Optical charge pumping method for extracting the energy level of interface states in a program/erase cycled SONOS flash memory cell and its program time dependence

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 54, Issue 5 PART 1, 2009, Pages 1862-1867

  Jeon, Kichan ^a   Lee, Sunyeong ^a   Park, Jun Hyun ^a   Choi, Changmin ^a   Song, Kwan Jae ^a   Park, So Ra ^a   Kim, Tae Woon ^a   Lee, Ji Eun ^a   Park, Sungwook ^a   Lee, Sangwon ^a   Jang, Jaeman ^a   Kim, Dae Hwan ^a   Kim, Dong Myong ^a  

^a Kookmin University   (South Korea)

Author keywords

Energy distribution; Interface state; Optical response; SONOS; Sub bandgap photon energy; Subthreshold slope

Indexed keywords

EID: 68049142014     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.54.1862     Document Type: Article

References (17)

1. M. H. White, D. A. Adams and J. Bu, IEEE Cir. Dev. Mag. 16, 22 (2000).
2. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer and D. Finzi, IEEE Electron Dev. Lett. 21, 543 (2000).
3. S. Aritome, R. Shirota, G. Hemink, T. Endoh and F. Masuoka, Proceed. IEEE 81, 776 (1993).
4. C. H. Chen, P. Y. Chiang, S. S. Chung, T. Chen, G. C. Chou and C. H. Chu, Int. Sympo. on VLSI Tech. Sys. Appl. (Hsinchu, Taiwan, 2006), p. T-14.
5. C. Bergonzoni and G. D. Libera, IEEE Trans. Electron Dev. 39, 1895 (1992).
6. G. V. Groeseneken, I. De Wolf, I. R. Bellens and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Dev. 43, 940 (1996).
7. M. Tsuchiyaki, H. Hara, T. Morimoto and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Dev. 40, 1768 (1993).
8. H. C. Lai, N. K. Zous, W. J. Tsai, T. C. Lu, Wang Tahui, Y. C. King and P. Sam, International Conference on Microelectronic Test Structures (Monterey, California, 2003), p. 99.
9. P. Masson, J.-L. Autran and J. Brini, IEEE Electron Dev. Lett. 20, 92 (1999).
10. C. Friederich, M. Specht, T. Lutz, F. Hofmann, L. Dreeskornfeld, W. Weber, J. Kretz, T. Melde, W. Ros-ner, E. Landgraf, J. Hartwich, M. Stadele, L. Risch and D. Richter, In IEDM Technical Digest (San Francisco, California, 2006), p. 1.
11. I. H. Cho, B. G. Park, J. D. Lee and J. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 42, 233 (2003).
12. M. S. Kim, H. T. Kim, S. S. Chi, T. E. Kim, H. T. Shin, K. W. Kang, H. S. Park, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang and D. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 43, 878 (2003).
13. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 3rd ed. (Wiley, New York, 1998), p. 359.
14. N. Arora, MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation, Theory and Practice (Springer-Verlag, New York, 1993), p. 264.
15. J. W. Lee, K. S. Roh, G. C. Kang, S. H. Seo, K. Y. Kim, S. Lee, K. J. Song, C. M. Choi, S. R. Park, J. H. Park, K. C. Jeon, D. H. Kim, B.-G. Park, J. D. Lee and D. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 223511 (2007).
16. J. B. Choi, S. H. Seo, J. U. Lee, G. C. Kang, S. W. Kim, K. S. Roh, K. Y. Kim, C. H. Lee, S. Y. Lee, H. T. Kim, D. H. Kim, K. S. Min, D. J. Kim, D. W. Kang, J. K. Rhee and D. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 49, 1565 (2006).
17. S. Lee, K.-C. Jeon, J.-U. Lee, S.-W. Kim, S.-H. Seo, K.-S. Roh, G.-C. Kang, K.-Y. Kim, C.-M. Choi, K.-J. Song, S.-R. Park, J.-H. Park, D. M. Kim and D. H. Kim, J. Korean Phys. Soc. 51, 2063 (2007).