Size independence and doping dependence of bending modulus in znO nanowires

Crystal Growth and Design

Volumn 9, Issue 4, 2009, Pages 1640-1642

  Huang, Yunhua ^a   Zhang, Yue ^a   Wang, Xueqiang ^a   Bai, Xuedong ^b   Gu, Yousong ^a   Yan, Xiaoqin ^a   Liao, Qingliang ^a   Qi, Junjie ^a   Liu, Juan ^a  

^a UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY BEIJING   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 65249160515     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg800535z     Document Type: Article

References (30)

1. Huang, M. H.; Mao, S.: Feick, H.: Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science 2001, 292, 1897.
2. Pan, Z. W.; Dai, Z.; Wang, Z. L. Science 2001, 291, 1947.
3. Gao, P. X.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2883.
4. Kong, X. Y.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 975.
5. Kong, X. Y.; Ding, Y.; Yang, R. S.; Wang, Z. L. Science 2004, 303, 1348.
6. Wang, Z. L.; Kong, X. Y.; Zuo, J. M. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 185502.
7. Huang, Y.; He, J.; Zhang, Y.; Dai, Y.; Gu, Y.; Wang, S.; Zhou, C. J. Mater. Sci 2006, 41, 3057.
8. Zhu, Y. W.; Zhang, H. Z.; Sun, X. C: Feng, S. Q.; Xu, J.; Zhao, Q.; Xiang, B.; Wang, R. M.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 144.
9. Lee, C. J.; Lee, T. J.; Lyu, S. C; Zhang. Y.; Ruh, H.; Lee. H. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3648.
10. Park, W. 1.; Yi, G.-C; Kim, J. W.; Park, S. M. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4358.
11. Roy, V. A. L.; Djurisic, A. B.; Liu, H.; Zhang, X. X.; Leung, Y. H.; Xie, M. H.; Gao. J.; Lui, H. F.; Surva. C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 756.
12. Huang, Y.; Zhang, Y.; Gu, Y.; Bai, X.; Qi, J.; Liao, Q.; Liu, J. J Phys. Chem. C 2007, 111, 9039.
13. Cui, Y.; Wei, Q.; Park, H.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289.
14. Abadal, G.; Davis, Z. J.; Helbo, B.; Borrise, X.; Ruiz, R.; Boisen, A.; Campabadal, F.; Esteve, J.; Figueras, E.; Perez-Murano, F.; Barniol, F. Nanotechnology 2001, 12, 100.
15. Davis, Z. J.; Abadal, G.; Khn, O.; Hansen, O.; Grey, F.; Boisen, A. J. Vac. Sci. Technol, B 2000, 18. 612.
16. Berger, R.; Gerber, C; Lang, H. P.; Gimzewshi, J. K. Microel ectron. Eng. 1997, 35, 373.
17. Wu, G. H.; Datar, R. H.; Hansen, K. M.; Thundat, T.; Cote, R. J.; Majumdar, A. Nat, Biotechnol. 2001, 19, 856.
18. Stevenson, K. A.; Mehta. A.; Sachenko, P.; Hansen, K. M.; Thundat, T. Langmuir 2002, 18, 8732.
19. Song, J.; Wang, X.; Riedo, E.; Wang, Z. L. Nano Lett. 2005, 5, 1954.
20. Bai, X. D.; Gao, P. X.; Wang, Z. L.; Wang, E. G. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4806.
21. Huang, Y.; Bai, X.; Zhang, Y. J. Phys. Condens. Mat. 2006, 18, 179.
22. Yum, K.; Wang, Z.; Suryavanshi, A. P.; Yu, M. F. J. Appl. Phys. 2004, 96, 3933.
23. Chen, C. Q.; Shi, Y.; Zhang, Y. S.; Zhu, J.; Yan, Y. J. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 075505.
24. Kresse, G.; Furthmuller, J. Phys. Rev. B 1996, 54, 11169.
25. Blochl, P. E. Phys. Rev. B 1994, 50, 17953.
26. Liechtenstein, A. L; Anisimov, V. 1.; Zaanen, J. Phys. Rev. B 1995, 52, 5467.
27. Rohrbach, A.; Hafner, J.; Kresse, G. Phys. Rev. B 2004, 69, 075413.
28. Monkhorst, H. J.; Pack, J. D. Phys. Rev. B 1976, 13, 5188.
29. Kobiakov. 1. B. Solid State Commun. 1980, 35, 305.
30. Carlotti, G.; Socilo, G.; Petri, A.; Verona, E. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 1889.