pH measurements with single ZnO nanorods integrated with a microchannel

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 11, 2005, Pages 1-3

  Kang, B S ^a   Ren, F ^a   Heo, Y W ^a   Tien, L C ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND GAP; MICROCHANNEL; NANORODS; SURFACE POTENTIAL;

ELECTRIC CONDUCTANCE; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PH EFFECTS; PHOTOCONDUCTING DEVICES; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SENSORS;

ZINC OXIDE;

EID: 17944372650     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1883330     Document Type: Article

References (35)

1. O. Ambacher, M. Eickhoff, G. Steinhoff, M. Hermann, L. Gorgens, V. Werss T. Susner, and M. Stutzmann, Proc.-Electrochem. Soc., 214, 27 (2002).
2. R. Neuberger, G. Muller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 185, 85 (2001).
3. J. Schalwig, G. Muller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 185, 39 (2001).
4. G. Steinhoff, M. Hermann, W. J. Schaff, L. F. Eastmann, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 83, 177 (2003).
5. M. Eickhoff, R. Neuberger, G. Steinhoff, O. Ambacher, G. Muller, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi B 228, 519 (2001).
6. J. Schalwig, G. Muller, M. Eickhoff, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Sens. Actuators B 81, 425 (2002).
7. M. Eickhoff, J. Schalwig, G. Steinhoff, R. Neuberger, M. Hermann, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Prog. Solid State Chem. 6, 1908 (2003).
8. R. Mehandru, B. Luo, B. S. Kang, J. Kim, F. Ren, S. J. Pearton, C. C. Fan, G. T. Chen, and J. I. Chyi, Solid-State Electron. 48, 351 (2004).
9. O. Ambacher, M. Eickhoff, A. Link, M. Hermann, M. Stutzmann, Bernardini, V. Tilak, and L. F. Eastmann, Prog. Solid State Chem. 6, 1878 (2003).
10. S. J. Pearton, B. S. Kang, S. Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, J. Lin, and S. N. G. Chu, J. Phys.: Condens. Matter 16, R961 (2004).
11. W. P. Kang and C. K. Kim, Sens. Actuators B 13-14, 682 (1993).
12. B. G. Miler, T. W. Trautman, and R. Wolfenden, J. Am. Chem. Soc. 120, 2666 (1998).
13. K. Ogata, K. Koike, T. Tanite, T. Komuro, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Sens. Actuators B 234, 117 (2005).
14. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
15. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).
16. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004).
17. B. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 158 (2002).
18. C. H. Liu, W. C. Liu, F. C. K. Au, J. X. Ding, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 3168 (2003).
19. W. I. Park, G. C. Yi, J. W. Kim, and S. M. Park, Appl. Phys. Lett. 82, 4358 (2003).
20. J. J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 215 (2002).
21. H. T. Ng, J. Li, M. K. Smith, P. Nguygen, A. Cassell, J. Han, and M. Meyyappan, Science 300, 1249 (2003).
22. J. Q. Hu and Y. Bando, Appl. Phys. Lett. 82, 14019 (2003).
23. W. I. Park, G. C. Yi, M. Y. Kim, and S. J. Pennycook, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 526 (2003).
24. Y. W. Heo, V. Varadarjan, M. Kaufman, K. Kim, D. P. Norton, F. Ren, and P. H. Fleming, Appl. Phys. Lett. 81, 3046 (2002).
25. M. He, M. M. E. Fahmi, S. Noor Mohammad, R. N. Jacobs, L. Salamanca-Riba, F. Feit, M. Jah, A. Sharma, and D. Lakins, Appl. Phys. Lett. 82, 3749 (2003).
26. M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li, X. Y. Zhang, and X. F. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 839 (2001).
27. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, H. W. Shim, E. K. Suh, and C. J. Lee, Chem. Phys. 86, 4003 (2003).
28. B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 83, 1635 (2003).
29. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
30. J. Y. Lao, J. Y. Huang, D. Z. Wang, and Z. F. Ren, Nano Lett. 3, 235 (2003).
31. D. E. Yales, S. Levine, and T. W. Healy, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 70, 1807 (1974).
32. W. M. Siu and R. S. C. Colloid, IEEE Trans. Electron Devices ED-26, 1805 (1979).
33. L. Bousse, N. F. DeRooij, and P. Bergbeld, IEEE Trans. Electron Devices ED-30, 1263 (1983).
34. C. D. Fung, P. W. Cheng, and W. H. Ho, IEEE Trans. Electron Devices ED-33, 8 (1986).
35. B. S. Kang, Y. W. Heo, L. C. Tien, F. Ren, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 80, 497 (2005).