Well-aligned Zn-doped InN nanorods grown by metal-organic chemical vapor deposition and the dopant distribution

Crystal Growth and Design

Volumn 9, Issue 7, 2009, Pages 3292-3295

  Song, Huaping ^a   Yang, Anli ^a   Zhang, Riqing ^a   Guo, Yan ^a   Wei, Hongyuan ^a   Zheng, Gaolin ^a   Yang, Shaoyan ^a   Liu, Xianglin ^a   Zhu, Qinsheng ^a   Wang, Zhanguo ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 67650096653     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg900053h     Document Type: Article

References (22)

1. Bhuiyan, A. G.; Hashimoto, A.; Yamamoto, A. J. Appl. Phys. 2003, 94, 2779-2808.
2. Johnson, M. C.; Lee, C. J.; Bourret-Courchesne, E. D.; Konsek, S. L.; Aloni, S.; Han, W. Q.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5670-5672.
3. Lan, Z.-H.; Liang, C.-H.; Hsu, C.-W.; Wu, C.-T.; Lin, H.-M.; Dhara, S.; Chen, K.-H.; Chen, L.-C.; Chen, C.-C. Adv. Funct. Mater. 2004, 14, 233-237.
4. Mohammad, S. N. J. Chem. Phys. 2006, 125, 094705.
5. Chao, C. K.; Chyi, J.-I.; Hsiao, C. N.; Kei, C. C.; Kuo, S. Y.; Chang, H.-S.; Hsu, T. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 233111.
6. Cheng, G.; Stern, E.; Turner-Evans, D.; Reed, M. A. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 253103.
7. Vaddiraju, S.; Mohite, A.; Chin, A.; Meyyappan, M.; Sumanasekera, G.; Alphenaar, B. W.; Sunkara, M. K. Nano Lett. 2005, 5, 1625-1631.
8. Chen, J.; Cheng, G.; Stern, E.; Reed, M. A.; Avouris, P Nano Lett. 2007, 7, 2276-2280.
9. Lu, Y. S.; Huang, C. C.; Yeh, J. A.; Chen, C. F.; Gwo, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 202109.
10. Ahn, H.; Ku, Y.-P.; Wang, Y.-C.; Chuang, C.-H.; Gwo, S.; Pan, C. L. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 132108.
11. Wang, K. R.; Lin, S. J.; Tu, L. W.; Chen, M.; Chen, Q. Y.; Chen, T. H.; Chen, M. L.; Seo, H. W.; Tai, N. H.; Chang, S. C.; Lo, I.; Wang, D. P.; Chu, W. K. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 123105.
12. Kim, H.-M.; Cho, Y.-H.; Kang, T. W. Adv. Mater. 2003, 15, 232.
13. Stichtenoth, D.; Wegener, K.; Gutsche, C.; Regolin, I.; Tegude, F. J.; Prost, W.; Seibt, M.; Ronning, C. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 163107.
14. Zhang, X. L.; Qiao, R.; Kim, J. C.; Kang, Y. S. Cryst. Growth Des. 2008, 8, 2609-2613.
15. Monemar, B.; Lagerstedt, O.; Gislason, H. P. J. Appl. Phys. 1980, 51, 625-639.
16. Monemar, B.; Lagerstedt, O.; Gislason, H. P. J. Appl. Phys. 1980, 51, 640-649.
17. Chen, L.-C.; Chen, H.-C. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 2995.
18. Radovanovic, P. V.; Barrelet, C. J.; Gradečak, S.; Qian, F.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2005, 5, 1407-1411.
19. Li, H.-Y.; Wunnicke, O.; Borgstrǒm, M. T.; Immink, W. G. G.; Van Weert, M. H. M.; Verheijen, M. A.; Bakkers, E. P. A. M. Nano Lett. 2007, 7, 1144-1148.
20. Stamplecoskie, K. G.; Ju, L.; Farvid, S. S.; Radovanovic, P. V. Nano Lett. 2008, 8, 2674-2681.
21. Kang, T. T.; Liu, X. L.; Zhang, R. Q.; Hu, W. G.; Cong, G. W.; Zhao, F. A.; Zhu, Q. S. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 071113.
22. Dutkiewicz, J.; Zakulski, W. J. Phase Equilib. 1984, 5, 284-289.