Controlled synthesis of oriented 1D ZnO nanostructures on transparent conductive substrates

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 9, Issue 3, 2009, Pages 1832-1838

  She, Guangwei ^a,b   Zhang, Xiaohong ^a   Shi, Wensheng ^a   Chen, Huan ^a   Fan, Xia ^a   Chang, Jack C ^a  

^a TECHNICAL INSTITUTE OF PHYSICS AND CHEMISTRY   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

Electrodeposition; Nanostructures; Zinc oxide

Indexed keywords

APPLIED POTENTIALS; CHEMICAL COMPOSITIONS; CONCENTRATION OF; CONTROLLED SYNTHESIS; ELECTRODEPOSITION PROCESS; LOW CONCENTRATIONS; NUMBER DENSITY; SOLUTION TEMPERATURE; TEMPLATE-FREE; THIN LAYERS; TRANSPARENT CONDUCTIVE; ZNO NANOPARTICLES; ZNO NANOROD; ZNO NANOSTRUCTURES;

ELECTRODEPOSITION; NANOPARTICLES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PLATINUM; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SUBSTRATES; ZINC; ZINC OXIDE;

NANORODS;

EID: 67649232029     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2009.380     Document Type: Conference Paper

References (47)

1. Y. B. Li, Y. Bando, and D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 84, 3603 (2004)
2. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, L. M. N. Pereira, and R. F. P. Martins, Adv. Mater. 17, 590 (2005)
3. B. Q. Sun and H. Sirringhaus, Nano Lett. 5, 2408 (2005).
4. W. J. E. Beek, M. M. Wienk, and R. A. J. Janssen, Adv. Mater. 16, 1009 (2004)
5. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001)
6. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, Y. S. Park, and C. J. Youn, Appl. Phys. Lett. 87, 153504 (2005)
7. M. Law, I. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. D. Yang, Nat. Mater. 4, 455 (2005)
8. A. Asukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
9. J. L. Yang, S. J. An, W. I. Park, G. C. Yi, and W. Choi, Adv. Mater. 16, 1661 (2004)
10. W. J. Huang, G. C. Fang, and C. C. Wang, Colloids and Surfaces A: Physicochem. Eng. Aspects 260, 45 (2005)
11. M. H. Sarvari and H. Sharghi, Tetrahedron 61, 10903 (2005).
12. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, J. P. Li, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004)
13. X. F. Chu, D. L. Jiang, B. D. Aleksandra, and H. L. Yu, Chem. Phys. Lett. 401, 426 (2005)
14. B. S. Rang, F. Ren, Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 86, 112105 (2005)
15. Y. S. Zhang, K. Yu, D. S. Jiang, Z. Q. Zhu, H. R. Geng, and L. Q. Luo, Appl. Surf. Sci. 242, 212 (2005).
16. Z. L. Wang, X. Y. Kong, Y. Ding, P. X. Gao, W. L. Hughes, R. S. Yang, and Y. Zhang, Adv. Funct. Mater. 14, 943 (2004).
17. Q. C. Li, V. Kumar, Y. Li, H. T. Zhang, T. J. Marks, and R. P. H. Chang, Chem. Mater. 17, 1001 (2005).
18. M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. D. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001)
19. Z. W Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001)
20. L. Vayssieres, Adv. Mater. 15, 464 (2003)
21. C. Pacholski, A. Kornowski, and H. Weller, Angew. Chem. Int. Ed. 41, 1188 (2002)
22. A. Taubert, G. Glasser, and D. Palms, Langmuir 18, 4488 (2002)
23. M. Izaki, Chem. Commun. 5, 476 (2002)
24. M. Umetsu, M. Mizuta, K. Tsumoto, S. Ohara, S. Takami, H. Watanabe, I. Kumagai, and T. Adschiri, Adv. Mater. 17, 2571 (2005)
25. S. Choopuna, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth 274, 167 (2005).
26. Y. Li, G. W Meng, L. D. Zhang, and F. Phillipp, Appl. Phys. Lett. 76, 2011 (2000)
27. M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li, and W. Z. Shen, Chem. Phys. Lett. 363, 123 (2002)
28. Z. X. Zheng, Y. Y. Xi, P. Dong, H. G. Huang, J. Z. Zhou, L. L. Wua, and Z. H. Lin, Phys. Chem. Comm. 5, 63 (2002)
29. Q. T. Wang, G. Z. Wang, B. Xu, J. S. Jie, X. H. Han, G. P. Li, Q. S. Li, and J. G. Hou, Mater. Lett. 59, 1378 (2005)
30. M. Lai and D. J. Riley, Chem. Mater. 18, 2233 (2006)
31. L. Li, S. S. Pan, X. C. Dou, Y. G. Zhu, X. H. Huang, Y. W. Yang, G. H. Li, and L. D. Zhang, J. Phys. Chem. C 111, 7288 (2007).
32. K. Boedecker, M. C. Lux-Steiner, M. Poschenrieder, F. Zenia, C. Levy-Clementand S. Wagner, Appl. Phys. Lett. 11, 2575 (2000)
33. T. Pauporte, R. Cortes, M. Froment, B. Beaumont, and D. Lincot, Chem. Mater. 14, 4702 (2002)
34. R. Liu, A. A. Vertegel, E. W. Bohannan, T. A. Sorenson, and J. A. Switzer, Chem. Mater. 13, 508 (2001)
35. T. Pauporte D. Lincot, B. Viana, and F. Pelte, Appl. Phys. Lett. 89, 233112 (2006)
36. B. Q. Cao, Y. Li, G. T. Duan, and W. P. Cai, Cryst. Growth Des. 6, 1091 (2006)
37. S. P. Anthony, J. I. Lee, and J. K. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 103107 (2007)
38. R. Chander and A. K. Raychaudhuri, Solid State Commun. 145, 81 (2008).
39. H. Ishizaki, M. Imaizumi, S. Matsuda, M. Izaki, and T. Ito, Thin Solid Films 411, 65 (2002).
40. R. Konenkamp, R. C. Word, and M. Godinez, Nano. Lett. 5, 2005 (2005).
41. J. Elias, R. Tena-Zaera and C. Lóvy-Clement, Thin Solid Films 515, 8553 (2007)
42. R. Tena-Zaera, J. Elias, G. Wang, and C. Lóvy-C1óment J. Phys. Chem. C 111, 16706 (2007)
43. B. Q. Cao, X. M. Teng, S. H. Heo, Y. Li, S. O. Cho, G. H. Li, and W. P. Cai, J. Phys. Chem. C 111, 2470 (2007)
44. L. F. Xu, Y. Guo, Q. Liao, J. P. Zhang, and D. S. Xu, J. Phys. Chem. B 109, 13519 (2005).
45. H. Womelsdorf, W. Hoheisel, and G. Passing, U.S. Patent 6710091 (2004).
46. L. E. Greene, M. Law, D. H. Tan, M. Montano, J. Goldberger, G. Somorjai, and P. D. Yang, Nano lett. 5, 1231 (2005).
47. S. Peulon and D. Lincot, J. Electrochem. Soc. 145, 864 (1998).