Ga2Te3Sb5-A candidate for fast and ultralong retention phase-change memory

Advanced Materials

Volumn 21, Issue 17, 2009, Pages 1695-1699

  Kao, Kin Fu ^a   Lee, Chain Ming ^c   Chen, Ming Jung ^c   Tsai, Ming Jinn ^c   Chin, Tsung Shune ^a,b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b FENG CHIA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHIZATION PROCESS; APPLIED CURRENT; MEASURED RESULTS; ORDER OF MAGNITUDE; PULSE WIDTH; PULSED ELECTRIC CURRENT; R RATIO; RESISTANCE CHANGE; SQUARE WAVEFORM; STABLE SETS; TEST CELL;

CELL MEMBRANES; GALLIUM; GERMANIUM; PULSE CODE MODULATION; TELLURIUM COMPOUNDS; TESTING; TRANSIENTS;

PHASE CHANGE MEMORY;

EID: 66149120229     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200800423     Document Type: Article

References (22)

1. C. Cabral, Jr, K. N. Chen, L. Krusin-Elbaum, V. Deline, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 021908.
2. S. Y. Lee, K. J. Choi, S. O. Ryu, S.M. Yoon, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. H. Kim, S. H. Lee, B. G. Yu, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 053517.
3. D. H. Kang, J. S. Kim, Y. R. Kim, Y. T. Kim, M. K. Lee, Y. J. Jun, J. H. Park, F. Yeung, C. W. Jeong, J. Yu, J. H. Kong, D. W. Ha, S. A. Song, J. Park, Y. H. Park, Y. J. Song, C. Y. Eum, K. C. Ryoo, J.M. Shin, D. W. Lim, S. S. Park, J. H. Kim, W. I. Park, K. R. Sim, J. H. Cheong, J. H. Oh, J. H. Park, J. I. Kim, Y. T. Oh, K. W. Lee, S. P. Koh, S. H. Eun, N. B. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, K. Kim, Technol. Digest Very-Large-Scale Integration (VLSI) Symp. 2007, 96.
4. Y. K. Kim, U. Hwang, Y. J. Cho, H. M. Park, M. H. Cho, P. S. Cho, J. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 021908.
5. B. Qiao, J. Feng, Y. Lai, Y. Ling, Y. Lin, T. Tang, B. Cai, B. Chen, Appl. Surf. Sci. 2006, 252, 8404.
6. S. O. Ryu, S. M. Yoon, K. J. Choi, N. Y. Lee, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, J. B. Park, W. C. Shin, J. Electrochem. Soc. 2006, 153, G234.
7. W. D. Song, L. P. Shi, X. S. Miao, T. C. Chong, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 091904.
8. M. Chen, K. A. Rubin, R. W. Barton, Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 502.
9. Redaelli, D. Ielmini, A. L. Lacaita, F. Pellizzer, A. Pirovano, R. Bez, Int. Electron Device Meeting (IEDM) Technol. Digest 2005, 761.
10. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. Ketelaars, R. A. M. Wolters, Nat. Mater. 2005, 4, 347.
11. M. H. R. Lankhorst, L. van Pieterson, M. van Schijndel, B. A. J. Jacobs, J. C. N. Rijpers, Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 863.
12. R. Pandian, B. J. Kooi, J. T. M. De Hosson, A. Pauza, in Proc. EPCOS 2005, http://www.epcos.org/library/papers/pdf-2005/kooi.pdf (accessed: Januari 2009).
13. H. Y. Cheng, K. F. Kao, C. M. Lee, T. S. Chin, IEEE Trans. Magn. 2007, 43, 927.
14. C. M. Lee, W. S. Yen, R. P. Chen, T. S. Chin, IEEE Trans. Magn. 2005, 41, 1022.
15. C. M. Lee, Y. I. Lin, T. S. Chin, J. Mater. Res. 2004, 19, 2929.
16. C. M. Lee, Y. I. Lin, T. S. Chin, J. Mater. Res. 2004, 19, 2938.
17. D. S. Chao, Y. C. Chen, F. Chen, M. J. Chen, Philip, H. Yen, C.M. Lee, W. S. Chen, C. h, Lien, M. J. Kao, M. J. Tsai, IEEE Electron. Device Lett. 2007, 28, 871.
18. J. Campbell Scott, Science 2004, 34, 62.
19. J. Maimon, E. Spall, R. Quinn, S. Schnur, in Proc. IEEE Aerospace Conf. 2001, 5, 2289.
20. B. Liu, T. Zhang, J. L. Xia, Z. T. Song, S. L. Feng, B. Chen, Semicond. Sci. Technol. 2004, 19, L61.
21. P. Villars, in Handbook of Ternary Alloy Phase Diagrams (CRC, ASM International Society), 1994, pp. 11227-11231.
22. D. Ielmini, A. L. Lacaita, A. Pirovano, F. Pellizzer, R. Bez, IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 507.