. Schaepkens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jon- sson and H. O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3281 (1998).
14. K. Kubota, H. Matsumoto, H. Shindo, S. Shingubara and Y. Horike, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 34, 2119 (1995).
15. D. C. Kwon and N. S. Yoon, J. Korean Phys. Soc. 51, 522 (2007).
16. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 3179 (1999).
17. L. M. Loewenstein, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 686 (1989).
18. H. Kimura, K. Shiozawa, K. Kawai, H. Miyatake and M. Yoneda, Jpn, J. Appl. Phys. Part 1 34, 2114 (1995).
19. G. S. Oehrlein, S. W. Robey and J. L. Lindström, Appl. Phys. Lett. 52, 1170 (1988).