Toward laser emission of epitaxial nanorod arrays of ZnO grown by electrodeposition

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 23, 2006, Pages

  Pauport T ^a   Lincot, D ^a   Viana, B ^b   Pell F ^b  

^a PSL RESEARCH UNIVERSITY   (France)

^b UNIVERSITÉ PIERRE ET MARIE CURIE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODEPOSITION; EPITAXIAL GROWTH; EXCITONS; GALLIUM NITRIDE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SINGLE CRYSTALS; SOLUTIONS; ULTRAVIOLET RADIATION;

EXCITATION THRESHOLD; FREESTANDING NANOCOLUMNS; RADIATIVE RECOMBINATION; TEMPLATE FREE METHOD;

ZINC OXIDE;

EID: 33845457288     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2402223     Document Type: Article

References (24)

1. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
2. M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, Z. K. Tang, P. Yu, G. K. L. Wang, and Y. Segawa, Mater. Sci. Forum 264-268, 1459 (1998).
3. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
4. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
5. Z. Qiu, K. S. Wong, M. Wu, W. Lin, and H. Xu, Appl. Phys. Lett. 84, 2739 (2004).
6. T. Okada, K. Kawashima, and M. Ueda, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 81, 907 (2005).
7. Y. Zhang, R. E. Russo, and S. S. Mao, Appl. Phys. Lett. 87, 043106 (2005).
8. X. Han, G. Wang, Q. Wang, L. Cao, R. Liu, B. Zou, and J. L. Hou, Appl. Phys. Lett. 86, 223106 (2005).
9. R. Hauschild, H. Lange, H. Priller, C. Klingshirn, R. Kling, A. Waag, H. J. Fan, M. Zacharias, and H. Kalt, Phys. Status Solidi B 243, 853 (2006).
10. H. Cao, Y. G. Zhao, H. C. Ong, S. T. Ho, J. Y. Dai, J. Y. Wu, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 73, 3656 (1998).
11. H. Cao, Y. G. Zhao, S. T. Ho, E. W. Seelig, Q. H. Wang, and R. P. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 82, 2278 (1999).
12. H. Cao, Y. G. Zhao, X. Liu, E. W. Seelig, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 75, 1213 (1999).
13. C. Liu, A. Zapien, Y. Yao, X. Meng, C. S. Lee, S. Fan, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 838 (2003).
14. K. Govender, D. S. Boyle, P. O'Brien, D. Binks, D. West, and D. Coleman, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 01221 (2002).
15. M. Zheng, L. Zhang, G. Li, and W. Shen, Chem. Phys. Lett. 363, 123 (2002).
16. Y. Leprince-Wang, A. Yacoubi-Ouslim, and G. Y. Wang, Microelectron. J. 36, 625 (2005).
17. T. Pauport́ and D. Lincot, Appl. Phys. Lett. 75, 3817 (1999).
18. T. Pauport́, R. Cort̀s, M. Froment, B. Beaumont, and D. Lincot, Chem. Mater. 14, 4702 (2002).
19. A. Goux, T. Pauport́, J. Chivot, and D. Lincot, Electrochim. Acta 50, 2239 (2005).
20. L. Veyssieres, K. Keis, A. Hagfeldt, and S. E. Lindquist, Chem. Mater. 13, 4395 (2001).
21. L. Vayssieres, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 464 (2003).
22. R. Konenkamp, R. C. Word, and C. Schlegel, Appl. Phys. Lett. 85, 6004 (2004).
23. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis, and K. A. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 348 (1998).
24. O. Mandelung, Semiconductors-Basic Data (Springer, Berlin, 1996).