Remote plasma etching of silicon nitride and silicon dioxide using NF3/O2 gas mixtures

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 16, Issue 4, 1998, Pages 2047-2056

  Kastenmeier, B E E ^a   Matsuo, P J ^a   Oehrlein, G S ^a   Langan, J G ^b  

^a STATE UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^b AIR PRODUCTS AND CHEMICALS INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0032353593     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.581309     Document Type: Article

References (36)

1. B. A. Huling, G. M. Engle, C. A. Schneider, R. J. Gibson, and R. G. Ridgeway, Solid State Technol. 37, 73 (1994).
2. G. Bruno, P. Capezzuto, G. Cicala, and P. Manodoro, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 690 (1994).
3. T. Yasuda and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2496 (1993).
4. T. Kawane, Semicond. Int. 3, 66 (1997).
5. S. Lakeman, Semicond. Int. 18, 127 (1995). This article contains in summary form results from Ref. 7.
6. M. G. Blain, T. L. Meisenheimer, and J. E. Stevens, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2151 (1996).
7. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2802 (1996).
8. P. J. Matsuo, B. E. E. Kastenmeier, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1801 (1997).
9. P. J. Matsuo, B. E. E. Kastenmeier, G. S. Oehrlein, and J. G. Langan, J. Vac. Sci. Technol. A (to be published).
10. C. J. Mogab, A. C. Adams, and D. L. Flamm, J. Appl. Phys. 49, 3796 (1978).
11. D. L. Flamm, V. M. Donnelly, and J. A. Mucha, J. Appl. Phys. 52, 3633 (1981).
12. J. W. Coburn and M. Chen, J. Vac. Sci. Technol. 18, 353 (1981).
13. J. W. Coburn and M. Chen, J. Appl. Phys. 51, 3134 (1980).
14. R. d'Agostino, F. Cramarossa, S. DeBenedictis, and G. Ferraro, J. Appl. Phys. 52, 1259 (1981).
15. R. d'Agostino, F. Cramarossa, and S. DeBenedictis, Plasma Chem. Plasma Process. 2, 213 (1982).
16. V. M. Donnelly, D. L. Flamm, W. C. Dautremont-Smith, and D. J. Werder, J. Appl. Phys. 55, 242 (1984).
17. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994).
18. Z. L. Petrovic, S. Bzenic, J. Jovanovic, and S. Djurovic, J. Phys. D 28, 2287 (1995).
19. M. V. Malyshev and V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 550 (1997).
20. R. E. Walkup, K. L. Saenger, and G. S. Selwyn, J. Chem. Phys. 84, 2668 (1986).
21. T. Honda and W. W. Brandt, J. Electrochem. Soc. 131, 2667 (1984).
22. K. J. Nordheden and J. T. Verdeyen, J. Electrochem. Soc. 133, 2168 (1986).
23. M. Konuma and E. Bauser, J. Appl. Phys. 74, 62 (1993).
24. F. Kaufman, Prog. Reaction Kin. 1, 1 (1961).
25. E. A. Ogryzlo and H. I. Schiff, Can. J. Chem. 37, 1690 (1959).
26. F. Kaufman and J. R. Kelso, J. Chem. Phys. 32, 301 (1960).
27. G. S. Oehrlein, G. M. W. Kroesen, and J. L. Lindstroem, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3092 (1992).
28. S. W. Robey and G. S. Oehrlein, Surface Sci. 210, 429 (1989).
29. D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surf. Anal. (1990).
30. R. M. Reese and V. H. Dibeler, J. Chem. Phys. 24, 1175 (1956).
31. J. C. J. Thynne, J. Phys. Chem. 63, 1586 (1969).
32. L. G. Christophorou, A. J. K. Olthoff, and M. V. V. S. Rao, J. Phys. Chem. Ref. Data 25, 1341 (1996).
33. M. A. A. Clyne and I. F. White, Chem. Phys. Lett. 6, 465 (1970).
34. E. Meeks, R. S. Larson, S. R. Vosen, and J. W. Shon, J. Electrochem. Soc. 144, 357 (1997).
35. K. E. Greenberg and J. T. Verdeyen, J. Appl. Phys. 57, 1596 (1985).
36. J. A. Barkanic, D. M. Reynolds, J. R. Jaccodine, H. G. Stenger, J. Parks, and H. Vedage, Solid State Technol. 32, 109 (1989).