Sub-bandgap optical GIDL current method for extracting the interface states in the gate-to-drain overlapped region of MOSFETs

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 4, 2006, Pages 1565-1570

  Choi, J B ^a   Seo, S H ^a   Lee, J U ^a   Kang, G C ^a   Kim, S W ^a   Roh, K S ^a   Kim, K Y ^a   Lee, C H ^a   Lee, S Y ^a   Kim, H T ^a   Kim, D H ^a   Min, K S ^a   Kim, D J ^a   Kang, D W ^a   Rhee, J K ^a,b   Kim, D M ^a  

^a Kookmin University   (South Korea)

^b Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

GIDL; Interface states; MOSFET; Photonic characterization; Sub bandgap

Indexed keywords

EID: 33751043233     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (24)

1. T. Wang, C. Huang, T. E. Chang, J. W. Chou and C. Y. Chang, IEEE Trans. Electron Devices 41, 2475 (1994).
2. T.-E Chang, C. Huang and T. Wang, IEEE Trans. Electron Dev. 42, 738 (1995).
3. D. Liu, J. Wang, G. Yang, M. Xu and C. Tan, 2003 IEEE Conf., Electron Devices and Solid-State Circuits, 205 (Kowloon, 2003).
4. L. Huang, P. T. Lai, J. P. Xu and Y. C. Cheng, Microelectronics Reliability 38, 1425 (1998).
5. S.-H. Kim, S.-E. Kim, J.-H. Park, S.-H. Kim, M.-S. Kim, J.-M. Koo, B.-S. Kim, E.-S. Kim, S.-C. Lee and C.-S. Choi, J. Korean Phys. Soc. 43, 863 (2003).
6. B. Doyle, M. Bourcerie, J.-C Marchetaux and A. Boudou, IEEE Trans. Electron Dev. 37, 44 (1990).
7. T. Wang, T. E. Chang, C. M. Huang, J. Y. Yang, K. M. Chang and L. P. Chiang, IEEE Electron Device Lett. 16, 566 (1995).
8. V. Nathan and N. C. Das, IEEE Trans. Electron Dev. 40, 1888 (1993).
9. H. Sasaki, M. Saitoh and K. Hashimoto, 1987 IEDM Tech. Dig. 726 (1987).
10. G. Q. Lo, A. B. Joshi and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 12, 5 (1991).
11. C. Duvvury, D. J. Redwine and H. J. Stiegler, IEEE Electron Device Lett. 9, 579 (1988).
12. S. Okhonin, T. Hessler and M. Dutoit, Microelectronic Engineering 28, 261 (1995).
13. V. Prabhakar, T. Brozek, Y. D. Chan and C. R. Viswanathan, 1995 IEDM Tech. Digest 45 (1995).
14. G.-H. Lee, J.-S. Su and Steve S. Chung, 1994 IEDM Tech. Digest 12 (1994).
15. I. C. Nam, H. T. Kim, K. S. Kim, K. H. Kim, J. B. Choi, J. U. Lee, S. W. Kim, G. C. Kang, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang and D. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, 1283 (2004).
16. T. E. Kim, H. T. Kim, H. T. Shin, H. S. Park, K. S. Kim, I. C. Nam, K. H. Kim, J. B. Choi, J. U. Lee, S. W. Kim, G. C. Kang, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang and D. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 44, 1479 (2004).
17. H. T. Shin, K. H. Kim, K. S. Kim, I. C. Nam, J. B. Choi, J. U. Lee, S. W. Kim, H. T. Kim, T. E. Kim, H. S. Park, G. C. Kang, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang and D. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 44, 1485 (2004).
18. S. M. Sze, High-Speed Semiconductor Devices (Wiley-Interscience, New York, 1990), p. 156.
19. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed. (Wiley, New York, 1998), p. 389.
20. T. Wang, T.-E. Chang and C. Huang, 1994 IEDM Tech. Digest, 161 (1994).
21. P. T. Lai, J. P. Xu, W. M. Wong, H. B. Lo and Y. C. Cheng, IEEE Trans. Electron Dev. 45, 521 (1998).
22. G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran and R. F. De Keersmaecker, IEEE Trans. Electron Dev. 31, 42 (1984).
23. S. S. Chi, H. T. Kim, M. S. Kim, T. E. Kim, H. T. Shin, H. S. Park, K. H. Kim, K. S. Kim, I. C. Nam, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang and D. M. Kim, Electron. Lett. 39, 1761 (2003).
24. S. S. Chi, H. T. Kim, M. S. Kim, T. E. Kim, H. T. Shin, H. S. Park, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang and D. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 43, 879 (2003).